溝道長度調(diào)制效應(yīng)，短溝道效應(yīng)的簡介

來源：整理時間：2023-08-20 05:54:04 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，短溝道效應(yīng)的簡介
2，CMOS書中基本電流鏡的一個問題模擬集成電路
3，mosfet漏電流不飽和原因
4，如何制備出單層的MoS2
5，關(guān)于半導(dǎo)體場效應(yīng)管
6，飽和狀態(tài)的問題

1，短溝道效應(yīng)的簡介

英文名稱：Short-channel effects解釋一：短溝道效應(yīng)主要是指閾值電壓與溝道相關(guān)到非常嚴(yán)重的程度。解釋二：溝道長度減小到一定程度后出現(xiàn)的一系列二級物理效應(yīng)統(tǒng)稱為短溝道效應(yīng)。包括：

短溝道效應(yīng)的簡介

2，CMOS書中基本電流鏡的一個問題模擬集成電路

你圖中的參考電流源應(yīng)該是個限流電阻吧？BJT電路中是個電阻。BJT電路中短接為了BE間有壓降，CE可以導(dǎo)通。這里也是產(chǎn)生通道用的。原理就是：兩個一樣的MOS管，GS電壓相等，流過的電流相等。至于是可變電阻區(qū)還是放大區(qū)，你分析下？

很簡單，是保證m1工作在飽和區(qū)，這樣才可以用飽和區(qū)的公式，Iout才能得到精確的電流比值

CMOS書中基本電流鏡的一個問題模擬集成電路

3，mosfet漏電流不飽和原因

VDS<=VGS,處于非飽和區(qū)，所以漏電流沒飽和，另外即使是處于飽和區(qū)的mosfet也會由于溝道長度調(diào)制效應(yīng)，漏電流也會隨VDS增加而緩慢增加。補(bǔ)充：你找一本半導(dǎo)體器件的書找到MOS器件看看他的溝道寬度調(diào)制效應(yīng)就知道了。簡單說就是隨著VDS增大，溝道長度變短，溝道電阻將減小，而在有效溝道上的壓降仍保持VDsat不變，所以溝道電流就會增大。這就是在飽和區(qū)中，漏電流隨VDS增大而略有增大的原因。MOS器件還有很多二階效應(yīng)，如果樓主真的想全搞懂，還是借本半導(dǎo)體物理和器件的教材，推倒比較多。

mosfet漏電流不飽和原因

4，如何制備出單層的MoS2

在SPICEⅡ中，MOS晶體管的模型有幾種，例如： MOS1：一級平方律模型。—— 只考慮了MOSFET的基本性能；適用于長溝道、低精度的情況。 MOS2：二級分析模型?！?考慮了MOSFET的二級效應(yīng)：溝道長度調(diào)制效應(yīng)，短溝道效應(yīng)，窄溝道效應(yīng)，DIBL效應(yīng)，表面電天然法二硫化鉬具有優(yōu)異的性能和廣闊的應(yīng)用前景，所以國內(nèi)外對納米MoS2制備及應(yīng)用都進(jìn)行了大量的研究。MoS2可以由天然法，即輝鉬精礦提純法制備，該法是將高品質(zhì)的鉬精礦經(jīng)過一定的物理和化學(xué)作用，除去輝鉬精礦中的酸不溶物、SiO2、Fe、Cu、Ca、Pb 等雜質(zhì)，再進(jìn)一步細(xì)化，獲得納米 MoS2。美國 Climax 鉬公司就是采用了這種方法生產(chǎn) MoS2。這種方法制成的納米MoS2，能夠保持天然的 MoS2晶形，潤滑性能較好，適合制成潤滑劑。

在spiceⅱ中，mos晶體管的模型有幾種，例如： mos1：一級平方律模型?！?只考慮了mosfet的基本性能；適用于長溝道、低精度的情況。 mos2：二級分析模型。—— 考慮了mosfet的二級效應(yīng)：溝道長度調(diào)制效應(yīng)，短溝道效應(yīng)，窄溝道效應(yīng)，dibl效應(yīng)，表面電

5，關(guān)于半導(dǎo)體場效應(yīng)管

砷化鎵（GaAs）是由化學(xué)元素周期表中Ⅲ族元素鎵和Ⅴ族元素砷二者組成的單晶化合物，因此，它又叫做Ⅲ-Ⅴ化合物，是一種新型半導(dǎo)體材料。它的特性與周期表中Ⅳ族元素硅類似，但重要的差別之一是，GaAs的電子遷移率比硅約大5~10倍。用GaAs制造有源器件時，具有比硅器件快得多的轉(zhuǎn)換速度（例如在截止、飽和導(dǎo)通間變化）。高速砷化鎵三極管正被用于微波電路、高頻放大和高速數(shù)字邏輯電路中。一種由砷化鎵制造的N溝道FET叫做金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MES-FET①），它具有高速特性等優(yōu)點，應(yīng)用廣泛。 (a) (b) 圖XX_01 N溝道MESFET的物理結(jié)構(gòu)和電路符號分別如圖XX_01(a)、(b)所示②。圖(a)表明，在GaAs襯底上面形成N溝道，然后在N溝道兩端利用光刻、擴(kuò)散等工藝摻雜成高濃度N+區(qū)，分別組成漏極d和源極s。當(dāng)MESFET的柵區(qū)金屬（例如鋁）與N溝道表面接觸，將在金屬-半導(dǎo)體接觸處形成肖特基勢壘區(qū)，它和硅JFET中柵極、溝道間的PN結(jié)相似。MESFET的肖特基勢壘區(qū)也要求外加反偏電壓，vGS愈負(fù)，肖特基勢壘區(qū)愈寬，N溝道有效截面愈小，因此，漏極電流iD將隨vGS變化。這樣，MESFET的輸出特性與硅JFET相似，屬于耗盡型器件，有一夾斷電壓Vp。由于砷化鎵的電導(dǎo)率很低，用作襯底時對相鄰器件能起良好的隔離作用。為了減少管子的開關(guān)時間，通常MESFET的導(dǎo)電溝道做得短，這樣由于vDS產(chǎn)生的溝道長度調(diào)制效應(yīng)就變得明顯，即使在恒流區(qū)ID也隨vDS而變，這是與硅JFET不同之一。 ① 此系Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor的縮寫。 ② P溝道MESFET，因為空穴遷移率很低，不具有N溝道器件的高速特性，幾乎不用。返回主頁下一頁上一頁

6，飽和狀態(tài)的問題

飽和狀態(tài)是說溶液。一般把一定溫度，一定量的溶劑里，不能再溶解某種溶質(zhì)的溶液教做這種溶質(zhì)的飽和溶液。當(dāng)溶液達(dá)到飽和時不再放熱獲吸熱。

一. 在電子科學(xué)技術(shù)中，飽和狀態(tài)是指晶體管的一種低電壓、大電流工作狀態(tài)(即開態(tài)).晶體管的工作狀態(tài)(或工作模式)包括有放大狀態(tài)、截止?fàn)顟B(tài)、飽和狀態(tài)和反向放大狀態(tài)四種.對于bjt(雙極型晶體管)和對于fet(場效應(yīng)晶體管),飽和狀態(tài)的含義大不相同,要特別注意區(qū)分開來.　　(1)對于bjt:　　因為bjt是電流驅(qū)動的器件,則其飽和狀態(tài)就是指電流較大、而電壓飽和(基本恒定不變)的一種工作模式.bjt在飽和狀態(tài)工作時,發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于正偏,則導(dǎo)電很好、電流較大,這時輸出的集電極電流ic只決定于外電路的參量(ic=vcc/rl,式中的vcc是電源電壓,rl是負(fù)載電阻),而與輸入電流無關(guān)(即這時已離開了放大狀態(tài));該狀態(tài)是輸出電流大、輸出電壓低的工作模式,故相應(yīng)于開關(guān)的開態(tài).　　在bjt的輸出伏安特性曲線上,飽和狀態(tài)即是處在緊靠縱軸(電流軸)的一個小范圍內(nèi).bjt在飽和狀態(tài)工作時,總是希望該飽和范圍越小越好,即要求輸出電壓——飽和壓降越低越好.因為飽和壓降直接關(guān)系到集電極串聯(lián)電阻,故為了降低飽和壓降,就需要提高集電區(qū)摻雜濃度;但為了提高提高擊穿電壓,又需要減小集電區(qū)摻雜濃度,這是一個矛盾.為解決此矛盾,就發(fā)展出了外延片的技術(shù),即是在低阻襯底上生長一層薄的較高電阻率的外延層,然后在外延層上制作bjt;對于集成電路中的bjt來說,因為所有的電極都需要從芯片表面引出,因此在外延的基礎(chǔ)上,還需要通過在器件有源區(qū)下面加設(shè)低阻埋層來減小集電極串聯(lián)電阻.總之,在集成電路芯片中采用外延層和埋層的目的,都是為了在保持較高擊穿電壓的條件下來減小集電極串聯(lián)電阻、以降低飽和壓降.　　(2)對于fet（包括jfet和mosfet等）:　　因為fet是電壓驅(qū)動的器件,則其飽和狀態(tài)就是指電壓較大、而電流飽和(基本恒定不變)的一種工作模式.fet在飽和狀態(tài)工作時,柵極電壓大于閾值電壓(對于增強(qiáng)型fet),存在有溝道,但是溝道在靠近漏極處是夾斷了的(這時,源漏電壓vds≥柵源電壓vgs-閾值電壓vt),輸出電流基本上由未被夾斷的溝道部分的電阻來決定,在不考慮溝道長度調(diào)制效應(yīng)時,則輸出電流與源漏電壓無關(guān),即輸出電流飽和;但是此飽和的輸出電流要受到柵極電壓控制(飽和時的柵極跨導(dǎo)最大).在輸出伏安特性曲線上,飽和狀態(tài)即是處在電流飽和的區(qū)域(即特性曲線是水平的區(qū)域).實際上,fet的飽和狀態(tài)也就是其放大工作的狀態(tài)(這與bjt不同).　　二.在化學(xué)和化工技術(shù)中，飽和狀態(tài)是指制冷劑在一定壓力和溫度下氣、液兩相處于動態(tài)平衡時的一種狀態(tài)。動態(tài)平衡是建立在一定的溫度及壓力條件下的，如果溫度或壓力改變時，平衡條件就會受到破壞，經(jīng)過一段時間后，又會達(dá)到新的平衡，出現(xiàn)新的飽和狀態(tài)?！　〔煌膲毫?yīng)不同的飽和溫度才能使制冷劑處于飽和狀態(tài)。　　飽和狀態(tài)分為飽和氣體狀態(tài)、飽和液體狀態(tài)和飽和氣液共存狀態(tài)

不能再溶解某種物質(zhì)的溶液叫做這種溶質(zhì)的飽和溶液，但可以再溶解其他的溶質(zhì)。水達(dá)到飽和是什么意思??？我不知道你什么意思啊，

小弟你還真的是小阿，你問的飽和狀態(tài)是指哪個方面的？？再補(bǔ)充點資料！別人才能幫你??！

說到飽和就不得不提起另一個詞匯叫做溶解,這個是在化學(xué)中關(guān)于溶液能溶解溶質(zhì)的最大量.在別的時候我們說的飽和一般是指在一種物質(zhì)中能夠均勻包含另一種物質(zhì)的最大狀態(tài).所以飽和這種狀態(tài)是同時發(fā)生兩種物質(zhì)之間的,你說的水達(dá)到飽和是指什么溶解再水里還是水溶解在什么地方?

飽和?。【褪前烟欠旁陂_水里溶化，你就一直加糖，等到糖不能溶化為止，現(xiàn)在開水就成了飽和狀態(tài)。跟吸熱放熱沒關(guān)系，就是一個爹一個娘的區(qū)別。

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3，mosfet漏電流不飽和原因

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