矽電半導(dǎo)體，深圳市矽電半導(dǎo)體設(shè)備有限公司在深圳那個(gè)區(qū)具體地址

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1，深圳市矽電半導(dǎo)體設(shè)備有限公司在深圳那個(gè)區(qū)具體地址
2，問(wèn) 矽二極管 PN結(jié) 結(jié)構(gòu)圖材料
3，深圳矽電是做什么的
4，甬矽電子寧波股份有限公司怎么樣
5，CCD和CMOS有什么區(qū)別
6，cmos和CCD感光

1，深圳市矽電半導(dǎo)體設(shè)備有限公司在深圳那個(gè)區(qū)具體地址

深圳市龍崗區(qū)中心城龍城工業(yè)園E棟創(chuàng)業(yè)大廈二層

同問(wèn)。。。

深圳市矽電半導(dǎo)體設(shè)備有限公司在深圳那個(gè)區(qū)具體地址

2，問(wèn) 矽二極管 PN結(jié) 結(jié)構(gòu)圖材料

二極管就分為硅二極管和鍺二極管，都是由pn結(jié)組成，就是p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體通過(guò)特殊工藝拼接起來(lái)，p型半導(dǎo)體帶正電，n型半導(dǎo)體帶負(fù)電。

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問(wèn) 矽二極管 PN結(jié) 結(jié)構(gòu)圖材料

3，深圳矽電是做什么的

深圳矽電成立于2003年，是一家由海外博士和國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)團(tuán)隊(duì)聯(lián)合創(chuàng)辦的高科技公司。公司于2006年被授予自主創(chuàng)新型留學(xué)生企業(yè)、深圳市高新技術(shù)企業(yè)，2008年被授予國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。深圳矽電是國(guó)內(nèi)最早自主研發(fā)芯片測(cè)試設(shè)備的企業(yè)，可為客戶(hù)提供晶粒測(cè)試、晶圓測(cè)試和芯片測(cè)試等一條龍解決方案。它在龍崗區(qū)中心城龍城工業(yè)園。

深圳市矽電半導(dǎo)體設(shè)備有限公司服務(wù)不錯(cuò)，產(chǎn)品質(zhì)量也挺好的。

深圳矽電是做什么的

4，甬矽電子寧波股份有限公司怎么樣

甬矽電子(寧波)股份有限公司是2017-11-13在浙江省寧波市余姚市注冊(cè)成立的股份有限公司(非上市、自然人投資或控股)，注冊(cè)地址位于浙江省寧波市余姚市中意寧波生態(tài)園興舜路22號(hào)。甬矽電子(寧波)股份有限公司的統(tǒng)一社會(huì)信用代碼/注冊(cè)號(hào)是91330200MA2AFL8H97，企業(yè)法人王順波，目前企業(yè)處于開(kāi)業(yè)狀態(tài)。甬矽電子(寧波)股份有限公司的經(jīng)營(yíng)范圍是：電子元器件、集成電路、電子儀器、半導(dǎo)體的生產(chǎn)、研發(fā)、測(cè)試、銷(xiāo)售、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)咨詢(xún)；半導(dǎo)體器件、集成電路封裝及其測(cè)試設(shè)備、模具的生產(chǎn)、研發(fā)；計(jì)算機(jī)軟硬件設(shè)計(jì)、研發(fā)；自營(yíng)和代理各類(lèi)貨物和技術(shù)的進(jìn)出口，但國(guó)家限定經(jīng)營(yíng)或禁止進(jìn)出口的貨物和技術(shù)除外。（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)）。本省范圍內(nèi)，當(dāng)前企業(yè)的注冊(cè)資本屬于一般。通過(guò)百度企業(yè)信用查看甬矽電子(寧波)股份有限公司更多信息和資訊。

5，CCD和CMOS有什么區(qū)別

數(shù)碼相機(jī)CCD和CMOS的區(qū)別有鑒于許多網(wǎng)友詢(xún)問(wèn) CCD 與 CMOS 的主要差別。我們暫時(shí)撇開(kāi)復(fù)雜的技術(shù)文字，透過(guò)簡(jiǎn)單的比較來(lái)看這兩種不同類(lèi)型，作用相同的影像感光元件。　　不管，CCD 或 CMOS，基本上兩者都是利用矽感光二極體（photodiode）進(jìn)行光與電的轉(zhuǎn)換。這種轉(zhuǎn)換的原理與各位手上具備“太陽(yáng)電能”電子計(jì)算機(jī)的“太陽(yáng)能電池”效應(yīng)相近，光線(xiàn)越強(qiáng)、電力越強(qiáng)；反之，光線(xiàn)越弱、電力也越弱的道理，將光影像轉(zhuǎn)換為電子數(shù)字信號(hào)。　　比較 CCD 和 CMOS 的結(jié)構(gòu)，ADC的位置和數(shù)量是最大的不同。簡(jiǎn)單的說(shuō)，按我們?cè)谏弦恢v“CCD 感光元件的工作原理（上）”中所提之內(nèi)容。CCD每曝光一次，在快門(mén)關(guān)閉后進(jìn)行像素轉(zhuǎn)移處理，將每一行中每一個(gè)像素（pixel）的電荷信號(hào)依序傳入“緩沖器”中，由底端的線(xiàn)路引導(dǎo)輸出至 CCD 旁的放大器進(jìn)行放大，再串聯(lián) ADC 輸出；相對(duì)地，CMOS 的設(shè)計(jì)中每個(gè)像素旁就直接連著 ADC（放大兼類(lèi)比數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換器），訊號(hào)直接放大并轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。兩者優(yōu)缺點(diǎn)的比較 CCD CMOS 設(shè)計(jì) 單一感光器感光器連接放大器靈敏度同樣面積下高感光開(kāi)口小，靈敏度低成本線(xiàn)路品質(zhì)影響程度高，成本高 CMOS整合集成，成本低解析度連接復(fù)雜度低，解析度高低，新技術(shù)高噪點(diǎn)比單一放大，噪點(diǎn)低百萬(wàn)放大，噪點(diǎn)高功耗比需外加電壓，功耗高直接放大，功耗低　　由于構(gòu)造上的基本差異，我們可以表列出兩者在性能上的表現(xiàn)之不同。CCD的特色在于充分保持信號(hào)在傳輸時(shí)不失真（專(zhuān)屬通道設(shè)計(jì)），透過(guò)每一個(gè)像素集合至單一放大器上再做統(tǒng)一處理，可以保持資料的完整性；CMOS的制程較簡(jiǎn)單，沒(méi)有專(zhuān)屬通道的設(shè)計(jì)，因此必須先行放大再整合各個(gè)像素的資料。　　整體來(lái)說(shuō)，CCD 與 CMOS 兩種設(shè)計(jì)的應(yīng)用，反應(yīng)在成像效果上，形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪點(diǎn)與耗電量等，不同類(lèi)型的差異：　　ISO 感光度差異：由于 CMOS 每個(gè)像素包含了放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路，過(guò)多的額外設(shè)備壓縮單一像素的感光區(qū)域的表面積，因此相同像素下，同樣大小之感光器尺寸，CMOS的感光度會(huì)低于CCD。　　成本差異：CMOS 應(yīng)用半導(dǎo)體工業(yè)常用的 MOS制程，可以一次整合全部周邊設(shè)施于單晶片中，節(jié)省加工晶片所需負(fù)擔(dān)的成本和良率的損失；相對(duì)地 CCD 采用電荷傳遞的方式輸出資訊，必須另辟傳輸通道，如果通道中有一個(gè)像素故障（Fail），就會(huì)導(dǎo)致一整排的訊號(hào)壅塞，無(wú)法傳遞，因此CCD的良率比CMOS低，加上另辟傳輸通道和外加 ADC 等周邊，CCD的制造成本相對(duì)高于CMOS。　　解析度差異：在第一點(diǎn)“感光度差異”中，由于 CMOS 每個(gè)像素的結(jié)構(gòu)比 CCD 復(fù)雜，其感光開(kāi)口不及CCD大，相對(duì)比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時(shí)，CCD感光器的解析度通常會(huì)優(yōu)于CMOS。不過(guò)，如果跳脫尺寸限制，目前業(yè)界的CMOS 感光原件已經(jīng)可達(dá)到1400萬(wàn) 像素 / 全片幅的設(shè)計(jì)，CMOS 技術(shù)在量率上的優(yōu)勢(shì)可以克服大尺寸感光原件制造上的困難，特別是全片幅 24mm-by-36mm 這樣的大小。　　噪點(diǎn)差異：由于CMOS每個(gè)感光二極體旁都搭配一個(gè) ADC 放大器，如果以百萬(wàn)像素計(jì)，那么就需要百萬(wàn)個(gè)以上的 ADC 放大器，雖然是統(tǒng)一制造下的產(chǎn)品，但是每個(gè)放大器或多或少都有些微的差異存在，很難達(dá)到放大同步的效果，對(duì)比單一個(gè)放大器的CCD，CMOS最終計(jì)算出的噪點(diǎn)就比較多。　　耗電量差異：CMOS的影像電荷驅(qū)動(dòng)方式為主動(dòng)式，感光二極體所產(chǎn)生的電荷會(huì)直接由旁邊的電晶體做放大輸出；但CCD卻為被動(dòng)式，必須外加電壓讓每個(gè)像素中的電荷移動(dòng)至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特（V）以上的水平，因此 CCD 還必須要有更精密的電源線(xiàn)路設(shè)計(jì)和耐壓強(qiáng)度，高驅(qū)動(dòng)電壓使 CCD 的電量遠(yuǎn)高于CMOS。　　盡管 CCD 在影像品質(zhì)等各方面均優(yōu)于CMOS，但不可否認(rèn)的CMOS具有低成本、低耗電以及高整合度的特性。由于數(shù)碼影像的需求熱烈，CMOS的低成本和穩(wěn)定供貨，成為廠商的最?lèi)?ài)，也因此其制造技術(shù)不斷地改良更新，使得 CCD 與 CMOS 兩者的差異逐漸縮小。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進(jìn)目標(biāo)，以期進(jìn)入照相手機(jī)的行動(dòng)通訊市場(chǎng)；CMOS系列，則開(kāi)始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統(tǒng)合，藉由后續(xù)的影像處理修正噪點(diǎn)以及畫(huà)質(zhì)表現(xiàn)，特別是 Canon 系列的 EOS D30 、EOS 300D 的成功，足見(jiàn)高速影像處理晶片已經(jīng)可以勝任高像素 CMOS 所產(chǎn)生的影像處理時(shí)間與能力的縮短；另外，大尺寸全片幅則以 Kodak DCS Pro14n、DCS Pro/n、DCS Pro/c 這一系列的數(shù)碼機(jī)身為號(hào)召，CMOS未來(lái)跨足高階的影像市場(chǎng)產(chǎn)品，前景可期。

6，cmos和CCD感光

CCD 英文全名 Charge Coupled Device，感光耦合元件 CCD（Charge Coupled Device ，感光耦合元件〉為數(shù)位相機(jī)中可記錄光線(xiàn)變化的半導(dǎo)體，通常以百萬(wàn)像素〈megapixel〉為單位。數(shù)位相機(jī)規(guī)格中的多少百萬(wàn)像素，指的就是CCD的解析度，也代表著這臺(tái)數(shù)位相機(jī)的 CCD 上有多少感光元件。 CCD 主要材質(zhì)為矽晶半導(dǎo)體，基本原理類(lèi)似 CASIO 計(jì)算機(jī)上的太陽(yáng)能電池，透過(guò)光電效應(yīng)，由感光元件表面感應(yīng)來(lái)源光線(xiàn)，從而轉(zhuǎn)換成儲(chǔ)存電荷的能力。簡(jiǎn)單的說(shuō)，當(dāng) CCD 表面接受到快門(mén)開(kāi)啟，鏡頭進(jìn)來(lái)的光線(xiàn)照射時(shí)，即會(huì)將光線(xiàn)的能量轉(zhuǎn)換成電荷，光線(xiàn)越強(qiáng)、電荷也就越多，這些電荷就成為判斷光線(xiàn)強(qiáng)弱大小的依據(jù)。CCD 元件上安排有通道線(xiàn)路，將這些電荷傳輸至放大解碼原件，就能還原所有CCD上感光元件產(chǎn)生的訊號(hào)，並構(gòu)成了一幅完整的畫(huà)面。此一特性，使得 CCD 通用在數(shù)位相機(jī)〈Digital Camera〉與掃瞄器〈Scanner〉上，作為目前最大宗之感光元件來(lái)源。ＣＭＯＳ英文全名 Complementary Metal-Oxide Semiconductor，互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體 CMOS和CCD一樣同為在數(shù)位相機(jī)中可記錄光線(xiàn)變化的半導(dǎo)體，外觀上幾乎無(wú)分軒輊。但，CMOS的製造技術(shù)和CCD 不同，反而比較接近一般電腦晶片。CMOS 的材質(zhì)主要是利用矽和鍺這兩種元素所做成的半導(dǎo)體，使其在CMOS上共存著帶N（帶 – 電）和 P（帶 + 電）級(jí)的半導(dǎo)體，這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處理晶片紀(jì)錄和解讀成影像。然而，CMOS因?yàn)樵诋?huà)素的旁邊就放置了訊號(hào)放大器，導(dǎo)致其缺點(diǎn)容易出現(xiàn)雜點(diǎn) ，特別是處理快速變化的影像時(shí)，由於電流變化過(guò)於頻繁而會(huì)產(chǎn)生過(guò)熱的現(xiàn)象，更使得雜訊難以抑制。

cmos 和 ccd 都是感光元器件總的來(lái)說(shuō)CCD成像要比CMOS 要好~ 但是由于尺寸越大CCD的成本就越高，所以現(xiàn)在很多廠家都改用CMOS 不過(guò)現(xiàn)在cmos和ccd的差距已經(jīng)不是很大了~ 以下內(nèi)容轉(zhuǎn)自太平洋電腦網(wǎng) CCD與CMOS傳感器是當(dāng)前被普遍采用的兩種圖像傳感器，兩者都是利用感光二極管(photodiode)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，將圖像轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，而其主要差異是數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳送的方式不同。　　如下圖所示，CCD傳感器中每一行中每一個(gè)象素的電荷數(shù)據(jù)都會(huì)依次傳送到下一個(gè)象素中，由最底端部分輸出，再經(jīng)由傳感器邊緣的放大器進(jìn)行放大輸出；而在CMOS傳感器中，每個(gè)象素都會(huì)鄰接一個(gè)放大器及A/D轉(zhuǎn)換電路，用類(lèi)似內(nèi)存電路的方式將數(shù)據(jù)輸出。　　造成這種差異的原因在于：CCD的特殊工藝可保證數(shù)據(jù)在傳送時(shí)不會(huì)失真，因此各個(gè)象素的數(shù)據(jù)可匯聚至邊緣再進(jìn)行放大處理；而CMOS工藝的數(shù)據(jù)在傳送距離較長(zhǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生噪聲，因此，必須先放大，再整合各個(gè)象素的數(shù)據(jù)。　　由于數(shù)據(jù)傳送方式不同，因此CCD與CMOS傳感器在效能與應(yīng)用上也有諸多差異，這些差異包括：　　1. 靈敏度差異：由于CMOS傳感器的每個(gè)象素由四個(gè)晶體管與一個(gè)感光二極管構(gòu)成(含放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路)，使得每個(gè)象素的感光區(qū)域遠(yuǎn)小于象素本身的表面積，因此在象素尺寸相同的情況下，CMOS傳感器的靈敏度要低于CCD傳感器。　　2. 成本差異：由于CMOS傳感器采用一般半導(dǎo)體電路最常用的CMOS工藝，可以輕易地將周邊電路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到傳感器芯片中，因此可以節(jié)省外圍芯片的成本；除此之外，由于CCD采用電荷傳遞的方式傳送數(shù)據(jù)，只要其中有一個(gè)象素不能運(yùn)行，就會(huì)導(dǎo)致一整排的數(shù)據(jù)不能傳送，因此控制CCD傳感器的成品率比CMOS傳感器困難許多，即使有經(jīng)驗(yàn)的廠商也很難在產(chǎn)品問(wèn)世的半年內(nèi)突破 50%的水平，因此，CCD傳感器的成本會(huì)高于CMOS傳感器。　　3. 分辨率差異：如上所述，CMOS傳感器的每個(gè)象素都比CCD傳感器復(fù)雜，其象素尺寸很難達(dá)到CCD傳感器的水平，因此，當(dāng)我們比較相同尺寸的CCD與CMOS傳感器時(shí)，CCD傳感器的分辨率通常會(huì)優(yōu)于CMOS傳感器的水平。例如，目前市面上CMOS傳感器最高可達(dá)到210萬(wàn)象素的水平(OmniVision的 OV2610，2002年6月推出)，其尺寸為1/2英寸，象素尺寸為4.25μm，但Sony在2002年12月推出了ICX452，其尺寸與 OV2610相差不多(1/1.8英寸)，但分辨率卻能高達(dá)513萬(wàn)象素，象素尺寸也只有2.78mm的水平。　　4. 噪聲差異：由于CMOS傳感器的每個(gè)感光二極管都需搭配一個(gè)放大器，而放大器屬于模擬電路，很難讓每個(gè)放大器所得到的結(jié)果保持一致，因此與只有一個(gè)放大器放在芯片邊緣的CCD傳感器相比，CMOS傳感器的噪聲就會(huì)增加很多，影響圖像品質(zhì)。　　5. 功耗差異：CMOS傳感器的圖像采集方式為主動(dòng)式，感光二極管所產(chǎn)生的電荷會(huì)直接由晶體管放大輸出，但CCD傳感器為被動(dòng)式采集，需外加電壓讓每個(gè)象素中的電荷移動(dòng)，而此外加電壓通常需要達(dá)到12~18V；因此，CCD傳感器除了在電源管理電路設(shè)計(jì)上的難度更高之外(需外加 power IC)，高驅(qū)動(dòng)電壓更使其功耗遠(yuǎn)高于CMOS傳感器的水平。舉例來(lái)說(shuō)，OmniVision近期推出的OV7640(1/4英寸、VGA)，在 30 fps的速度下運(yùn)行，功耗僅為40mW；而致力于低功耗CCD傳感器的Sanyo公司去年推出了1/7英寸、CIF等級(jí)的產(chǎn)品，其功耗卻仍保持在90mW 以上，雖然該公司近期將推出35mW的新產(chǎn)品，但仍與CMOS傳感器存在差距，且仍處于樣品階段。　　綜上所述，CCD傳感器在靈敏度、分辨率、噪聲控制等方面都優(yōu)于CMOS傳感器，而CMOS傳感器則具有低成本、低功耗、以及高整合度的特點(diǎn)。不過(guò)，隨著CCD與CMOS傳感器技術(shù)的進(jìn)步，兩者的差異有逐漸縮小的態(tài)勢(shì)，例如，CCD傳感器一直在功耗上作改進(jìn)，以應(yīng)用于移動(dòng)通信市場(chǎng)(這方面的代表業(yè)者為Sanyo)；CMOS傳感器則在改善分辨率與靈敏度方面的不足，以應(yīng)用于更高端的圖像產(chǎn)品，我們可以從以下各主要廠商的產(chǎn)品規(guī)劃來(lái)看出一些端倪。

cmos和CCD感光元件,尺寸大小不一，像素也不同，卡片機(jī)和長(zhǎng)焦機(jī)在1/2.5英寸到1/1.6英寸之間，入門(mén)單反約23.6 x 15.8 mm 約為前者9到12倍，全幅單反36.0 x 23.9 mm 約為入門(mén)單反的2.2倍，像素差別也大

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