外延生長的原理外延層的生長方法有很多種，但使用最多的是氣相法外延工藝。碳化硅的碳面對外延有影響嗎？是的外延工藝是整個行業(yè)非常關(guān)鍵的一個流程，因為現(xiàn)在所有的器件基本都是在外延上實現(xiàn)的，外延的質(zhì)量對器件的性能影響很大，但是外延的質(zhì)量也受晶體和襯底的影響，總之，碳化硅器件制備的成功需要碳化硅襯底生長和外延工藝的協(xié)同優(yōu)化。

1兩者同樣重要。2碳化硅襯底生長的關(guān)鍵在于生長高質(zhì)量、低缺陷的襯底，而外延則需要在襯底上生長高質(zhì)量、厚度均勻的晶體層，兩者缺一不可。此外，碳化硅襯底的選擇和制備對器件性能也有很大影響，需要充分考慮和優(yōu)化兩者的制備工藝?？傊蓟杵骷苽涞某晒π枰蓟枰r底生長和外延工藝的協(xié)同優(yōu)化。

影響力外延工藝是整個行業(yè)非常關(guān)鍵的一個流程。因為現(xiàn)在所有的器件基本都是外延實現(xiàn)的，外延的質(zhì)量對器件的性能影響很大，但是外延的質(zhì)量也受晶體和襯底的影響。加工的影響力處于一個行業(yè)的中間，對行業(yè)的發(fā)展起著非常關(guān)鍵的作用。碳化硅功率器件在制造工藝上不同于傳統(tǒng)的硅功率器件，不能直接在碳化硅單晶材料上制造。需要在導(dǎo)電單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各種器件。

廣義來說，沿襯底現(xiàn)有晶格生長的叫外延，而類似的方法，但對應(yīng)的不是沿晶格生長的，多叫淀積。有許多沉積方法，如CVD、PVD、ALD和各種d。對于薄膜，有許多制造方法，如蒸發(fā)、濺射、旋涂和各種電鍍方法。外延的主要作用是制作兩個不同材料或性質(zhì)的單晶界面。至于應(yīng)用，硅片上主要是異質(zhì)結(jié)或P 或N，更具體的應(yīng)用多種多樣。

擴展эпитаксияпроцесо??врезультатекоторогообразующаясяноваяфазазакономернопродолжаеткристаллическуюрешеткуимеющейсяподложкисобразованиемпереходногоэпитаксиальногослоя(пэс的類型和特征)，

生長外延層的方法有很多，但最常用的是氣相法外延工藝。圖1是用于硅(Si)氣相外延的設(shè)備的示意圖，氫氣(H2)氣體攜帶四氯化硅(SiCl4)或三氯硅烷(SiHCl3)、硅烷(SiH4)或二氯硅烷(SiH2Cl2)進入帶有硅襯底的反應(yīng)室，在反應(yīng)室中進行高溫化學(xué)反應(yīng)，使含硅反應(yīng)氣體還原或熱分解，生成的硅原子在襯底的硅表面外延生長。主要化學(xué)反應(yīng)式為(圖1)，在硅晶片的外延生長過程中，經(jīng)常需要控制摻雜以確保電阻率的控制。