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N型半導體，本征半導體P型半導體N型半導體能獨立導電嗎導電性能有什么

來源：整理時間：2023-08-24 07:04:40 編輯：智能門戶手機版

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1，本征半導體P型半導體N型半導體能獨立導電嗎導電性能有什么
2，哪些是常見的N型及P型半導體材料謝謝
3，半導體材料N 型與P型的區(qū)別
4，什么是N型半導體什么是P型半導體
5，解釋一下P型半導體和N型半導體以及 PN結(jié)
6，什么是N型半導體

1，本征半導體P型半導體N型半導體能獨立導電嗎導電性能有什么

本征導電性能最差。N型靠電子導電，P型靠空穴導電（空穴實際不存在的），電子遷移率比空穴高。

本征半導體P型半導體N型半導體能獨立導電嗎導電性能有什么

2，哪些是常見的N型及P型半導體材料謝謝

用左手定則，磁場方向穿過手心，四指方向為電流方向，拇指為電場方向，拇指指向負電荷一側(cè)，此時為p型半導體，空穴型。若方向正好相反，則為n型半導體，也是電子型。

象鍺，硅，砷化鎵都是半導體材料，象硅在注入離子時，所注入的離子將決定了他的N型還是P型以為所注入的離子決定了他是電子導電還是空穴導電

2極管才分N/P型NPN型與PNP型區(qū)分就在于發(fā)射極與集電極哪個電阻大

哪些是常見的N型及P型半導體材料謝謝

3，半導體材料N 型與P型的區(qū)別

N型是電子導電，P型是空穴導電。

要區(qū)x別N型半導體和P型半導體，方7法很多。簡單而直接的快速方4法就是采用熱探針法（由熱電動勢的符合來判斷）；復雜一p些的是采用Hall效應測量法（由Hall系數(shù)的正負來判斷）。2011-10-30 20:37:54

任何半導體器件里都能找到n型或者p型半導體，這些器件都是由pn結(jié)構(gòu)成的，你說的這個應該指器件是n型或者p型吧？比如mosfet分nmosfet和pmosfet 。n型器件和p型器件應用區(qū)別在于他們的電流流向不同

N型里面多子是電子，P型里面多子是空穴

半導體材料N 型與P型的區(qū)別

4，什么是N型半導體什么是P型半導體

在半導體材料硅或鍺晶體中摻入三價元素雜質(zhì)可構(gòu)成缺殼粒的P型半導體，摻入五價元素雜質(zhì)可構(gòu)成多余殼粒的N形半導體。（兩種半導體接觸在一起的點或面構(gòu)成PN結(jié)，在接觸點或面上N型半導體多余殼粒趨向P型半導體，并形成阻擋層或接觸電位差。當P型接正極，N型接負極，N型半導體多余殼粒和PN結(jié)上殼粒易往正移動，且阻擋層變薄接觸電位差變小，即電阻變小，可形成較大電流；反之當P型接負極，N型接正極，因為P半導體缺殼粒，熱運動也難分離出殼粒往正極運動，且阻擋層變厚接觸電位差變大，電阻變大，形成較小電流，即具有單向通過電流屬性。）多子與少子是相對概念。如：在N型半導體中自由電子是多數(shù)載流子，簡稱為“多子”；空穴為小數(shù)載流子，稱為“少子”。而在P型中則相反。 ----考試的話，答概念就可以了，具體的作用過程你就不用記了。

5，解釋一下P型半導體和N型半導體以及 PN結(jié)

1、P型半導體：又稱空穴型半導體，其內(nèi)部空穴數(shù)大于自由電子數(shù)，即空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。例如在硅材料中加入三價元素硼，就形成了P型半導體。 2、N型半導體：又稱電子型半導體，其內(nèi)部自由電子數(shù)大于空穴數(shù)，即自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。例如在硅材料中加入五價元素磷，就形成了N型半導體。 3、PN結(jié)：在硅或鍺單晶基片上，加工成P型區(qū)和相鄰的N型區(qū)，其P型區(qū)和N型區(qū)相結(jié)合的部位有一個特殊的薄層，這個薄層就稱為PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?/section>

半導體受到外界能量激發(fā)（比如光），或者經(jīng)過摻雜以后，會產(chǎn)生能夠自由移動的電子或者空穴（能帶理論），這些稱為載流子。載流子為電子的半導體成為N型半導體，載流子為空穴的稱為P型半導體。當P型半導體和N型半導體接在一起的時候，由于一邊缺少電子另一邊缺少空穴，電子和空穴就會自發(fā)的相對擴散，這樣的擴散同樣使得在接觸點向兩邊的擴散區(qū)域存在一個電場，隨著擴散的進行，這個電場越來越強，直到這個電場的強度足以和擴散的動力相平衡，這樣就形成了穩(wěn)定的結(jié)區(qū)，我們稱他為PN結(jié)。

6，什么是N型半導體

N型半導體中電子導電，電子帶負（Negative）電荷；在半導體材料硅或鍺晶體中摻入三價元素雜質(zhì)可構(gòu)成缺殼粒的P型半導體，摻入五價元素雜質(zhì)可構(gòu)成多余殼粒的N形半導體。（兩種半導體接觸在一起的點或面構(gòu)成PN結(jié)，在接觸點或面上N型半導體多余殼粒趨向P型半導體，并形成阻擋層或接觸電位差。當P型接正極，N型接負極，N型半導體多余殼粒和PN結(jié)上殼粒易往正移動，且阻擋層變薄接觸電位差變小，即電阻變小，可形成較大電流；反之當P型接負極，N型接正極，因為P半導體缺殼粒，熱運動也難分離出殼粒往正極運動，且阻擋層變厚接觸電位差變大，電阻變大，形成較小電流，即具有單向通過電流屬性。） N型半導體　　如果摻入的雜質(zhì)是周期表第V族中的某種元素──施主雜質(zhì)，例如砷或銻，這些元素的價電子帶都有五個電子，然而，雜質(zhì)元素價電子的最大能級大于鍺（或硅）的最大能級，因此電子很容易從這個能級進入第Ⅳ族元素的傳導帶。這些材料就變成了半導體。因為傳導性是由于有多余的負離子引起的，所以稱為“N”型。也有些材料的傳導性是由于材料中有多余的正離子，但主要還是由于有大量的電子引起的，因而（在N型材料中）電子被稱為“多數(shù)載流子”，參考圖39／2。

有啊！~！！是加入五價原子

在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

就是還負電荷的一種材料?。就是剛好相反

樓上的很正確，就是還負電荷的一種材料??！P就是剛好相反。

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