半導(dǎo)體材料有哪些，探討幾種半導(dǎo)體材料的應(yīng)用與發(fā)展

來源：整理時間：2023-08-29 09:04:41 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，探討幾種半導(dǎo)體材料的應(yīng)用與發(fā)展
2，半導(dǎo)體材料有哪些
3，異質(zhì)半導(dǎo)體材料系統(tǒng)有哪些
4，手機(jī)電腦芯片主要是由什么物質(zhì)做成的
5，半導(dǎo)體是什么
6，硅導(dǎo)電么半導(dǎo)體又是這么一回事

1，探討幾種半導(dǎo)體材料的應(yīng)用與發(fā)展

摘要：隨著社會的發(fā)展與進(jìn)步，重視半導(dǎo)體材料的應(yīng)用與發(fā)展對于現(xiàn)實生活中具有重要的意義。本文主要介紹幾種半導(dǎo)體材料的應(yīng)用與發(fā)展的有關(guān)內(nèi)容。關(guān)鍵詞半導(dǎo)體；材料；芯片；發(fā)展；應(yīng)用；技術(shù)；中圖分類號：O471 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：引言自然界中的物質(zhì)，根據(jù)其導(dǎo)電性能的差異可劃分為導(dǎo)電性能良好的導(dǎo)體（如銀、銅、鐵等）、幾乎不能導(dǎo)電的絕緣體（如橡膠、陶瓷、塑料等）和半導(dǎo)體（如鍺、硅、砷化鎵等）。（剩余3686字）

探討幾種半導(dǎo)體材料的應(yīng)用與發(fā)展

2，半導(dǎo)體材料有哪些

常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應(yīng)用最廣?；衔锇雽?dǎo)體分為二元系、三元系、多元系和有機(jī)化合物半導(dǎo)體。二元系化合物半導(dǎo)體有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等）、Ⅳ-Ⅵ族（如硫化鉛、硒化鉛等）、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半導(dǎo)體主要為三元和多元固溶體，如鎵鋁砷固溶體、鎵鍺砷磷固溶體等。有機(jī)化合物半導(dǎo)體有萘、蒽、聚丙烯腈等，還處于研究階段。　　此外，還有非晶態(tài)和液態(tài)半導(dǎo)體材料，這類半導(dǎo)體與晶態(tài)半導(dǎo)體的最大區(qū)別是不具有嚴(yán)格周期性排列的晶體結(jié)構(gòu)。制備不同的半導(dǎo)體器件對半導(dǎo)體材料有不同的形態(tài)要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導(dǎo)體材料的不同形態(tài)要求對應(yīng)不同的加工工藝。常用的半導(dǎo)體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。

鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。

硅

半導(dǎo)體材料有哪些

3，異質(zhì)半導(dǎo)體材料系統(tǒng)有哪些

半導(dǎo)體材料是電導(dǎo)率在10～10歐／厘米之間的材料。在一般情況下，半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而增大，這與金屬導(dǎo)體恰好相反。凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導(dǎo)體材料的范圍。半導(dǎo)體材料是最重要最有影響的功能材料之一，它在微電子領(lǐng)域具有獨占的地位，同時又是光電子領(lǐng)域的主要材料。http://ic.big-bit.com/

半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是gaas之類的化合物，也可以是si-ge之類的半導(dǎo)體合金。按異質(zhì)結(jié)中兩種材料導(dǎo)帶和價帶的對準(zhǔn)情況可以把異質(zhì)結(jié)分為ⅰ型異質(zhì)結(jié)和ⅱ型異質(zhì)結(jié)兩種，兩種異質(zhì)結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)異質(zhì)結(jié)圖冊，i型異質(zhì)結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)是嵌套式對準(zhǔn)的,窄帶材料的導(dǎo)帶底和價帶頂都位于寬帶材料的禁帶中，δec和δev的符號相反，gaalas/gaas和ingaasp/inp都屬于這一種。在ⅱ型異質(zhì)結(jié)中，δec和δev的符號相同。具體又可以分為兩種:一種所示的交錯式對準(zhǔn)，窄帶材料的導(dǎo)帶底位于寬帶材料的禁帶中，窄帶材料的價帶頂位于寬帶材料的價帶中。另一種如圖1(c)所示窄帶材料的導(dǎo)帶底和價帶頂都位于寬帶材料的價帶中ⅱ型異質(zhì)結(jié)的基本特性是在交界面附近電子和空穴空間的分隔和在自洽量子阱中的局域化。由于在界面附近波函數(shù)的交疊，導(dǎo)致光學(xué)矩陣元的減少，從而使輻射壽命加長，激子束縛能減少。由于光強(qiáng)和外加電場會強(qiáng)烈影響ⅱ型異質(zhì)結(jié)的特性，使得與ⅰ型異質(zhì)結(jié)相比，ⅱ型異質(zhì)結(jié)表現(xiàn)出不尋常的載流子的動力學(xué)和復(fù)合特性，從而影響其電學(xué)、光學(xué)和光電特性及其器件的參數(shù)。http://ic.big-bit.com/news/list-75.html

異質(zhì)半導(dǎo)體材料系統(tǒng)有哪些

4，手機(jī)電腦芯片主要是由什么物質(zhì)做成的

主要是硅

硅在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在于巖石、砂礫中。硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型，將沙石原料放入一個溫度約為2000 ℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)（碳與氧結(jié)合，剩下硅），得到純度約為98%的純硅。擴(kuò)展資料晶圓的初次氧化由熱氧化法生成SiO2 緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化Si(固)+O2 à SiO2(固)和濕法氧化Si(固)+2H2O à SiO2(固)+2H2。干法氧化通常用來形成，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)SiO2膜較薄時，膜厚與時間成正比。SiO2膜變厚時，膜厚與時間的平方根成正比。要形成較厚SiO2膜，需要較長的氧化時間。SiO2膜形成的速度取決于經(jīng)擴(kuò)散穿過SiO2膜到達(dá)硅表面的O2及OH基等氧化劑的數(shù)量的多少。參考資料來源：百度百科-晶圓

石英是制造手機(jī)電腦芯片的主要原料

公務(wù)員真題：手機(jī)和電腦的芯片，主要是由什么組成的，銅嗎？

芯片和內(nèi)存條一樣，都是由集成電路組成的半導(dǎo)體，而它們的主要原材料就是沙子里面的硅。那么從沙子里面的硅到一枚芯片它們要經(jīng)歷那些歷程呢？首先要把一堆硅原料進(jìn)行提純，再經(jīng)過高溫融化，變成固體的大硅錠。

5，半導(dǎo)體是什么

◆半導(dǎo)體( semiconductor)，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性是可以受控的，范圍可從絕緣體至幾個歐姆之間。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計算機(jī)、移動電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)、儀器儀表以及測溫上都有著廣泛的應(yīng)用。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?！癜雽?dǎo)體五大特性∶摻雜性（在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。），熱敏性，光敏性（在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。），負(fù)電阻率溫度特性，整流特性。●半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計方法等進(jìn)行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進(jìn)行分類的方法。

當(dāng)電流通過各種物體時，不同的物體對電流的通過有著不同的阻止能力，有的物體可使電流順利通過，也有的物體不讓其通過，或者在一定的阻力下讓它通過。這種不同的物體通過電流的能力，叫做這種物體的導(dǎo)電性能。各種物體均有著不同的導(dǎo)電性能，凡是導(dǎo)電性能很好的物體叫做導(dǎo)體。如銀、銅、鋁、鉛、錫、鐵、水銀、碳和電解液等都是良好導(dǎo)體。反之，導(dǎo)電能力很差的物體叫做絕緣體。還有，有的物體的導(dǎo)電能力比導(dǎo)體差，但比絕緣體強(qiáng)，這種導(dǎo)體叫做半導(dǎo)體。如常用的晶體管原材料硅、鍺等。收音機(jī) CPU都是半導(dǎo)體半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可制成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。半導(dǎo)體還有一個最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測其導(dǎo)電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。把一塊半導(dǎo)體的一邊制成P型區(qū)，另一邊制成N型區(qū)，則在交界處附近形成一個具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為PN結(jié)的形成過程，示意載流子的擴(kuò)散作用大于漂移作用（用藍(lán)色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場的方向）。下邊部分為PN結(jié)的形成。表示擴(kuò)散作用和漂移作用的動態(tài)平衡。

鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，叫做半導(dǎo)體。半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可制成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。半導(dǎo)體還有一個最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測其導(dǎo)電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。把一塊半導(dǎo)體的一邊制成p型區(qū)，另一邊制成n型區(qū)，則在交界處附近形成一個具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為pn結(jié)。圖中上部分為p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為pn結(jié)的形成過程，示意載流子的擴(kuò)散作用大于漂移作用（用藍(lán)色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場的方向）。下邊部分為pn結(jié)的形成。表示擴(kuò)散作用和漂移作用的動態(tài)平衡

6，硅導(dǎo)電么半導(dǎo)體又是這么一回事

硅具有微弱的導(dǎo)電性，既不能當(dāng)導(dǎo)體，也不能當(dāng)絕緣體來用。半導(dǎo)體的名稱可能是這么來的，但是有些半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜會有奇妙的電光特性的

純凈的硅在室溫下，導(dǎo)電率是很小的，接近于絕緣體。但是由于硅的帶隙較小，所以對硅進(jìn)行摻雜，可以形成p型或n型半導(dǎo)體，其導(dǎo)電率又是由摻雜濃度決定的。半導(dǎo)體，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。擴(kuò)展資料：高純的單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導(dǎo)體；摻入微量的第VA族元素，形成n型半導(dǎo)體。p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成p-n結(jié)，就可做成太陽能電池，將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔堋Ａ硗鈴V泛應(yīng)用的二極管、三極管、晶閘管、場效應(yīng)管和各種集成電路（包括人們計算機(jī)內(nèi)的芯片和CPU）都是用硅做的原材料。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計方法等進(jìn)行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。參考資料來源：搜狗百科-硅參考資料來源：搜狗百科-半導(dǎo)體

1、硅導(dǎo)電，硅的電導(dǎo)率與其溫度有很大關(guān)系，隨著溫度升高，電導(dǎo)率增大，在1480℃左右達(dá)到最大，而溫度超過1600℃后又隨溫度的升高而減小。2、半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。擴(kuò)展資料：硅的物理性質(zhì)：有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體。晶體硅為灰黑色，無定形硅為黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔點1410℃，沸點2355℃，晶體硅屬于原子晶體。不溶于水、硝酸和鹽酸，溶于氫氟酸和堿液。硬而有金屬光澤。半導(dǎo)體：最早的實用“半導(dǎo)體”是「電晶體（Transistor）/二極體（Diode）」。1、在無線電收音機(jī)（Radio）及電視機(jī)（Television）中，作為“訊號放大器/整流器”用。2、發(fā)展「太陽能（Solar Power）」，也用在「光電池（Solar Cell）」中。3、半導(dǎo)體可以用來測量溫度，測溫范圍可以達(dá)到生產(chǎn)、生活、醫(yī)療衛(wèi)生、科研教學(xué)等應(yīng)用的70%的領(lǐng)域，有較高的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性，分辨率可達(dá)0.1℃，甚至達(dá)到0.01℃也不是不可能，線性度0.2%，測溫范圍-100~+300℃，是性價比極高的一種測溫元件。4、半導(dǎo)體致冷器的發(fā)展, 它也叫熱電致冷器或溫差致冷器, 它采用了帕爾貼效應(yīng)。參考資料來源：搜狗百科——半導(dǎo)體參考資料來源：搜狗百科——硅

純凈的硅在室溫下，導(dǎo)電率是很小的，接近于絕緣體。但是由于硅的帶隙較小，1.12eV，所以對硅進(jìn)行摻雜，可以形成p型或n型半導(dǎo)體，其導(dǎo)電率又是由摻雜濃度決定的。

你好！硅具有微弱的導(dǎo)電性，既不能當(dāng)導(dǎo)體，也不能當(dāng)絕緣體來用。半導(dǎo)體的名稱可能是這么來的，但是有些半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜會有奇妙的電光特性的我的回答你還滿意嗎~~

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半導(dǎo)體材料有哪些，探討幾種半導(dǎo)體材料的應(yīng)用與發(fā)展

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1，探討幾種半導(dǎo)體材料的應(yīng)用與發(fā)展

2，半導(dǎo)體材料有哪些

3，異質(zhì)半導(dǎo)體材料系統(tǒng)有哪些

4，手機(jī)電腦芯片主要是由什么物質(zhì)做成的

5，半導(dǎo)體是什么

6，硅導(dǎo)電么半導(dǎo)體又是這么一回事

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3，異質(zhì)半導(dǎo)體材料系統(tǒng)有哪些

4，手機(jī)電腦芯片主要是由什么物質(zhì)做成的

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