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dibl，mosfet的dibl效應

來源：整理時間：2023-09-07 19:12:57 編輯：智能門戶手機版

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1，mosfet的dibl效應
2，漏至勢壘降低效應是啥
3，舉例量子器件描述量子器件特性主要基于哪些理論相對于量子描述
4，半導體器件物理
5，凝聚態(tài)物理專業(yè)中的半導體器件與器件物理就業(yè)問題
6，終極MACD選股公式求高手修改

1，mosfet的dibl效應

漏極導致勢壘下降(drain-induced barrier lowering,DIBL) 當短溝道MOSFET的漏極電壓由線性區(qū)增至飽和區(qū)時,其閾值電壓下躍將更嚴重此效應稱為漏極導致勢壘下降

mosfet的dibl效應

2，漏至勢壘降低效應是啥

漏致勢壘降低( DIBL)效應是超大規(guī)模MOSFET器件中重要的物理效應, 體現(xiàn)在漏端電壓VD引起閾值電壓的降低，從而成為電路設計中一個重要的物理限制；并且在一定程度上影響源漏電流的大小以及器件的I-V特性

漏至勢壘降低效應是啥

3，舉例量子器件描述量子器件特性主要基于哪些理論相對于量子描述

描述傳統(tǒng)半導體器件的主要理論，是在準經典近似條件下的載流子擴散、漂移運動，基本上是經典運動規(guī)律（只是引入了有效質量）。這里需要避免因尺寸縮小所帶來的量子效應。描述量子器件特性主要是基于微觀粒子的量子效應，例如隧道效應；這里是主觀能動地有意應用量子效應。

1 源漏電荷的共享2 漏致勢壘降低效應也就是dibl。用來說明v（ds）增加引起的vt下降的現(xiàn)象當漏結加較大電壓時，漏結電場向源區(qū)擴展，使源pn結的勢壘降低，從源注入溝道的電子增加，導致漏電流增加，該過程稱為dibl效應。3還有一個是次表面穿通這個老師沒講呵呵

舉例量子器件描述量子器件特性主要基于哪些理論相對于量子描述

4，半導體器件物理

1 源漏電荷的共享2 漏致勢壘降低效應也就是DIBL。用來說明V（DS）增加引起的VT下降的現(xiàn)象當漏結加較大電壓時，漏結電場向源區(qū)擴展，使源PN結的勢壘降低，從源注入溝道的電子增加，導致漏電流增加，該過程稱為DIBL效應。3還有一個是次表面穿通這個老師沒講呵呵

半導體物理是基礎，學好了對理解器件原理有很大幫助。其實器件的學習最重要的是掌握幾個重點圖的理解，比如npn的電流輸運圖，把課本上的物理過程理解之后，拋開文字根據(jù)圖按照自的理解又重新的過一遍，反復幾次就能將器件原理真正記于心中，并能明白其中的考點。其他圖也是如此，其實備戰(zhàn)考研的時候也不過是這個過程。

當尺寸縮小時，引起閾值電壓下降的主要原因是“短溝道效應”——電荷電荷共享所致。其他引起閾值電壓下降的因素就是溫度的升高，但這不管尺寸是否較短，都是有影響的。至于窄溝道效應，將要引起閾值電壓增大（邊緣電場所致），而不是降低。DIBL效應是導致輸出伏安特性不飽和的一個原因，但一般并不影響閾值電壓。

5，凝聚態(tài)物理專業(yè)中的半導體器件與器件物理就業(yè)問題

可以投身到廣大的半導體事業(yè)當中，做IC、顯示屏都可以啊，我本人學應用物理，目前就再顯示屏企業(yè)工作，這個行業(yè)薪資一般，工作也不是很累，你這個專業(yè)可以到這個行業(yè)就業(yè)，放心，工作非常好找，制造行業(yè)人口流動比較大，只要你學校硬一點，還是應屆生，基本都沒有要求的。不過這些企業(yè)大多分布在南方沿海，上海、深圳、蘇州、昆山，例如京東方、天馬微電子、龍騰等等，IC企業(yè)那就更多了，不過要求會嚴點。個人經歷，供你參考。

到高中或者差點的高校當老師還是可以的，到本科類的學校估計夠嗆。專業(yè) 固體物理，物態(tài)方程，看你專業(yè)方向可以自己選，對就業(yè)沒啥作用。我同學畢業(yè)的好多都去了高專，三本院校的，還有些做半導體的公司，比如京東方，太陽能的晶能之類的公司可以去

6，終極MACD選股公式求高手修改

我沒用過“海王星”軟件，但此公式通達信通過，我是按通達信給你做的；底背離選股 (條件選股公式) 如下：（默認參數(shù)改為 12 26 9）-------------SHORT:=12;LONG:=26;MID:=9; DIFF:=EMA(CLOSE,SHORT)-EMA(CLOSE,LONG);DEA:=EMA(DIFF,MID);A1:=BARSLAST(REF(CROSS(0,DEA),1));B1:=BARSLAST(REF(COUNT(DEA<=0,A1+1)=A1+1 AND REF(DEA=LLV(DEA,A1+1),1) AND CROSS(DIFF,DEA),1));DIBL1:=DIFF>=REF(DIFF,B1+1) AND CLOSE<=REF(CLOSE,B1+1) AND CROSS(DIFF,DEA) AND COUNT(B1>=1,B1+1)>=1 AND COUNT(DEA<=0,B1+1)=B1+1;底背離:CROSS(DIBL1,DEA);{通達信，測試通過! 不知“海王星”軟件怎樣}

ma30 := ma(close,30);dif := ema(close,short) - ema(close,long);dea := ema(dif,mid);s := dif-dea;close>ma30 and dif>0.1 and dea>0.1 and (s<0.05 and s>-0.05) and vol>1;------------------------注：short,long,mid按你需要設，就是macd的參數(shù)，一般是12，26，9。不過不明白為啥要dif等于dea？股價大于30日均線，表明處于短期強勢，dif等于dea用來捕捉金叉后的第一次回調？望解惑。另，如果dif和dea嚴格相等有困難，還可以給定一個范圍。＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝明白你的意思了，重新補充了一下。vol>1用于過濾那些停牌的股票。直接貼到公式管理器的條件選股里就可以用的?！暗沁x股時條件設置時輸出1是應該大于還是等于多少呢？”，通達信里沒有這么個設置吧，你看看軟件自帶的選股公式就能明白了。

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dibl，mosfet的dibl效應

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1，mosfet的dibl效應

2，漏至勢壘降低效應是啥

3，舉例量子器件描述量子器件特性主要基于哪些理論相對于量子描述

4，半導體器件物理

5，凝聚態(tài)物理專業(yè)中的半導體器件與器件物理就業(yè)問題

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