外延工藝,碳化硅碳面對(duì)外延有影響嗎?
外延生長(zhǎng)的原理外延層的生長(zhǎng)方法有很多種，但使用最多的是氣相法外延工藝。碳化硅的碳面對(duì)外延有影響嗎？是的外延工藝是整個(gè)行業(yè)非常關(guān)鍵的一個(gè)流程，因?yàn)楝F(xiàn)在所有的器件基本都是在外延上實(shí)現(xiàn)的，外延的質(zhì)量對(duì)器件的性能影響很大，但是外延的質(zhì)量也受晶體和襯底的影響，總之，碳化硅器件制備的成功需要碳化硅襯底生長(zhǎng)和外延工藝的協(xié)同優(yōu)化。1、碳化硅襯底生長(zhǎng)和外延哪個(gè)更關(guān)鍵1兩者同樣重要。2碳化硅襯底生長(zhǎng)的關(guān)鍵在于生長(zhǎng)高質(zhì)量、低缺陷的襯底，而外延則需要在襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量、厚度均勻的晶體層，兩者缺一不可。此外，碳化硅襯底的選擇和制備...
更新時(shí)間：2024-01-08標(biāo)簽： 外延工藝碳化硅器件襯底 全文閱讀