mosfet的dibl效應2,漏至勢壘降低效應是啥3,舉例量子器件描述量子器件特性主要基于哪些理論相對于量子描述4,半導體器件物理5,凝聚態(tài)物理專業(yè)中的半導體器件與器件物理就業(yè)問題6,終極MACD選股公式求高手修改1,mosfet的dibl效應漏極導致勢壘下降(drain-inducedbarrierlowering,DIBL)當短溝道MOSFET的漏極電壓由線性區(qū)增至飽和區(qū)時,其閾值電壓下躍將更嚴重此效應稱為漏極導致勢壘下降2,漏至勢壘降低效應是啥漏致勢壘降低(DIBL)效應是超大規(guī)模MOSFET器...
更新時間:2023-09-07標簽: diblmosfet的dibl效應 全文閱讀