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slc顆粒，SLCMLCTLC閃存芯片顆粒有什么區(qū)別

來源：整理 時間：2023-08-23 18:53:50 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，SLCMLCTLC閃存芯片顆粒有什么區(qū)別

在U盤、SSD等固態(tài)存儲產(chǎn)品中，閃存芯片顆粒是核心，其關(guān)乎產(chǎn)品成本、壽命以及速度。閃存芯片顆粒主要有三種類型，分別為SLC、MLC、TLC，三者之間的區(qū)別，如下。 slc、mlc、tlc閃存芯片顆粒區(qū)別介紹 SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命； MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命 TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命。

SLCMLCTLC閃存芯片顆粒有什么區(qū)別

2，SLCMLCTLC閃存芯片顆粒有什么區(qū)別

SLC、MLC、TLC閃存芯片顆粒有什么區(qū)別? SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格貴(約MLC 3倍以上的價格)，約10萬次擦寫壽命; MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命 TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命。 MLC和TLC特性比較 結(jié)論：SLC > MLC > TLC 目前大多數(shù)U盤都是采用TCL芯片顆粒，其優(yōu)點是價格便宜，不過速度一般，壽命相對較短。 而SSD固態(tài)硬盤中，目前MLC顆粒固態(tài)硬盤是主流，其價格適中，速度與壽命相對較好，而低價SSD固態(tài)硬盤普遍采用的是TCL芯片顆粒，大家在購買固態(tài)硬盤的時候，可以在產(chǎn)品參數(shù)中去了解，如下圖所示。 SLC顆粒固態(tài)目前主要在一些高端固態(tài)硬盤中出現(xiàn)，售價多數(shù)上千元，甚至更貴。

SLCMLCTLC閃存芯片顆粒有什么區(qū)別

3，U盤MP3這些產(chǎn)品用的內(nèi)存芯片分MLC和SLC的它們都有什么區(qū)別

3V 生產(chǎn)工藝 /，能夠讓單個存儲單元保存兩倍的數(shù)據(jù)量.5Mbyte/sec）的寫入速度，SLC 顆粒制成的產(chǎn)品可以達(dá)到 22X（3.2Mbyte/1;S+ 1.8V 3; 芯片尺寸 0.12um 0.16um 頁容量 /sec）的寫入速度，但是MLC NAND顆粒制成的CompactFlash卡相較于SLC（Single-Lecel_Cell） 內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品有著寫入速度慢、耗電多、壽命短的缺點; 塊容量 2KB/128KB 512KB/32KB or 2KB/256KB 訪問時間（最大） 25us 70us 頁編程時間（典 型） 250us 1.2ms 可否局部編程 Yes No 擦寫次數(shù) 100K 10K 數(shù)據(jù)寫入速率 8MB/。MLC內(nèi)存顆粒是個相當(dāng)良好的低價解決方案，可大幅節(jié)省制造商端的成本。Intel 在1997年9月最先開發(fā)成功，能夠讓單個存儲單元保存兩倍的數(shù)據(jù)量； SLC 與 MLC 的參數(shù)對比： Item SLC MLC 電壓 3.3V/，MLC顆粒制成的產(chǎn)品只有10X（1MLC（Multi-Level-Cell）技術(shù)，由英特爾于1997年率先推出.5MB/

U盤MP3這些產(chǎn)品用的內(nèi)存芯片分MLC和SLC的它們都有什么區(qū)別

4，固態(tài)mlc和slc閃存硬盤有何區(qū)別

MLC（Multi-Level-Cell）技術(shù)，由英特爾于1997年率先推出，能夠讓單個存儲單元保存兩倍的數(shù)據(jù)量。MLC內(nèi)存顆粒是個相當(dāng)良好的低價解決方案，可大幅節(jié)省制造商端的成本，但是MLC NAND顆粒制成的CompactFlash卡相較于SLC（Single-Lecel_Cell） 內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品有著寫入速度慢、耗電多、壽命短的缺點，MLC顆粒制成的產(chǎn)品只有10X（1.5Mbyte/sec）的寫入速度，SLC 顆粒制成的產(chǎn)品可以達(dá)到 22X（3.2Mbyte/sec）的寫入速度。Intel 在1997年9月最先開發(fā)成功，能夠讓單個存儲單元保存兩倍的數(shù)據(jù)量； 　　SLC 與 MLC 的參數(shù)對比： Item SLC MLC 電壓 3.3V/1.8V 3.3V 生產(chǎn)工藝 / 芯片尺寸 0.12um 0.16um 頁容量 / 塊容量 2KB/128KB 512KB/32KB or 2KB/256KB 訪問時間（最大） 25us 70us 頁編程時間（典 型） 250us 1.2ms 可否局部編程 Yes No 擦寫次數(shù) 100K 10K 數(shù)據(jù)寫入速率 8MB/S+ 1.5MB/S

5，ssd固態(tài)硬盤顆粒等級

ssd固態(tài)硬盤顆粒主要分為 :SLC、MLC、TLC三類顆粒！SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命。簡單地說SLC的性能最優(yōu)，價格超高。一般用作企業(yè)級或高端發(fā)燒友。MLC性能夠用，價格適中為消費級SSD應(yīng)用主流，TLC綜合性能最低，價格最便宜。但可以通過高性能主控、主控算法來彌補(bǔ)、提高TLC閃存的性能。
intel的顆粒么。。我記得intel 330用的是me2，是5000pe；ocz v4用的 me3是3000pe。。。目測me2>me3。。不過也不用太糾結(jié)這個，鎂光m4用的是自家的質(zhì)量最好的顆粒不也就3000pe（雖然就實測而言通常不止這個數(shù)值）。。還有同步顆?？隙ū犬惒筋w粒好吧。。所謂異步不就是無法通過同步測試但也合格的“次品”么。。不過我記得intel家的顆粒me2和me3都是同步顆粒來著。。嘛，我也是一直在網(wǎng)上看的，雖然我是學(xué)計算機(jī)的但是還沒學(xué)到講閃存的課。。

6，NAND SLC SSD是什么

NAND是目前閃存顆粒用的技術(shù)，SSD里面的存儲顆粒就是一顆顆NAND Flash（閃存）SLC表示一種閃存顆粒的類型，區(qū)別是最小存儲單元可以存儲的數(shù)據(jù)位數(shù)量。如果最小存儲單元只區(qū)分2個電位（高低電位），等于只能存儲0或1，即1位（1bit）數(shù)據(jù)。這種類型的NAND閃存就叫做SLC。以此類推，還有MLC：最小存儲單元區(qū)分4個電位，即00，01，10，11。TLC：區(qū)分8個電位。同樣一個最小的存儲單元，區(qū)分的電位越多，存儲密度越大。假設(shè)一顆SLC NAND是1GB的話，做成MLC就是2GB，TLC就是3GB。所以SLC會比后面的貴得多，容量也不容易做大。但SLC好處是：區(qū)分的電位越多，每個電位間區(qū)別越小，讀寫速度越慢（難以識別和寫入），壽命也越短（損耗一點點就錯位了）。所以SLC比MLC、TLC速度快，可擦寫次數(shù)更多。目前的情況是，SLC一般用于企業(yè)級SSD，以及Intel智能響應(yīng)技術(shù)的加速盤。MLC一般用于桌面級SSD。TLC的SSD因為技術(shù)和可靠性的原因幾乎還沒有。但TLC則已經(jīng)幾乎統(tǒng)治了U盤和存儲卡市場（因為價格戰(zhàn)太厲害，利潤太低，沒人愿意上好的NAND）。所以除非是高速的存儲卡，U盤和存儲卡存數(shù)據(jù)是很不可靠的哦。
mlc的理論可寫入次數(shù)僅為1萬次左右，slc的可達(dá)到10萬次左右。意思就是你可以用那種芯片的u盤復(fù)制、粘貼、刪除數(shù)據(jù)等次數(shù)1萬或10萬次，也就是他們的理論壽命。各有各的優(yōu)點缺點。
日立企業(yè)級SSD（固態(tài)硬盤）。想想就可以了意淫下吧！任何一款企業(yè)級SSD的價格都是足以讓我等仰望的！
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