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施主雜質(zhì)，半導(dǎo)體 什么是施主效應(yīng)

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-08-26 18:14:30 編輯：智能門(mén)戶 手機(jī)版

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1，半導(dǎo)體 什么是施主效應(yīng)

施主是在半導(dǎo)體中提供導(dǎo)電電子的雜質(zhì)，如Si中的P、As、Sb等五族元素。所謂施主效應(yīng)也就是在半導(dǎo)體中能夠增加導(dǎo)電電子的那種作用。有的深能級(jí)雜質(zhì)也能夠產(chǎn)生出一些導(dǎo)電電子，這就說(shuō)它具有一定的施主效應(yīng)。
化學(xué)元素周期表中3主族元素為受主雜質(zhì)，5主族為施主雜質(zhì)。半導(dǎo)體中受主雜質(zhì)占主導(dǎo)地位為p型，施主雜質(zhì)占主導(dǎo)地位為n型

半導(dǎo)體 什么是施主效應(yīng)

2，目前在gaas工藝中用得最多的施主雜質(zhì)是什么為什么

一個(gè)As原子占據(jù)了Ge原子的位置， As 原子有 五個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)價(jià)電子與周圍的四個(gè)Ge原子 形成共價(jià)鍵，還剩余一個(gè)價(jià)電子，同時(shí)As 原子所在 處也多余一個(gè)正電荷+q，稱為正電中心As+ 原子。這 個(gè)多余的價(jià)電子束縛在正電中心As+的周圍，但這種 束縛作用比共價(jià)鍵的束縛作用弱得多，只要很少的能 量就可以使它掙脫束縛，成為導(dǎo)電電子，這種能夠施 放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電中心的雜質(zhì)稱為施 主雜質(zhì)，上述電子脫離雜質(zhì)原子的束縛成為導(dǎo)電電子 的過(guò)程稱為施主雜質(zhì)電離。通常把主要依靠導(dǎo)帶電子 導(dǎo)電的半導(dǎo)體稱為n型半導(dǎo)體。
搜一下：目前在gaas工藝中用得最多的施主雜質(zhì)是什么？為什么再看看別人怎么說(shuō)的。

目前在gaas工藝中用得最多的施主雜質(zhì)是什么為什么

3，遷移率為什么要考慮施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)

化學(xué)元素周期表中3主族元素為受主雜質(zhì)，5主族為施主雜質(zhì)。 半導(dǎo)體中受主雜質(zhì)占主導(dǎo)地位為P型，施主雜質(zhì)占主導(dǎo)地位為N型
在硅中摻入v族元素雜質(zhì)（如磷p，砷as，銻sb等）后，這些v族雜質(zhì)替代了一部分硅原子的位置，但由于它們的外層有5個(gè)價(jià)電子，其中4個(gè)與周圍硅原子形成共價(jià)鍵，多余的一個(gè)價(jià)電子便成了可以導(dǎo)電的自由電子，這樣一個(gè)v族雜質(zhì)原子可以向半導(dǎo)體硅提供一個(gè)自由電子而本身成為帶正電的離子，把這種雜質(zhì)稱為施主雜質(zhì)；若在硅中摻入iii族元素雜質(zhì)，（如硼b，鋁al，鎵ga，銦in等），這些iii族雜質(zhì)原子在晶體中替代了一部分硅原子的位置，由于它們的最外層只有3個(gè)價(jià)電子，在與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí)產(chǎn)生一個(gè)空穴，這樣一個(gè)iii族雜質(zhì)原子可以向半導(dǎo)體硅提供一個(gè)空穴，而本身接受一個(gè)電子成為帶負(fù)電的離子，把這種雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)。

遷移率為什么要考慮施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)

4，施主雜質(zhì)什么意思

這問(wèn)題無(wú)關(guān)宗教.是電子半導(dǎo)體學(xué). 半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料的電性是位于導(dǎo)體和絕緣體的中間。可區(qū)分為元素半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩大類,其中元素半導(dǎo)體材料以矽和鍺為代表;化合物半導(dǎo)體材料則以砷化鎵為代表。這些材料的電特性對(duì) 于存在的少量雜質(zhì)元素的濃度非常敏感,影響其電性甚鉅。常見(jiàn)的雜質(zhì)元素有磷、硼、砷等元素 。為了改變電導(dǎo)率，特意向半導(dǎo)體摻入雜質(zhì)。最常用的半導(dǎo)體是元素矽與鍺，它們的晶體點(diǎn)陣都由每個(gè)原子與它最鄰近的4個(gè)原子共享1個(gè)電子而構(gòu)成。如果這種點(diǎn)陣中有少部分原子為有5個(gè)可成價(jià)電子的磷、砷等原子所取代，那么每個(gè)雜質(zhì)原子的多余電子就用于導(dǎo)電。這種半導(dǎo)體就叫摻磷或摻砷半導(dǎo)體。其中磷或砷的原子就稱為施主 .能提供電子載流子的雜質(zhì)稱為 " 施主雜質(zhì) ".
梵語(yǔ)da^na-pati。即是指施與僧眾衣食，或出資舉行法會(huì)等之信眾。音譯檀越、陀那缽底、陀那婆。又作布施家。又梵漢兼舉而稱檀越施主、檀那主、檀主。依長(zhǎng)阿含卷十一善生經(jīng)（大一·七二上）：檀越當(dāng)以五事供奉沙門(mén)、婆羅門(mén)。（中略）一者身行慈，二者口行慈，三者意行慈，四者以時(shí)施，五者門(mén)不制止。善生！若檀越以此五事供奉沙門(mén)、婆羅門(mén)，沙門(mén)、婆羅門(mén)當(dāng)復(fù)以六事而教授之。（中略）一者防護(hù)不令為惡，二者指授善處，三者教懷善心，四者使未聞?wù)呗?，五者已聞能使善解，六者開(kāi)示天路。又增一阿含經(jīng)卷二十四謂，施主惠施有五功德：(一)名聞四遠(yuǎn)，眾人嘆譽(yù)。(二)若至眾中，不懷慚愧，亦無(wú)所畏。(三)受眾人敬仰，見(jiàn)者歡悅。(四)命終之后，或生天上，為天所敬；或生人中，為人尊貴。(五)智慧遠(yuǎn)出眾人之上，現(xiàn)身漏盡，不經(jīng)后世。今施主泛指一切布施者，或舉行喪葬儀式之喪家，亦稱施主。［增一阿含經(jīng)卷三清信士品、北本大般涅盤(pán)經(jīng)卷十一、梵網(wǎng)經(jīng)卷下、大智度論卷三］ 施主泛指一切布施者，或舉行喪葬儀式之喪家，亦稱施主。

5，什么是供體

三種意思：(一)指在化學(xué)反應(yīng)過(guò)程中，能提供某一化學(xué)基團(tuán)的物質(zhì)(化合物)。例如：L-氨基酸與α-酮酸之間的氨基轉(zhuǎn)移反應(yīng)，L-氨基酸是氨基的供體。 (二)提供基因DNA片段、器官、組織或其他細(xì)胞輸送給另一個(gè)個(gè)體的生物。 (三)在半導(dǎo)體中，若雜質(zhì)或缺陷能級(jí)上有電子占據(jù)時(shí)，雜質(zhì)原子或缺陷是電中性的，這種雜質(zhì)或缺陷叫做施主，其能級(jí)叫做施主能級(jí)。施主能級(jí)上的電子，如獲得一定能量可進(jìn)入導(dǎo)帶；這個(gè)能量叫做施主的電離能，也就是施主能級(jí)在導(dǎo)帶底下方的能量距離。電離能小的施主能級(jí)是淺施主能級(jí)，電離能大的是深施主能級(jí)。磷、砷、銻是鍺、硅半導(dǎo)體中的淺能級(jí)施主雜質(zhì)。淺能級(jí)施主雜質(zhì)叫n型雜質(zhì)。深能級(jí)施主雜質(zhì)可能成為空穴的陷阱或復(fù)合中心。
中文名稱：供體 英文名稱：donor 其他名稱：授體 定義1：能把一個(gè)或一個(gè)以上的電子、原子或基團(tuán)提供給另一化合物的化合物。 所屬學(xué)科：生物化學(xué)與分子生物學(xué)（一級(jí)學(xué)科）；總論（二級(jí)學(xué)科） 定義2：胚胎移植時(shí)提供卵子的母體。 所屬學(xué)科：水產(chǎn)學(xué)（一級(jí)學(xué)科）；水產(chǎn)生物育種學(xué)（二級(jí)學(xué)科） donor (一)指在化學(xué)反應(yīng)過(guò)程中，能提供某一化學(xué)基團(tuán)的物質(zhì)(化合物)。例如：L-氨基酸與α-酮酸之間的氨基轉(zhuǎn)移反應(yīng)，L-氨基酸是氨基的供體。 (二)提供基因DNA片段、器官、組織或其他細(xì)胞輸送給另一個(gè)個(gè)體的生物。 (三)在半導(dǎo)體中，若雜質(zhì)或缺陷能級(jí)上有電子占據(jù)時(shí)，雜質(zhì)原子或缺陷是電中性的，這種雜質(zhì)或缺陷叫做施主，其能級(jí)叫做施主能級(jí)。施主能級(jí)上的電子，如獲得一定能量可進(jìn)入導(dǎo)帶；這個(gè)能量叫做施主的電離能，也就是施主能級(jí)在導(dǎo)帶底下方的能量距離。電離能小的施主能級(jí)是淺施主能級(jí)，電離能大的是深施主能級(jí)。磷、砷、銻是鍺、硅半導(dǎo)體中的淺能級(jí)施主雜質(zhì)。淺能級(jí)施主雜質(zhì)叫n型雜質(zhì)。深能級(jí)施主雜質(zhì)可能成為空穴的陷阱或復(fù)合中心。
供體就是提供的一方，無(wú)論什么情況下都是這個(gè)意思啦，就是看提供什么了，它對(duì)應(yīng)的是受體了，就是接受的一方了，具體是什么東西還要看是什么情況下啦

6，什么是半導(dǎo)體說(shuō)清楚點(diǎn)

半導(dǎo)體三個(gè)字基本完全失去字面的意義，即半導(dǎo)體并非是介于導(dǎo)體與絕緣體之間的簡(jiǎn)單意義了，因?yàn)椋?、導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體三者無(wú)清晰的界限；2、半導(dǎo)體應(yīng)用意義早已使其字面意義失去“光澤”材料。所以半導(dǎo)體不是導(dǎo)體、絕緣體之間的材料，而是人工人為產(chǎn)生的一種具有單向?qū)щ姷纫恍┨厥獾牟牧?。比如在硅、鍺內(nèi)摻雜少量的其它元素，在電動(dòng)勢(shì)作用下就會(huì)使內(nèi)部空穴的朝向產(chǎn)生一致，這種一致就使電子類似客流，只能朝一個(gè)方向流動(dòng)，所以PN結(jié)，即半導(dǎo)體的意義被單向?qū)щ姷囊饬x取替。
【n型半導(dǎo)體】“n”表示負(fù)電的意思，在這類半導(dǎo)體中，參與導(dǎo)電的主要是帶負(fù)電的電子，這些電子來(lái)自半導(dǎo)體中的“施主”雜質(zhì)。所謂施主雜質(zhì)就是摻入雜質(zhì)能夠提供導(dǎo)電電子而改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。例如，半導(dǎo)體鍺和硅中的五價(jià)元素砷、銻、磷等原子都是施主雜質(zhì)。如果在某一半導(dǎo)體的雜質(zhì)總量中，施主雜質(zhì)的數(shù)量占多數(shù)，則這種半導(dǎo)體就是n型半導(dǎo)體。如果在硅單晶中摻入五價(jià)元素砷、磷。則在硅原子和砷、磷原子組成共價(jià)鍵之后，磷外層的五個(gè)電子中，四個(gè)電子組成共價(jià)鍵，多出的一個(gè)電子受原子核束縛很小，因此很容易成為自由電子。所以這種半導(dǎo)體中，電子載流子的數(shù)目很多，主要kao電子導(dǎo)電，叫做電子半導(dǎo)體，簡(jiǎn)稱n型半導(dǎo)體。 【p型半導(dǎo)體】“p”表示正電的意思。在這種半導(dǎo)體中，參與導(dǎo)電的主要是帶正電的空穴，這些空穴來(lái)自于半導(dǎo)體中的“受主”雜質(zhì)。所謂受主雜質(zhì)就是摻入雜質(zhì)能夠接受半導(dǎo)體中的價(jià)電子，產(chǎn)生同數(shù)量的空穴，從而改變了半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。例如，半導(dǎo)體鍺和硅中的三價(jià)元素硼、銦、鎵等原子都是受主。如果某一半導(dǎo)體的雜質(zhì)總量中，受主雜質(zhì)的數(shù)量占多數(shù)，則這半導(dǎo)體是p型半導(dǎo)體。如果在單晶硅上摻入三價(jià)硼原子，則硼原子與硅原子組成共價(jià)鍵。由于硼原子數(shù)目比硅原子要少很多，因此整個(gè)晶體結(jié)構(gòu)基本不變，只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。硼是三價(jià)元素，外層只有三個(gè)價(jià)電子，所以當(dāng)它與硅原子組成共價(jià)鍵時(shí)，就自然形成了一個(gè)空穴。這樣，摻入的硼雜質(zhì)的每一個(gè)原子都可能提供一個(gè)空穴，從而使硅單晶中空穴載流子的數(shù)目大大增加。這種半導(dǎo)體內(nèi)幾乎沒(méi)有自由電子，主要kao空穴導(dǎo)電，所以叫做空穴半導(dǎo)體，簡(jiǎn)稱p型半導(dǎo)體。 【p－n結(jié)】在一塊半導(dǎo)體中，摻入施主雜質(zhì)，使其中一部分成為n型半導(dǎo)體。其余部分摻入受主雜質(zhì)而成為p型半導(dǎo)體，當(dāng)p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體這兩個(gè)區(qū)域共處一體時(shí)，這兩個(gè)區(qū)域之間的交界層就是p-n結(jié)。p-n結(jié)很薄，結(jié)中電子和和空穴都很少，但在kao近n型一邊有帶正電荷的離子，kao近p型一邊有帶負(fù)電荷的離子。這是因?yàn)?，在p型區(qū)中空穴的濃度大，在n型區(qū)中電子的濃度大，所以把它們結(jié)合在一起時(shí)，在它們交界的地方便要發(fā)生電子和空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。由于p區(qū)有大量可以移動(dòng)的空穴，n區(qū)幾乎沒(méi)有空穴，空穴就要由p區(qū)向n區(qū)擴(kuò)散。同樣n區(qū)有大量的自由電子，p區(qū)幾乎沒(méi)有電子，所以電子就要由n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散。隨著擴(kuò)散的進(jìn)行，p區(qū)空穴減少，出現(xiàn)了一層帶負(fù)電的粒子區(qū)；n區(qū)電子減少，出現(xiàn)了一層帶正電的粒子區(qū)。結(jié)果在p－n結(jié)的邊界附近形成了一個(gè)空間電荷區(qū)，p型區(qū)一邊帶負(fù)電荷的離子，n型區(qū)一邊帶正電荷的離子，因而在結(jié)中形成了很強(qiáng)的局部電場(chǎng)，方向由n區(qū)指向p區(qū)。當(dāng)結(jié)上加正向電壓（即p區(qū)加電源正極，n區(qū)加電源負(fù)極）時(shí)，這電場(chǎng)減弱，n區(qū)中的電子和p區(qū)中的空穴都容易通過(guò)，因而電流較大；當(dāng)外加電壓相反時(shí)，則這電場(chǎng)增強(qiáng)，只有原n區(qū)中的少數(shù)空穴和p區(qū)中的少數(shù)電子能夠通過(guò)，因而電流很小。因此p－n結(jié)具有整流作用。當(dāng)具有p－n結(jié)的半導(dǎo)體受到光照時(shí)，其中電子和空穴的數(shù)目增多，在結(jié)的局部電場(chǎng)作用下，p區(qū)的電子移到n區(qū)，n區(qū)的空穴移到p區(qū)，這樣在結(jié)的兩端就有電荷積累，形成電勢(shì)差。這現(xiàn)象稱為p－n結(jié)的光生伏特效應(yīng)。由于這些特性，用p－n結(jié)可制成半導(dǎo)體二極管和光電池等器件。如果在p－n結(jié)上加以反向電壓（n區(qū)加在電源正極，p區(qū)加在電源負(fù)極），電壓在一定范圍內(nèi)，p－n結(jié)幾乎不通過(guò)電流，但當(dāng)加在p－n結(jié)上的反向電壓越過(guò)某一數(shù)值時(shí)，發(fā)生電流突然增大的現(xiàn)象。這時(shí)p-n結(jié)被擊穿。p－n結(jié)被擊穿后便失去其單向?qū)щ姷男阅?，但結(jié)并不一定損壞，此時(shí)將反向電壓降低，它的性能還可以恢復(fù)。根據(jù)其內(nèi)在的物理過(guò)程，p－n結(jié)擊穿可分為雪崩擊穿和隧道擊穿兩種。
介于導(dǎo)體與絕緣體之間
指擁有傳導(dǎo)能力，但傳導(dǎo)能力并不強(qiáng)的物體
半導(dǎo)體是一種具有專向?qū)щ娦缘牟牧?/section>
http://baike.baidu.com/view/19928.htm
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