化學(xué)氣相沉積法，化學(xué)氣相沉積法在鋼鐵表面涂覆碳化鈦的反應(yīng)如下TiCL4s2H2g

來源：整理時(shí)間：2023-08-16 23:24:54 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，化學(xué)氣相沉積法在鋼鐵表面涂覆碳化鈦的反應(yīng)如下TiCL4s2H2g
2，氣相沉積化學(xué)反應(yīng)
3，解釋一下化學(xué)氣相沉積法制備納米材料
4，化學(xué)氣相沉積的介紹
5，CVD法和HTHP法合成鉆石的區(qū)別是什么

1，化學(xué)氣相沉積法在鋼鐵表面涂覆碳化鈦的反應(yīng)如下TiCL4s2H2g

該反應(yīng)焓為負(fù)值，為放熱反應(yīng)。從熱力學(xué)角度，溫度升高，平衡逆向移動(dòng)，不利于反應(yīng)進(jìn)行；溫度降低，有利于平衡正向移動(dòng)。

化學(xué)氣相沉積法在鋼鐵表面涂覆碳化鈦的反應(yīng)如下TiCL4s2H2g

2，氣相沉積化學(xué)反應(yīng)

cvd1.分解：硅烷分解成硅和氫氣硅沉積2.還原：四氯化硅和氫氣成硅和氯化氫3.氧化：硅烷加氧氣成二氧化硅沉積和氫氣4.等等。。。

氣相沉積化學(xué)反應(yīng)

3，解釋一下化學(xué)氣相沉積法制備納米材料

化學(xué)氣相沉積可以分為有基底沉積和無基底沉積。有基底沉積又分為催化沉積和無催化沉積；催化沉積往往用于區(qū)域選擇性沉積或特定形貌納米材料的沉積；無催化沉積常用于制作各種膜材料；無基底沉積往往利用氣相分解，可以得到各種納米粉體，使用相對(duì)較少。

解釋一下化學(xué)氣相沉積法制備納米材料

4，化學(xué)氣相沉積的介紹

化學(xué)氣相沉積是一種制備材料的氣相生長(zhǎng)方法，它是把一種或幾種含有構(gòu)成薄膜元素的化合物、單質(zhì)氣體通入放置有基材的反應(yīng)室，借助空間氣相化學(xué)反應(yīng)在基體表面上沉積固態(tài)薄膜的工藝技術(shù)。

現(xiàn)代科學(xué)和技術(shù)需要使用大量功能各異的無機(jī)新材料，這些功能材料必須是高純的，或者是在高純材料中有意地?fù)饺肽撤N雜質(zhì)形成的摻雜材料。但是，我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結(jié)晶等往往難以滿足這些要求，也難以保證得到高純度的產(chǎn)品。因此，無機(jī)新材料的合成就成為現(xiàn)代材料科學(xué)中的主要課題。化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機(jī)材料的新技術(shù)。化學(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。目前，化學(xué)氣相淀積已成為無機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。

5，CVD法和HTHP法合成鉆石的區(qū)別是什么

高溫高壓（HTHP）法最早是以石墨為原料的，引入適宜的金屬催化劑Fe、Co、Ni、Mn、Cr等，在2000K以上溫度，幾萬(wàn)個(gè)大氣壓下可以合成金剛石。目前，高溫高壓（HTHP）法只能生長(zhǎng)小顆粒的金剛石；在合成大顆粒金剛石單晶方面主要使用晶種法，在較高壓力和較高溫度下（6000MPa，1800K），幾天時(shí)間內(nèi)使晶種長(zhǎng)成粒度為幾個(gè)毫米，重達(dá)幾個(gè)克拉的寶石級(jí)人造金剛石，較長(zhǎng)時(shí)間的高溫高壓使得生產(chǎn)成本昂貴，設(shè)備要求苛刻。而且HTHP金剛石由于使用了金屬催化劑，使得金剛石中殘留有微量的金屬粒子，因此要想完全取代天然金剛石還有相當(dāng)?shù)木嚯x[9]。 1.3.2化學(xué)氣相沉積(CVD) [10]法化學(xué)氣相沉積（CVD）法是在高溫條件下使原料分解，生成碳原子或甲基原子團(tuán)等活性粒子，并在一定工藝條件下，在基材（襯底）材料上沉積生長(zhǎng)金剛石膜的方法。常見的CVD方法包括：熱化學(xué)沉積（TCVD）法，等離子體化學(xué)氣相沉積（PCVD）法。等離子體化學(xué)氣相沉積法又可以分為直流等離子體化學(xué)氣相沉積（DC-PCVD）法、射頻等離子體化學(xué)氣相沉積（RF-PCVD）法和微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）法及微波電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（ECR-PCVD）法等。微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）由于微波激發(fā)等離子體具有無極放電、污染少、等離子體密度高、成本低、襯底外形適應(yīng)性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，受到國(guó)內(nèi)外研究者的普邊關(guān)注。而且其中等離子體是由微波激發(fā)產(chǎn)生，微波能通過波導(dǎo)管傳輸?shù)匠练e生長(zhǎng)室，使氣體激發(fā)成為等離子體并分解為各種基團(tuán)。圓筒狀微波等離子體CVD是最基本的一種裝置，通過矩形波導(dǎo)管把2.45GHz的微波限制在發(fā)生器和生長(zhǎng)室之間，襯底經(jīng)微波輻射和等離子體加熱。