寬禁帶，硅鍺砷化鎵哪個(gè)帶隙寬禁帶寬度越大少數(shù)載流子濃度的溫度靈敏度怎

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-08-17 14:47:43 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，硅鍺砷化鎵哪個(gè)帶隙寬禁帶寬度越大少數(shù)載流子濃度的溫度靈敏度怎
2，寬禁帶半導(dǎo)體相對(duì)窄禁帶版代替有哪些特殊性質(zhì)
3，寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件畢業(yè)后干什么
4，MgO屬于寬禁帶半導(dǎo)體嗎
5，關(guān)于計(jì)算禁帶寬度
6，怎么求禁帶寬度

1，硅鍺砷化鎵哪個(gè)帶隙寬禁帶寬度越大少數(shù)載流子濃度的溫度靈敏度怎

1）硅二極管反向電流比鍺二極管反向電流鍺管mA級(jí)硅管nA級(jí)相同溫度鍺ni比硅ni要高約三數(shù)量級(jí)所相同摻雜濃度硅少濃度比鍺少濃度低故硅管反向飽電流Is 2）向電壓通二極管電流向電壓達(dá)某數(shù)值Ur電流才明顯增通電壓Ur稱二極管門限電壓稱死區(qū)電壓或閾值電壓由于硅二極管Is遠(yuǎn)于鍺二極管Is所硅二極管門限電壓于鍺二極管門限電壓般硅二極管門限電壓約0.5V~0.6V, 鍺二極管門限電壓約0.1V~0.2V

同問(wèn)。。。

硅鍺砷化鎵哪個(gè)帶隙寬禁帶寬度越大少數(shù)載流子濃度的溫度靈敏度怎

2，寬禁帶半導(dǎo)體相對(duì)窄禁帶版代替有哪些特殊性質(zhì)

對(duì)于包括半導(dǎo)體在內(nèi)的晶體，其中的電子既不同于真空中的自由電子，也不同于孤立原子中的電子。真空中的自由電子具有連續(xù)的能量狀態(tài)，即可取任何大小的能量；而原子中的電子是處于所謂分離的能級(jí)狀態(tài)。

例如半導(dǎo)體si中的施主雜質(zhì)原子as，它有四個(gè)價(jià)電子用于構(gòu)成共價(jià)鍵，所多余的一個(gè)價(jià)電子仍然是受到該施主原子的束縛，這個(gè)電子的狀態(tài)就是束縛狀態(tài)，相應(yīng)的能級(jí)即為束縛能級(jí)，是在導(dǎo)帶底下面附近處（因?yàn)檫@個(gè)多余的一個(gè)價(jià)電子只要很小的能量即可激發(fā)到導(dǎo)帶而變成載流子，故該束縛能級(jí)離導(dǎo)帶底很近）。

寬禁帶半導(dǎo)體相對(duì)窄禁帶版代替有哪些特殊性質(zhì)

3，寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件畢業(yè)后干什么

碳化硅(sic)和氮化鎵(gan)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料sic電力電子器件主要包括功率整流器(sbd、pin和jbs等)、單極型功率晶體管(mosfet、jfet和sit等)和雙極犁載流子功率晶體管(bjt、igbt和gto等)。sic微波功率晶體管包括sic mesfet、sic bjt和sic sit等gan功率整流器主要包括sbd和pin二極管基于gan的功率開關(guān)器件主要包括a1gan／gan hemt(hfet)、gan mosfet和mis—hemt等結(jié)構(gòu)。

去半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家或研究所

寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件畢業(yè)后干什么

4，MgO屬于寬禁帶半導(dǎo)體嗎

在半導(dǎo)體工業(yè)中,人們習(xí)慣地把鍺(Ge)、硅(Si)為代表的元素半導(dǎo)體材料稱為第一代半導(dǎo)體材料,把砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的化合物半導(dǎo)體材料稱為第二代半導(dǎo)體材料,而把氮化鎵(GaN) 、碳化硅(SiC)、氧化鋅（ZnO）為代表的半導(dǎo)體材料稱為第三代半導(dǎo)體材料.由于這些材料的禁帶寬度較Si、GaAs等材料更寬,因而它們一般具有更高的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻及大功率器件, 故稱這類材料為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)（通常指禁帶寬度大于2 . 2電子伏特的半導(dǎo)體材料）,也稱高溫半導(dǎo)體材料。

5，關(guān)于計(jì)算禁帶寬度

1.這個(gè)圖正確的應(yīng)該是（ahv）^2~hv的曲線圖，其中a為吸收系數(shù)，a=-1/d*lnT,d為厚度（一般測(cè)禁帶寬度時(shí)，使用的是薄膜樣品，所以d即為膜厚）；2.圖中的直線并不是直接通過(guò)測(cè)試的數(shù)據(jù)得到的，而是先畫出（ahv）^2~hv的曲線圖后，采用外推法，在曲線的拐點(diǎn)處做切線，外推至x軸，即f（（ahv）^2）=0時(shí)，該直線與x軸交點(diǎn)處的值，即為該樣品的禁帶寬度。這就是你圖中所對(duì)應(yīng)的3點(diǎn)幾eV;3.hv是光子能量，不是禁帶寬度，在這個(gè)圖中，只表示的是曲線部分的橫坐標(biāo)，與直線無(wú)關(guān)O(∩_∩)O~。4.大概就這些，詳細(xì)的內(nèi)容，樓主可以查閱一下到江大論壇網(wǎng)站查看回答詳情>>

6，怎么求禁帶寬度

很多材料的禁帶寬度都是已知的，可以直接查找，如果是對(duì)于未知的材料通過(guò)計(jì)算來(lái)求禁帶寬度的話，需要計(jì)算材料的電子結(jié)構(gòu)，然后判斷出導(dǎo)帶和禁帶的位置，它們之間的最小間距就是禁帶寬度

禁帶寬度是指一個(gè)能帶寬度(單位是電子伏特(ev)).固體中電子的能量是不可以連續(xù)取值的，而是一些不連續(xù)的能帶。要導(dǎo)電就要有自由電子存在。自由電子存在的能帶稱為導(dǎo)帶（能導(dǎo)電）。被束縛的電子要成為自由電子，就必須獲得足夠能量從而躍遷到導(dǎo)帶，這個(gè)能量的最小值就是禁帶寬度。硅的禁帶寬度為0.8ev,砷化鎵比他高得多（具體不記得了，大概是一點(diǎn)幾還是二點(diǎn)幾）。禁帶非常窄就成為金屬了，反之則成為絕緣體。半導(dǎo)體的反向耐壓，正向壓降都合禁帶寬度攸關(guān)。