短溝道效應(yīng)的簡(jiǎn)介2,CMOS書(shū)中基本電流鏡的一個(gè)問(wèn)題模擬集成電路3,mosfet漏電流不飽和原因4,如何制備出單層的MoS25,關(guān)于半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管6,飽和狀態(tài)的問(wèn)題1,短溝道效應(yīng)的簡(jiǎn)介英文名稱:Short-channeleffects解釋一:短溝道效應(yīng)主要是指閾值電壓與溝道相關(guān)到非常嚴(yán)重的程度。解釋二:溝道長(zhǎng)度減小到一定程度后出現(xiàn)的一系列二級(jí)物理效應(yīng)統(tǒng)稱為短溝道效應(yīng)。包括:2,CMOS書(shū)中基本電流鏡的一個(gè)問(wèn)題模擬集成電路你圖中的參考電流源應(yīng)該是個(gè)限流電阻吧?BJT電路中是個(gè)電阻。BJT電路中短接為了B...
更新時(shí)間:2023-08-20標(biāo)簽: 溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng) 全文閱讀