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半導,什么叫半導體材料為什么叫半導體

來源:整理 時間:2025-01-14 09:35:54 編輯:智能門戶 手機版

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1,什么叫半導體材料為什么叫半導體

阻值介于導體和絕緣體之間的東西,做常見的是圭

什么叫半導體材料為什么叫半導體

2,什么是半導體半導體都有哪些材料

半導體在電子技術上來說是一種隨著溫度的不同而其電阻值不同的一種電介質現(xiàn)在的半導體運用得很廣.P/N都是一種半導體,在二極管中由它們組成,形成PN結,在加電的作用下形成反向偏置.在二極管中P就是空穴型半導體N就是電子型半導體.P/N多是單一元素組成比如硅/鍺.就是一種半導體,二極管多用.我建義你買一本關于二極管三極管的書看一下就什么就明白了.里面說明很清楚.如果覺得我這回答可以得多加點分哦.
半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。 鍺和硅是最常用的元素半導體;化合物半導體包括ⅲ-ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、ⅱ-ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物組成的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷等)。除上述晶態(tài)半導體外,還有非晶態(tài)的玻璃半導體、有機半導體等。

什么是半導體半導體都有哪些材料

3,半導體都包括哪些什么都屬于半導體的范疇

半導體:常溫下導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。主要材料:元素半導體:鍺和硅是最常用的元素半導體;化合物半導體:包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷等)。技術科研領域:(1)集成電路  它是半導體技術發(fā)展中最活躍的一個領域,已發(fā)展到大規(guī)模集成的階段。在幾平方毫米的硅片上能制作幾萬只晶體管,可在一片硅片上制成一臺微信息處理器,或完成其它較復雜的電路功能。集成電路的發(fā)展方向是實現(xiàn)更高的集成度和微功耗,并使信息處理速度達到微微秒級。(2)微波器件  半導體微波器件包括接收、控制和發(fā)射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段,發(fā)射器件的功率已達到數(shù)瓦,人們正在通過研制新器件、發(fā)展新技術來獲得更大的輸出功率。(3)光電子器件  半導體發(fā)光、攝象器件和激光器件的發(fā)展使光電子器件成為一個重要的領域。它們的應用范圍主要是:光通信、數(shù)碼顯示、圖象接收、光集成等。

半導體都包括哪些什么都屬于半導體的范疇

4,什么是半導體說清楚點

半導體三個字基本完全失去字面的意義,即半導體并非是介于導體與絕緣體之間的簡單意義了,因為:1、導體、半導體、絕緣體三者無清晰的界限;2、半導體應用意義早已使其字面意義失去“光澤”材料。所以半導體不是導體、絕緣體之間的材料,而是人工人為產生的一種具有單向導電等一些特殊的材料。比如在硅、鍺內摻雜少量的其它元素,在電動勢作用下就會使內部空穴的朝向產生一致,這種一致就使電子類似客流,只能朝一個方向流動,所以PN結,即半導體的意義被單向導電的意義取替。
【n型半導體】“n”表示負電的意思,在這類半導體中,參與導電的主要是帶負電的電子,這些電子來自半導體中的“施主”雜質。所謂施主雜質就是摻入雜質能夠提供導電電子而改變半導體的導電性能。例如,半導體鍺和硅中的五價元素砷、銻、磷等原子都是施主雜質。如果在某一半導體的雜質總量中,施主雜質的數(shù)量占多數(shù),則這種半導體就是n型半導體。如果在硅單晶中摻入五價元素砷、磷。則在硅原子和砷、磷原子組成共價鍵之后,磷外層的五個電子中,四個電子組成共價鍵,多出的一個電子受原子核束縛很小,因此很容易成為自由電子。所以這種半導體中,電子載流子的數(shù)目很多,主要kao電子導電,叫做電子半導體,簡稱n型半導體。 【p型半導體】“p”表示正電的意思。在這種半導體中,參與導電的主要是帶正電的空穴,這些空穴來自于半導體中的“受主”雜質。所謂受主雜質就是摻入雜質能夠接受半導體中的價電子,產生同數(shù)量的空穴,從而改變了半導體的導電性能。例如,半導體鍺和硅中的三價元素硼、銦、鎵等原子都是受主。如果某一半導體的雜質總量中,受主雜質的數(shù)量占多數(shù),則這半導體是p型半導體。如果在單晶硅上摻入三價硼原子,則硼原子與硅原子組成共價鍵。由于硼原子數(shù)目比硅原子要少很多,因此整個晶體結構基本不變,只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。硼是三價元素,外層只有三個價電子,所以當它與硅原子組成共價鍵時,就自然形成了一個空穴。這樣,摻入的硼雜質的每一個原子都可能提供一個空穴,從而使硅單晶中空穴載流子的數(shù)目大大增加。這種半導體內幾乎沒有自由電子,主要kao空穴導電,所以叫做空穴半導體,簡稱p型半導體。 【p-n結】在一塊半導體中,摻入施主雜質,使其中一部分成為n型半導體。其余部分摻入受主雜質而成為p型半導體,當p型半導體和n型半導體這兩個區(qū)域共處一體時,這兩個區(qū)域之間的交界層就是p-n結。p-n結很薄,結中電子和和空穴都很少,但在kao近n型一邊有帶正電荷的離子,kao近p型一邊有帶負電荷的離子。這是因為,在p型區(qū)中空穴的濃度大,在n型區(qū)中電子的濃度大,所以把它們結合在一起時,在它們交界的地方便要發(fā)生電子和空穴的擴散運動。由于p區(qū)有大量可以移動的空穴,n區(qū)幾乎沒有空穴,空穴就要由p區(qū)向n區(qū)擴散。同樣n區(qū)有大量的自由電子,p區(qū)幾乎沒有電子,所以電子就要由n區(qū)向p區(qū)擴散。隨著擴散的進行,p區(qū)空穴減少,出現(xiàn)了一層帶負電的粒子區(qū);n區(qū)電子減少,出現(xiàn)了一層帶正電的粒子區(qū)。結果在p-n結的邊界附近形成了一個空間電荷區(qū),p型區(qū)一邊帶負電荷的離子,n型區(qū)一邊帶正電荷的離子,因而在結中形成了很強的局部電場,方向由n區(qū)指向p區(qū)。當結上加正向電壓(即p區(qū)加電源正極,n區(qū)加電源負極)時,這電場減弱,n區(qū)中的電子和p區(qū)中的空穴都容易通過,因而電流較大;當外加電壓相反時,則這電場增強,只有原n區(qū)中的少數(shù)空穴和p區(qū)中的少數(shù)電子能夠通過,因而電流很小。因此p-n結具有整流作用。當具有p-n結的半導體受到光照時,其中電子和空穴的數(shù)目增多,在結的局部電場作用下,p區(qū)的電子移到n區(qū),n區(qū)的空穴移到p區(qū),這樣在結的兩端就有電荷積累,形成電勢差。這現(xiàn)象稱為p-n結的光生伏特效應。由于這些特性,用p-n結可制成半導體二極管和光電池等器件。如果在p-n結上加以反向電壓(n區(qū)加在電源正極,p區(qū)加在電源負極),電壓在一定范圍內,p-n結幾乎不通過電流,但當加在p-n結上的反向電壓越過某一數(shù)值時,發(fā)生電流突然增大的現(xiàn)象。這時p-n結被擊穿。p-n結被擊穿后便失去其單向導電的性能,但結并不一定損壞,此時將反向電壓降低,它的性能還可以恢復。根據其內在的物理過程,p-n結擊穿可分為雪崩擊穿和隧道擊穿兩種。
介于導體與絕緣體之間
指擁有傳導能力,但傳導能力并不強的物體
半導體是一種具有專向導電性的材料
http://baike.baidu.com/view/19928.htm

5,半導體材料有哪些 解析半導體材料的種類和應用

半導體是指一種導電性可受控制,范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發(fā)展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。很多人一直有疑問,半導體材料有哪些? 半導體材料有哪些實際運用?今天小編精心搜集整理了相關資料,來專門解答大家關于半導體材料的疑問,下面一起來看一下吧!  一、半導體材料有哪些?  常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素制成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等,以硅、鍺應用最廣?;衔锇雽w分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族(如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等)、Ⅱ-Ⅵ族(如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等)、Ⅳ-Ⅵ族(如硫化鉛、硒化鉛等)、Ⅳ-Ⅳ族(如碳化硅)化合物。三元系和多元系化合物半導體主要為三元和多元固溶體,如鎵鋁砷固溶體、鎵鍺砷磷固溶體等。有機化合物半導體有萘、蒽、聚丙烯腈等,還處于研究階段?! 〈送猓€有非晶態(tài)和液態(tài)半導體材料,這類半導體與晶態(tài)半導體的最大區(qū)別是不具有嚴格周期性排列的晶體結構。制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態(tài)要求,包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態(tài)要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。  二、半導體材料主要種類  半導體材料可按化學組成來分,再將結構與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態(tài)與液態(tài)半導體?! ?、元素半導體:在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布著11種具有半導性半導體材料的元素,下表的黑框中即這11種元素半導體,其中C表示金剛石。C、P、Se具有絕緣體與半導體兩種形態(tài);B、Si、Ge、Te具有半導性;Sn、As、Sb具有半導體與金屬兩種形態(tài)。  2、無機化合物半導體:分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括:①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有閃鋅礦的結構?! ?、有機化合物半導體:已知的有機半導體有幾十種,熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等,它們作為半導體尚未得到應用?! ?、非晶態(tài)與液態(tài)半導體:這類半導體與晶態(tài)半導體的最大區(qū)別是不具有嚴格周期性排列的晶體結構?! ∪雽w材料實際運用  制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態(tài)要求,包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態(tài)要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長?! “雽w材料所有的半導體材料都需要對原料進行提純,要求的純度在6個“9”以上,最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類,一類是不改變材料的化學組成進行提純,稱為物理提純;另一類是把元素先變成化合物進行提純,再將提純后的化合物還原成元素,稱為化學提純。物理提純的方法有真空蒸發(fā)、區(qū)域精制、拉晶提純等,使用最多的是區(qū)域精制。化學提純的主要方法有電解、絡合、萃取、精餾等,使用最多的是精餾。由于每一種方法都有一定的局限性,因此常使用幾種提純方法相結合的工藝流程以獲得合格的材料?! 〗^大多數(shù)半導體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導體單晶都是用熔體生長法制成的。直拉法應用最廣,80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產的,其中硅單晶的最大直徑已達300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法,用此法已生產出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區(qū)熔法的熔體不與容器接觸,用此法生長高純硅單晶。水平區(qū)熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用于制備砷化鎵單晶,而垂直定向結晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片?! ∫陨暇褪切【幗裉旖o大家分享的半導體材料的有關信息,主要分析了半導體材料的種類和應用等問題,希望大家看后會有幫助!想要了解更多相關信息的話,大家就請繼續(xù)關注土巴兔學裝修吧!
半導體材料可按化學組成來分,再將結構與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態(tài)與液態(tài)半導體。元素半導體  在元素周期表的ⅲa族至iva族分布著11種具有半導性的元素,下表的黑框中即這11種元素半導體,其中c表示金剛石。c、p、se具有絕緣體與半導體兩種形態(tài);b、si、ge、te具有半導性;sn、as、sb具有半導體與金屬兩種形態(tài)。p的熔點與沸點太低,ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解,所以它們的實用價值不大。as、sb、sn的穩(wěn)定態(tài)是金屬,半導體是不穩(wěn)定的形態(tài)。b、c、te也因制備工藝上的困難和性能方面的局限性而尚未被利用。因此這11種元素半導體中只有ge、si、se 3種元素已得到利用。ge、si仍是所有半導體材料中應用最廣的兩種材料。無機化合物半導體  分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括:①ⅳ-ⅳ族:sic和ge-si合金都具有閃鋅礦的結構。②ⅲ-ⅴ族:由周期表中ⅲ族元素al、ga、in和v族元素p、as、sb組成,典型的代表為gaas。它們都具有閃鋅礦結構,它們在應用方面僅次于ge、si,有很大的發(fā)展前途。③ⅱ-ⅵ族:ⅱ族元素zn、cd、hg和ⅵ族元素s、se、te形成的化合物,是一些重要的光電材料。zns、cdte、hgte具有閃鋅礦結構。④?。ё澹孩∽逶豤u、ag、au和 ⅶ族元素cl、br、i形成的化合物,其中cubr、cui具有閃鋅礦結構。⑤ⅴ-ⅵ族:ⅴ族元素as、sb、bi和ⅵ族元素 s、se、te形成的化合物具有的形式,如bi2te3、bi2se3、bi2s3、as2te3等是重要的溫差電材料。⑥第四周期中的b族和過渡族元素cu、 zn、sc、ti、v、cr、mn、fe、co、ni的氧化物,為主要的熱敏電阻材料。⑦某些稀土族元素 sc、y、sm、eu、yb、tm與ⅴ族元素n、as或ⅵ族元素s、se、te形成的化合物。 除這些二元系化合物外還有它們與元素或它們之間的固溶體半導體,例如si-alp、ge-gaas、inas-insb、alsb-gasb、inas-inp、gaas-gap等。研究這些固溶體可以在改善單一材料的某些性能或開辟新的應用范圍方面起很大作用。三元系包括:族:這是由一個ⅱ族和一個ⅳ族原子去替代ⅲ-ⅴ族中兩個ⅲ族原子所構成的。例如znsip2、zngep2、zngeas2、cdgeas2、cdsnse2等。族:這是由一個ⅰ族和一個ⅲ族原子去替代ⅱ-ⅵ族中兩個ⅱ族原子所構成的, 如 cugase2、aginte2、 agtlte2、cuinse2、cuals2等。:這是由一個ⅰ族和一個ⅴ族原子去替代族中兩個ⅲ族原子所組成,如cu3asse4、ag3aste4、cu3sbs4、ag3sbse4等。此外,還有它的結構基本為閃鋅礦的四元系(例如cu2fesns4)和更復雜的無機化合物。有機化合物半導體  已知的有機半導體有幾十種,熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等,它們作為半導體尚未得到應用。非晶態(tài)與液態(tài)半導體  這類半導體與晶態(tài)半導體的最大區(qū)別是不具有嚴格周期性排列的晶體結構。

6,半導體是什么做什么用的

自然界的物質按導電能力可分為導體、絕緣體和半導體三類。半導體材料是指室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料??侩娮雍涂昭▋煞N載流子實現(xiàn)導電,室溫時電阻率一般在10-5~107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大;若摻入活性雜質或用光、射線輻照,可使其電阻率有幾個數(shù)量級的變化。1906年制成了碳化硅檢波器。 1947年發(fā)明晶體管以后,半導體材料作為一個獨立的材料領域得到了很大的發(fā)展,并成為電子工業(yè)和高技術領域中不可缺少的材料。特性和參數(shù)半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本征半導體,常溫下其電阻率很高,是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質后,由于雜質原子提供導電載流子,使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體,靠價帶空穴導電的稱P型半導體。不同類型半導體間接觸(構成PN結)或半導體與金屬接觸時,因電子(或空穴)濃度差而產生擴散,在接觸處形成位壘,因而這類接觸具有單向導電性。利用PN結的單向導電性,可以制成具有不同功能的半導體器件,如二極管、三極管、晶閘管等。此外,半導體材料的導電性對外界條件(如熱、光、電、磁等因素)的變化非常敏感,據此可以制造各種敏感元件,用于信息轉換。半導體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定,反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導電能力。非平衡載流子壽命反映半導體材料在外界作用(如光或電場)下內部載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性。位錯是晶體中最常見的一類缺陷。位錯密度用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度,對于非晶態(tài)半導體材料,則沒有這一參數(shù)。半導體材料的特性參數(shù)不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別,更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下,其特性的量值差別。半導體材料的種類常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素制成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等,以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族(如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等)、Ⅱ-Ⅵ族(如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等)、Ⅳ-Ⅵ族(如硫化鉛、硒化鉛等)、Ⅳ-Ⅳ族(如碳化硅)化合物。三元系和多元系化合物半導體主要為三元和多元固溶體,如鎵鋁砷固溶體、鎵鍺砷磷固溶體等。有機化合物半導體有萘、蒽、聚丙烯腈等,還處于研究階段。此外,還有非晶態(tài)和液態(tài)半導體材料,這類半導體與晶態(tài)半導體的最大區(qū)別是不具有嚴格周期性排列的晶體結構。制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態(tài)要求,包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態(tài)要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純,要求的純度在6個“9”以上,最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類,一類是不改變材料的化學組成進行提純,稱為物理提純;另一類是把元素先變成化合物進行提純,再將提純后的化合物還原成元素,稱為化學提純。物理提純的方法有真空蒸發(fā)、區(qū)域精制、拉晶提純等,使用最多的是區(qū)域精制?;瘜W提純的主要方法有電解、絡合、萃娶精餾等,使用最多的是精餾。由于每一種方法都有一定的局限性,因此常使用幾種提純方法相結合的工藝流程以獲得合格的材料。絕大多數(shù)半導體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導體單晶都是用熔體生長法制成的。直拉法應用最廣,80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產的,其中硅單晶的最大直徑已達300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法,用此法已生產出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區(qū)熔法的熔體不與容器接觸,用此法生長高純硅單晶。水平區(qū)熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用于制備砷化鎵單晶,而垂直定向結晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。工業(yè)生產使用的主要是化學氣相外延,其次是液相外延。金屬有機化合物氣相外延和分子束外延則用于制備量子阱及超晶格等微結構。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學氣相沉積、磁控濺射等方法制成。半導體和絕緣體之間的差異主要來自兩者的能帶(band)寬度不同。絕緣體的能帶比半導體寬,意即絕緣體價帶中的載子必須獲得比在半導體中更高的能量才能跳過能帶,進入傳導帶中。室溫下的半導體導電性有如絕緣體,只有極少數(shù)的載子具有足夠的能量進入傳導帶。因此,對于一個在相同電場下的純質半導體(intrinsicsemiconductor)和絕緣體會有類似的電特性,不過半導體的能帶寬度小于絕緣體也意味著半導體的導電性更容易受到控制而改變。純質半導體的電氣特性可以藉由植入雜質的過程而永久改變,這個過程通常稱為“摻雜”(doping)。依照摻雜所使用的雜質不同,摻雜后的半導體原子周圍可能會多出一個電子或一個電洞,而讓半導體材料的導電特性變得與原本不同。如果摻雜進入半導體的雜質濃度夠高,半導體也可能會表現(xiàn)出如同金屬導體般的電性。在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場(built-inelectricfield),內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。除了藉由摻雜的過程永久改變電性外,半導體亦可因為施加于其上的電場改變而動態(tài)地變化。半導體材料也因為這樣的特性,很適合用來作為電路元件,例如晶體管。晶體管屬于主動式的(有源)半導體元件(activesemiconductordevices),當主動元件和被動式的(無源)半導體元件(passivesemiconductordevices)如電阻器(resistor)或是電容器(capacitor)組合起來時,可以用來設計各式各樣的集成電路產品,例如微處理器。當電子從傳導帶掉回價帶時,減少的能量可能會以光的形式釋放出來。這種過程是制造發(fā)光二極管(light-emittingdiode,LED)以及半導體激光(semiconductorlaser)的基礎,在商業(yè)應用上都有舉足輕重的地位。而相反地,半導體也可以吸收光子,透過光電效應而激發(fā)出在價帶的電子,產生電訊號。這即是光探測器(photodetector)的來源,在光纖通訊(fiber-opticcommunications)或是太陽能電池(solarcell)的領域是最重要的元件。半導體有可能是單一元素組成,例如硅。也可以是兩種或是多種元素的化合物(compound),常見的化合物半導體有砷化鎵(galliumarsenide,GaAs)或是磷化鋁銦鎵(aluminiumgalliumindiumphosphide,AlGaInP)等。合金(alloy)也是半導體材料的來源之一,如鍺硅(silicongermanium,SiGe)或是砷化鎵鋁(aluminiumgalliumarsenide,AlGaAs)等。
半導體是介于導體與絕緣體之間的材料。但半導體有個特性是導體和絕緣體所沒有的,那就是可以做成兩種不同特性的基片,再把這兩種基片結合到一起就可體現(xiàn)絕緣和導體交替的特性,如二極管反向絕緣,正向導電,三極管通過一個控制端可讓其導電就導電,讓其絕緣就絕緣。所以就容易成為可以控制的器件,由此制作了很多電子產品
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    知識 日期:2025-01-14

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    知識 日期:2025-01-14

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    知識 日期:2025-01-14

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    知識 日期:2025-01-14