硅鍺砷化鎵哪個(gè)帶隙寬禁帶寬度越大少數(shù)載流子濃度的溫度靈敏度怎2,寬禁帶半導(dǎo)體相對(duì)窄禁帶版代替有哪些特殊性質(zhì)3,寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件畢業(yè)后干什么4,MgO屬于寬禁帶半導(dǎo)體嗎5,關(guān)于計(jì)算禁帶寬度6,怎么求禁帶寬度1,硅鍺砷化鎵哪個(gè)帶隙寬禁帶寬度越大少數(shù)載流子濃度的溫度靈敏度怎1)硅二極管反向電流比鍺二極管反向電流鍺管mA級(jí)硅管nA級(jí)相同溫度鍺ni比硅ni要高約三數(shù)量級(jí)所相同摻雜濃度硅少濃度比鍺少濃度低故硅管反向飽電流Is2)向電壓通二極管電流向電壓達(dá)某數(shù)值Ur電流才明顯增通電壓Ur稱二極管門限電壓稱死區(qū)...
更新時(shí)間:2023-08-17標(biāo)簽: 寬禁帶硅鍺砷化鎵哪個(gè)帶隙寬禁帶寬度越大少數(shù)載流子濃度的溫度靈敏度怎 全文閱讀