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功率芯片，有沒(méi)有工作電壓18伏輸出功率6W左右的集成功率芯片介紹一

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-08-24 18:48:40 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，有沒(méi)有工作電壓18伏輸出功率6W左右的集成功率芯片介紹一
2，LED大功率芯片一般指多大面積的芯片
3，請(qǐng)教大家一個(gè)功率芯片的框架圖我怎么看不明白檢測(cè)電流端和實(shí)際輸
4，什么芯片可以測(cè)量功率和功率因數(shù)
5，制造大功率LED芯片的幾種方法
6，什么是半導(dǎo)體功率器件

1，有沒(méi)有工作電壓18伏輸出功率6W左右的集成功率芯片介紹一

沒(méi)有吧，要有的話你看VIPER系列的如何？不過(guò)輸出是一個(gè)矩形波！你的輸出有沒(méi)有要求？再就是18V電壓下工作的多了去呢！因?yàn)槟阋矝](méi)有說(shuō)不可以用什么降壓什么的！我隨意找一個(gè)芯片是5V的，用一個(gè)降壓的手法給整下來(lái)電壓在供電工作！那不是一個(gè)意思嗎？

6w是額定功率，標(biāo)多少是多少，除非有省電工作模式不然一直的6w?，F(xiàn)在poe供電可以達(dá)到30w，沒(méi)問(wèn)題的。

有沒(méi)有工作電壓18伏輸出功率6W左右的集成功率芯片介紹一

2，LED大功率芯片一般指多大面積的芯片

大功率LED的燈珠芯片尺寸，根據(jù)不同品牌，尺寸也是不同的。一般中等產(chǎn)品燈珠芯片尺寸是38MIU。檔次最高的燈珠芯片，很多都是45MIU。發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見光，因而可以用來(lái)制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃光，氮化鎵二極管發(fā)藍(lán)光。因化學(xué)性質(zhì)又分有機(jī)發(fā)光二極管OLED和無(wú)機(jī)發(fā)光二極管LED。

LED大功率芯片一般指多大面積的芯片

3，請(qǐng)教大家一個(gè)功率芯片的框架圖我怎么看不明白檢測(cè)電流端和實(shí)際輸

看來(lái)你沒(méi)有明白這個(gè)芯片的作用啊，這個(gè)芯片是用來(lái)放大輸入信號(hào)的，也就是說(shuō)輸入一個(gè)小信號(hào)，可以輸出幾A的電流。而且它的電流檢測(cè)管腳不是輸入，是輸出，這個(gè)管腳也是輸出電流信號(hào)，當(dāng)然這個(gè)電流信號(hào)比OUTPUT的輸出要小很多，但他們是同比例的。也就是說(shuō)輸出5A時(shí)，電流檢測(cè)管腳輸出可能是1mA，這樣在這個(gè)管腳上串聯(lián)一個(gè)1K電阻到地，就產(chǎn)生了一個(gè)電壓1V；如果輸出是10A，那電阻上就得到2V的電壓。那么單片機(jī)檢測(cè)到這個(gè)電壓就知道輸出電流是多少了。所以這個(gè)電流檢測(cè)管腳實(shí)際上時(shí)同比例輸出一個(gè)小電流信號(hào)，方便單片機(jī)去檢測(cè)電流，而不是功率芯片自己在做電流檢測(cè)。

請(qǐng)教大家一個(gè)功率芯片的框架圖我怎么看不明白檢測(cè)電流端和實(shí)際輸

4，什么芯片可以測(cè)量功率和功率因數(shù)

功率測(cè)量芯片很多，世界幾個(gè)著名公司都有這個(gè)產(chǎn)品。你也可以用個(gè)單片機(jī)完成。功率因數(shù)是根據(jù)能量計(jì)量算出來(lái)的,現(xiàn)成的芯片可以使用電度表片，只是要注意有些廉價(jià)的電度表片不支持功率因素的測(cè)量。如果追求更高的測(cè)試精度可以用電流、電壓互感器加運(yùn)放、AD、MCU系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)，互感器可以得到電壓、電流的數(shù)值，然后根據(jù)相位差即可計(jì)算得到功率和功率因素。

你好：——★1、功率因數(shù)為有功功率與視在功率的比值，即：功率因數(shù) cos φ ＝有功功率 p ÷ 視在功率 s 。功率因數(shù)可以反映用電的質(zhì)量?！?、測(cè)量功率因數(shù)只是反映用電的質(zhì)量，然后應(yīng)該根據(jù)功率因數(shù)進(jìn)行補(bǔ)償，使功率因數(shù)得以提高，降低供電線路的功率損耗。

5，制造大功率LED芯片的幾種方法

。國(guó)際上通常的制造大功率LED芯片的方法有如下幾種：　　①大尺寸法。通過(guò)增大單體LED的有效發(fā)光面積和尺寸，促使流經(jīng)TCL層的電流均勻分布，以達(dá)到預(yù)期的光通量。但是，簡(jiǎn)單地增大發(fā)光面積無(wú)法解決散熱問(wèn)題和出光問(wèn)題，并不能達(dá)到預(yù)期的光通量和實(shí)際應(yīng)用效果。　?、谖装宓寡b法。首先制備出適合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同時(shí)制備出相應(yīng)尺寸的矽底板，并在矽底板上制作出供共晶焊接用的金導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層（超聲金絲球焊點(diǎn)），再利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與矽底板焊接在一起。這樣的結(jié)構(gòu)較為合理，既考慮了出光問(wèn)題又考慮到了散熱問(wèn)題，這是目前主流的大功率LED的生產(chǎn)方式。　　美國(guó)Lumileds公司于2001年研制出了AlGaInN功率型倒裝芯片（FCLED）結(jié)構(gòu)，其制造流程是：首先在外延片頂部的P型GaN上淀積厚度大于500A的NiAu層，用于歐姆接觸和背反射；再采用掩模選擇刻蝕掉P型層和多量子阱有源層，露出N型層；經(jīng)淀積、刻蝕形成N型歐姆接觸層，芯片尺寸為1mm×1mm，P型歐姆接觸為正方形，N型歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣可縮短電流擴(kuò)展距離，把擴(kuò)展電阻降至最??；然后將金屬化凸點(diǎn)的AlGaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護(hù)二極管（ESD）的矽載體上。　?、厶沾傻装宓寡b法。先利用LED芯片通用設(shè)備制備出具有適合共晶焊接電極結(jié)構(gòu)的大出光面積的LED芯片和相應(yīng)的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層，然后利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。這樣的結(jié)構(gòu)既考慮了出光問(wèn)題也考慮到了散熱問(wèn)題，并且采用的陶瓷底板為高導(dǎo)熱陶瓷板，散熱效果非常理想，價(jià)格又相對(duì)較低，所以為目前較為適宜的底板材料，并可為將來(lái)的積體電路一體化封裝預(yù)留空間。　?、芩{(lán)寶石襯底過(guò)渡法。按照傳統(tǒng)的InGaN芯片制造方法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)出PN結(jié)后，將藍(lán)寶石襯底切除，再連接上傳統(tǒng)的四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍(lán)光LED芯片?！　、軦lGaInN碳化矽（SiC）背面出光法。美國(guó)Cree公司是全球唯一采用SiC襯底制造AlGaInN超高亮度LED的廠家，幾年來(lái)其生產(chǎn)的AlGaInN/SiCa芯片結(jié)構(gòu)不斷改進(jìn)，亮度不斷提高。

6，什么是半導(dǎo)體功率器件

功率半導(dǎo)體器件，嘿嘿，本人的本行。功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。給個(gè)數(shù)量吧，電壓處理范圍從幾十V~幾千V，電流能力最高可達(dá)幾千A。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導(dǎo)體器件：大功率二極管、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）后來(lái)，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展，現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛啦，在計(jì)算機(jī)、通行、消費(fèi)電子、汽車電子為代表的4C行業(yè)（computer、communication、consumer electronics、cartronics），功率半導(dǎo)體器件可以說(shuō)是越來(lái)越火，現(xiàn)在不是要節(jié)能環(huán)保嗎，低碳生活，那就需要對(duì)能量的處理進(jìn)行合理的管理，power是啥？通俗的理解不就是功率P=IV 嗎，所以就需要對(duì)電壓電流的運(yùn)用進(jìn)行有效的控制，這就與功率器件密不可分！功率管理集成電路（Power Management IC，也被稱為電源管理IC）已經(jīng)成為功率半導(dǎo)體器件的熱點(diǎn)，發(fā)展非常迅速噢！功率半導(dǎo)體器件，在大多數(shù)情況下，是被作為開關(guān)使用（switch），開關(guān)，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是用來(lái)控制電流的通過(guò) 和截?cái)唷?那么，一個(gè)理想的開關(guān)，應(yīng)該具有兩個(gè)基本的特性： 1，電流通過(guò)的時(shí)候，這個(gè)理想開關(guān)兩端的電壓降是零 2，電流截?cái)嗟臅r(shí)候，這個(gè)理想開關(guān)兩端可以承受的電壓可以是任意大小，也就是0~無(wú)窮大因此，功率半導(dǎo)體器件的研究和發(fā)展，就是圍繞著這個(gè)目標(biāo)不斷前進(jìn)的?，F(xiàn)在的功率半導(dǎo)體器件，已經(jīng)具有很好的性能了，在要求的電壓電流處理范圍內(nèi)，可以接近一個(gè)比較理想的開關(guān)。好了，扯了這么多，舉幾個(gè)功率半導(dǎo)體器件的例子吧，剛才已經(jīng)說(shuō)了，功率二極管，晶閘管，還有功率BJT（就是功率雙極型晶體管）這些都是第一代產(chǎn)品了，比較老的了，第二代是以功率MOSFET為代表的新型功率半導(dǎo)體器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。 VDMOS 即（vertical double-diffusion MOSFET）是縱向器件，多用于分立器件；LDMOS 即（Lateral double-diffusion MOSFET），是橫向器件，其三個(gè)電極均在硅片表面，易于集成，多用于功率集成電路領(lǐng)域。 IGBT 即（Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極型晶體管），可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。 IGBT目前非常火啊，國(guó)內(nèi)才剛剛起步，大量需要IGBT的高技術(shù)人才，這個(gè)有錢途的。扯了好多啊，先就這么多吧，要細(xì)說(shuō)的話，可以說(shuō)一天。希望我的回答對(duì)你有幫助，一字一句都是原創(chuàng)，望采納

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