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光刻法，簡(jiǎn)述光刻的工藝過(guò)程步驟

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-09-06 01:53:06 編輯：智能門(mén)戶(hù) 手機(jī)版

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1，簡(jiǎn)述光刻的工藝過(guò)程步驟

1. wafer 表面處理； 2. 旋涂光刻膠（包括抗反射層） 3. 前烘； 4. 曝光； 5. 后烘； 6. 顯影，有的需要在顯影前進(jìn)行堅(jiān)膜； 7. 刻蝕

簡(jiǎn)述光刻的工藝過(guò)程步驟

2，光刻技術(shù)的種類(lèi)及介紹

你可以參看這些資料http://baike.baidu.com/view/359979.htm?fr=ala0_1http://baike.baidu.com/view/1117847.htm
我不會(huì)~~~但還是要微笑~~~：）

光刻技術(shù)的種類(lèi)及介紹

3，光刻和刻蝕有什么區(qū)別

這兩個(gè)詞是半導(dǎo)體工藝中的重要步驟，需要配合剖面圖講解，最好自己找本半導(dǎo)體工藝的書(shū)看。 “光刻”是指在涂滿(mǎn)光刻膠的晶圓（或者叫硅片）上蓋上事先做好的光刻板，然后用紫外線(xiàn)隔著光刻板對(duì)晶圓進(jìn)行一定時(shí)間的照射。原理就是利用紫外線(xiàn)使部分光刻膠變質(zhì)，易于腐蝕。 “刻蝕”是光刻后，用腐蝕液將變質(zhì)的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導(dǎo)體器件及其連接的圖形。然后用另一種腐蝕液對(duì)晶圓腐蝕，形成半導(dǎo)體器件及其電路。 建有流水線(xiàn)的商家有，海力士，華潤(rùn)等等。有興趣可以網(wǎng)上的半導(dǎo)體技術(shù)交流論壇看看。

光刻和刻蝕有什么區(qū)別

4，科技文獻(xiàn)翻譯

摘要本文介紹了倏逝成像技術(shù)在顯微光刻法中新的應(yīng)用。倏逝波光刻技術(shù)，主要通過(guò)193nm波長(zhǎng)ArF激元激光器來(lái)記錄折射率為1.71的光刻膠上的圖像，以達(dá)到在1.85NA的26nm分辨率水平。除此之外，通過(guò)倏逝波輔助特征來(lái)借助底層-吸收層交界處的倏逝能量邊界情況，能夠很好地描述光掩模增強(qiáng)效應(yīng)，并增強(qiáng)掩模的在耦合干擾情況下的傳輸率。介紹人們?cè)趤啿ㄩL(zhǎng)范圍內(nèi)的光刻技術(shù)的發(fā)展，會(huì)受到經(jīng)典光學(xué)衍射規(guī)律的限制。我們?cè)?jīng)報(bào)道過(guò)利用倏逝場(chǎng)在固體浸沒(méi)透鏡間隙的極短距離內(nèi)傳播來(lái)進(jìn)行光刻。這些固體浸沒(méi)透鏡都有量化的接近193nm ArF 光刻膠折射率的孔。1其他小組還描述了在圖像記錄設(shè)備帶來(lái)的折射率限制條件（這也是倏逝場(chǎng)的傳播和探測(cè)上的不便所帶來(lái)的總體要求）下利用不同的固體浸沒(méi)透鏡配置來(lái)進(jìn)行光刻的成果。2-4 我們還通過(guò)直接將倏逝場(chǎng)成像在光刻膠層（其折射率大大低于成像系統(tǒng)的數(shù)值的孔），使光刻的成像投射技術(shù)超越了記錄設(shè)備的折射率限制。在光掩模目標(biāo)平板的表面邊界倏逝場(chǎng)耦合，潛在能夠?qū)νㄟ^(guò)成像平面的倏逝場(chǎng)檢測(cè)來(lái)完成，并能夠使遠(yuǎn)距離場(chǎng)圖像得到近距離場(chǎng)的增強(qiáng)。我們也會(huì)在此報(bào)道這兩種現(xiàn)象和它們的相關(guān)應(yīng)用。我是工科專(zhuān)業(yè)的，英語(yǔ)沒(méi)問(wèn)題，不過(guò)對(duì)介紹的這一塊不怎么熟悉，LZ可以試試看看。

5，光刻曝光技術(shù)的主要流程及每個(gè)步驟的意義

毛毛 你好傻希望對(duì)你有所幫助，望采納。
毛毛 你好傻
光刻工藝主要步驟1. 基片前處理為確保光刻膠能和晶圓表面很好粘貼，形成平滑且結(jié)合得很好的膜，必須進(jìn)行表面準(zhǔn)備，保持表面干燥且干凈，2. 涂光刻膠涂膠的目標(biāo)是在晶圓表面建立薄的、均勻的，并且沒(méi)有缺陷的光刻膠膜。3. 前烘(軟烘焙)前烘的目的是去除膠層內(nèi)的溶劑，提高光刻膠與襯底的粘附力及膠膜的機(jī)械擦傷能力。4. 對(duì)準(zhǔn)和曝光(A＆E) 保證器件和電路正常工作的決定性因素是圖形的準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)，以及光刻膠上精確的圖形尺寸的形成。所以，涂好光刻膠后，第一步是把所需圖形在晶圓表面上準(zhǔn)確定位或?qū)?zhǔn)。第二步是通過(guò)曝光將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層上。5. 顯影顯影是指把掩膜版圖案復(fù)制到光刻膠上。6. 后烘(堅(jiān)膜)經(jīng)顯影以后的膠膜發(fā)生了軟化、膨脹，膠膜與硅片表面粘附力下降。為了保證下一道刻蝕工序能順利進(jìn)行，使光刻膠和晶圓表面更好地粘結(jié)，必須繼續(xù)蒸發(fā)溶劑以固化光刻膠。 7. 刻蝕刻蝕是通過(guò)光刻膠暴露區(qū)域來(lái)去掉晶圓最表層的工藝，主要目標(biāo)是將光刻掩膜版上的圖案精確地轉(zhuǎn)移到晶圓表面。8. 去除光刻膠刻蝕之后，圖案成為晶圓最表層永久的一部分。作為刻蝕阻擋層的光刻膠層不再需要了，必須從表面去掉。
顯影是把沒(méi)固化的料洗掉，它的圖案是不是掩模板的圖案和你用的正膠與負(fù)膠有光

6，光刻技術(shù)的原理是什么

集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線(xiàn)、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。兩種工藝：①光復(fù)印工藝②刻蝕工藝
光刻工藝是利用類(lèi)似照相制版的原理，在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上面刻蝕精細(xì)圖形的表面加工技術(shù)。也就是使用可見(jiàn)光和紫外光線(xiàn)把電路圖案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再經(jīng)過(guò)蝕刻工藝去除無(wú)用部分，所剩就是電路本身了。光刻工藝的流程中有制版、硅片氧化、涂膠、曝光、顯影、腐蝕、去膠等。光刻是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的關(guān)鍵工藝。自20世紀(jì)60年代以來(lái)，都是用帶有圖形的掩膜覆蓋在被加工的半導(dǎo)體芯片表面，制作出半導(dǎo)體器件的不同工作區(qū)。隨著集成電路所包含的器件越來(lái)越多，要求單個(gè)器件尺寸及其間隔越來(lái)越小，所以常以光刻所能分辨的最小線(xiàn)條寬度來(lái)標(biāo)志集成電路的工藝水平。國(guó)際上較先進(jìn)的集成電路生產(chǎn)線(xiàn)是1微米線(xiàn)，即光刻的分辨線(xiàn)寬為1微米。日本兩家公司成功地應(yīng)用加速器所產(chǎn)生的同步輻射X射線(xiàn)進(jìn)行投影式光刻，制成了線(xiàn)寬為0.1微米的微細(xì)布線(xiàn)，使光刻技術(shù)達(dá)到新的水平。
芯片納米光刻機(jī)究竟是什么，原理是怎樣的呢？今天算長(zhǎng)見(jiàn)識(shí)了
光刻技術(shù)的原理集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線(xiàn)、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)?！　」饪碳夹g(shù)是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，這其中包含有很多步驟與流程。首先要在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，隨后讓強(qiáng)光通過(guò)一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源區(qū)和漏區(qū))光刻膠會(huì)發(fā)生變質(zhì)，而構(gòu)筑柵區(qū)的地方不會(huì)被照射到，所以光刻膠會(huì)仍舊粘連在上面。接下來(lái)就是用腐蝕性液體清洗硅片，變質(zhì)的光刻膠被除去，露出下面的硅片，而柵區(qū)在光刻膠的保護(hù)下不會(huì)受到影響。隨后就是粒子沉積、掩膜、刻線(xiàn)等操作，直到最后形成成品晶片（WAFER）。
概述RDJ-I正型光刻膠是液晶顯示器用正性光刻膠，可同時(shí)適用于TN/STN/FTN LCD、VFD制作，具有高感度，高粘附性，高分辨率，良好的涂布性能等優(yōu)點(diǎn)。RDJ-I正型光刻膠采用環(huán)保溶劑。RDJ-I正型光刻膠一般規(guī)格有30mpa.s，40mpa.s，50 mpa.s，使用時(shí)可根據(jù)需要稀釋成不同固含量和粘度。技術(shù)指標(biāo)如下表：顏色 磚紅色粘度(25℃,VT-04E/F) 20-50 mpa.s基板 ITO玻璃(30Ω)涂膜厚度 1.3—1.8um前烤 100x90sec(熱板)曝光 60-100mj/cm2顯影 0.8% KOHx60sec后烤 熱板120℃×120sec蝕刻 HNO3:HCl:H2O=4：23：73@40℃剝離 4%NaOH@50℃×120sec貯存期限（25℃以下暗處貯存） 6個(gè)月操作工藝參數(shù)：1．涂布：23℃，輥涂，膜厚1.1-1.8μm；2．前烤：100℃x90sec(熱板)，烤道100℃3—5分鐘；3．曝光：90mj/cm2；4．顯影：23℃，0.4% NaOH，1min，噴淋或浸漬；5．后烤：熱板120℃×120sec，烤120℃,3-5分鐘；6．蝕刻：45℃，F(xiàn)eCl3/HCl或HNO3/ HCl；7．剝離：23℃ 4-6% NaOH
文章TAG：光刻法簡(jiǎn)述光刻的工藝過(guò)程步驟

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