dibl，mosfet的dibl效應(yīng)
mosfet的dibl效應(yīng)2，漏至勢壘降低效應(yīng)是啥3，舉例量子器件描述量子器件特性主要基于哪些理論相對于量子描述4，半導(dǎo)體器件物理5，凝聚態(tài)物理專業(yè)中的半導(dǎo)體器件與器件物理就業(yè)問題6，終極MACD選股公式求高手修改1，mosfet的dibl效應(yīng)漏極導(dǎo)致勢壘下降(drain-inducedbarrierlowering,DIBL)當(dāng)短溝道MOSFET的漏極電壓由線性區(qū)增至飽和區(qū)時,其閾值電壓下躍將更嚴重此效應(yīng)稱為漏極導(dǎo)致勢壘下降2，漏至勢壘降低效應(yīng)是啥漏致勢壘降低(DIBL)效應(yīng)是超大規(guī)模MOSFET器...
更新時間：2023-09-07標(biāo)簽： diblmosfet的dibl效應(yīng) 全文閱讀