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dibl，mosfet的dibl效應(yīng)

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-09-07 19:12:57 編輯：智能門(mén)戶手機(jī)版

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1，mosfet的dibl效應(yīng)
2，漏至勢(shì)壘降低效應(yīng)是啥
3，舉例量子器件描述量子器件特性主要基于哪些理論相對(duì)于量子描述
4，半導(dǎo)體器件物理
5，凝聚態(tài)物理專業(yè)中的半導(dǎo)體器件與器件物理就業(yè)問(wèn)題
6，終極MACD選股公式求高手修改

1，mosfet的dibl效應(yīng)

漏極導(dǎo)致勢(shì)壘下降(drain-induced barrier lowering,DIBL) 當(dāng)短溝道MOSFET的漏極電壓由線性區(qū)增至飽和區(qū)時(shí),其閾值電壓下躍將更嚴(yán)重此效應(yīng)稱為漏極導(dǎo)致勢(shì)壘下降

mosfet的dibl效應(yīng)

2，漏至勢(shì)壘降低效應(yīng)是啥

漏致勢(shì)壘降低( DIBL)效應(yīng)是超大規(guī)模MOSFET器件中重要的物理效應(yīng), 體現(xiàn)在漏端電壓VD引起閾值電壓的降低，從而成為電路設(shè)計(jì)中一個(gè)重要的物理限制；并且在一定程度上影響源漏電流的大小以及器件的I-V特性

漏至勢(shì)壘降低效應(yīng)是啥

3，舉例量子器件描述量子器件特性主要基于哪些理論相對(duì)于量子描述

描述傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的主要理論，是在準(zhǔn)經(jīng)典近似條件下的載流子擴(kuò)散、漂移運(yùn)動(dòng)，基本上是經(jīng)典運(yùn)動(dòng)規(guī)律（只是引入了有效質(zhì)量）。這里需要避免因尺寸縮小所帶來(lái)的量子效應(yīng)。描述量子器件特性主要是基于微觀粒子的量子效應(yīng)，例如隧道效應(yīng)；這里是主觀能動(dòng)地有意應(yīng)用量子效應(yīng)。

1 源漏電荷的共享2 漏致勢(shì)壘降低效應(yīng)也就是dibl。用來(lái)說(shuō)明v（ds）增加引起的vt下降的現(xiàn)象當(dāng)漏結(jié)加較大電壓時(shí)，漏結(jié)電場(chǎng)向源區(qū)擴(kuò)展，使源pn結(jié)的勢(shì)壘降低，從源注入溝道的電子增加，導(dǎo)致漏電流增加，該過(guò)程稱為dibl效應(yīng)。3還有一個(gè)是次表面穿通這個(gè)老師沒(méi)講呵呵

舉例量子器件描述量子器件特性主要基于哪些理論相對(duì)于量子描述

4，半導(dǎo)體器件物理

1 源漏電荷的共享2 漏致勢(shì)壘降低效應(yīng)也就是DIBL。用來(lái)說(shuō)明V（DS）增加引起的VT下降的現(xiàn)象當(dāng)漏結(jié)加較大電壓時(shí)，漏結(jié)電場(chǎng)向源區(qū)擴(kuò)展，使源PN結(jié)的勢(shì)壘降低，從源注入溝道的電子增加，導(dǎo)致漏電流增加，該過(guò)程稱為DIBL效應(yīng)。3還有一個(gè)是次表面穿通這個(gè)老師沒(méi)講呵呵

半導(dǎo)體物理是基礎(chǔ)，學(xué)好了對(duì)理解器件原理有很大幫助。其實(shí)器件的學(xué)習(xí)最重要的是掌握幾個(gè)重點(diǎn)圖的理解，比如npn的電流輸運(yùn)圖，把課本上的物理過(guò)程理解之后，拋開(kāi)文字根據(jù)圖按照自的理解又重新的過(guò)一遍，反復(fù)幾次就能將器件原理真正記于心中，并能明白其中的考點(diǎn)。其他圖也是如此，其實(shí)備戰(zhàn)考研的時(shí)候也不過(guò)是這個(gè)過(guò)程。

當(dāng)尺寸縮小時(shí)，引起閾值電壓下降的主要原因是“短溝道效應(yīng)”——電荷電荷共享所致。其他引起閾值電壓下降的因素就是溫度的升高，但這不管尺寸是否較短，都是有影響的。至于窄溝道效應(yīng)，將要引起閾值電壓增大（邊緣電場(chǎng)所致），而不是降低。DIBL效應(yīng)是導(dǎo)致輸出伏安特性不飽和的一個(gè)原因，但一般并不影響閾值電壓。

5，凝聚態(tài)物理專業(yè)中的半導(dǎo)體器件與器件物理就業(yè)問(wèn)題

可以投身到廣大的半導(dǎo)體事業(yè)當(dāng)中，做IC、顯示屏都可以啊，我本人學(xué)應(yīng)用物理，目前就再顯示屏企業(yè)工作，這個(gè)行業(yè)薪資一般，工作也不是很累，你這個(gè)專業(yè)可以到這個(gè)行業(yè)就業(yè)，放心，工作非常好找，制造行業(yè)人口流動(dòng)比較大，只要你學(xué)校硬一點(diǎn)，還是應(yīng)屆生，基本都沒(méi)有要求的。不過(guò)這些企業(yè)大多分布在南方沿海，上海、深圳、蘇州、昆山，例如京東方、天馬微電子、龍騰等等，IC企業(yè)那就更多了，不過(guò)要求會(huì)嚴(yán)點(diǎn)。個(gè)人經(jīng)歷，供你參考。

到高中或者差點(diǎn)的高校當(dāng)老師還是可以的，到本科類的學(xué)校估計(jì)夠嗆。專業(yè) 固體物理，物態(tài)方程，看你專業(yè)方向可以自己選，對(duì)就業(yè)沒(méi)啥作用。我同學(xué)畢業(yè)的好多都去了高專，三本院校的，還有些做半導(dǎo)體的公司，比如京東方，太陽(yáng)能的晶能之類的公司可以去

6，終極MACD選股公式求高手修改

我沒(méi)用過(guò)“海王星”軟件，但此公式通達(dá)信通過(guò)，我是按通達(dá)信給你做的；底背離選股 (條件選股公式) 如下：（默認(rèn)參數(shù)改為 12 26 9）-------------SHORT:=12;LONG:=26;MID:=9; DIFF:=EMA(CLOSE,SHORT)-EMA(CLOSE,LONG);DEA:=EMA(DIFF,MID);A1:=BARSLAST(REF(CROSS(0,DEA),1));B1:=BARSLAST(REF(COUNT(DEA<=0,A1+1)=A1+1 AND REF(DEA=LLV(DEA,A1+1),1) AND CROSS(DIFF,DEA),1));DIBL1:=DIFF>=REF(DIFF,B1+1) AND CLOSE<=REF(CLOSE,B1+1) AND CROSS(DIFF,DEA) AND COUNT(B1>=1,B1+1)>=1 AND COUNT(DEA<=0,B1+1)=B1+1;底背離:CROSS(DIBL1,DEA);{通達(dá)信，測(cè)試通過(guò)! 不知“海王星”軟件怎樣}

ma30 := ma(close,30);dif := ema(close,short) - ema(close,long);dea := ema(dif,mid);s := dif-dea;close>ma30 and dif>0.1 and dea>0.1 and (s<0.05 and s>-0.05) and vol>1;------------------------注：short,long,mid按你需要設(shè)，就是macd的參數(shù)，一般是12，26，9。不過(guò)不明白為啥要dif等于dea？股價(jià)大于30日均線，表明處于短期強(qiáng)勢(shì)，dif等于dea用來(lái)捕捉金叉后的第一次回調(diào)？望解惑。另，如果dif和dea嚴(yán)格相等有困難，還可以給定一個(gè)范圍。＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝明白你的意思了，重新補(bǔ)充了一下。vol>1用于過(guò)濾那些停牌的股票。直接貼到公式管理器的條件選股里就可以用的。“但是選股時(shí)條件設(shè)置時(shí)輸出1是應(yīng)該大于還是等于多少呢？”，通達(dá)信里沒(méi)有這么個(gè)設(shè)置吧，你看看軟件自帶的選股公式就能明白了。