外延工藝,碳化硅碳面對外延有影響嗎?
外延生長的原理外延層的生長方法有很多種，但使用最多的是氣相法外延工藝。碳化硅的碳面對外延有影響嗎？是的外延工藝是整個行業(yè)非常關(guān)鍵的一個流程，因為現(xiàn)在所有的器件基本都是在外延上實現(xiàn)的，外延的質(zhì)量對器件的性能影響很大，但是外延的質(zhì)量也受晶體和襯底的影響，總之，碳化硅器件制備的成功需要碳化硅襯底生長和外延工藝的協(xié)同優(yōu)化。1、碳化硅襯底生長和外延哪個更關(guān)鍵1兩者同樣重要。2碳化硅襯底生長的關(guān)鍵在于生長高質(zhì)量、低缺陷的襯底，而外延則需要在襯底上生長高質(zhì)量、厚度均勻的晶體層，兩者缺一不可。此外，碳化硅襯底的選擇和制備...
更新時間：2024-01-08標簽： 外延工藝碳化硅器件襯底 全文閱讀