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1，什么是場效應管作用是什么

場效應管的作用 1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。 3、場效應管可以用作可變電阻。 4、場效應管可以方便地用作恒流源。 5、場效應管可以用作電子開關。

場效應晶體管（field effect transistor縮寫（fet））簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。作用：1.場效應管可應用于放大。2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。3.場效應管可以用作可變電阻。4.場效應管可以方便地用作恒流源。5.場效應管可以用作電子開關。

什么是場效應管作用是什么

2，什么是場效應管

即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。場效應三極管的型號命名方法現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代表結(jié)型場效應管,O代表絕緣柵場效應管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應三極管,3DO6C 是絕緣柵型N溝道場效應三極管。第二種命名方法是CS××#,CS代表場效應管,××以數(shù)字代表型號的序號,#用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。

什么是場效應管

3，場效應管的常見的場效應管

MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID。VMOS場效應管 VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構特點:第一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最后垂直向下到達漏極D。因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。

如果不考慮形狀用2sk的基本能代替。n溝的開關型。 2sk11，12，15-19，25-40，43-49太多了注意耐壓大于20v基本可以。

場效應管的常見的場效應管

4，什么是場效應管啊

根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。 1.概念: 　　場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件. 　　特點: 　　具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者. 　　作用: 　　場效應管可應用于放大.由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器. 　　場效應管可以用作電子開關. 　　場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應管可以用作可變電阻.場效應管可以方便地用作恒流源. 2.場效應管的分類: 　　場效應管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類　　按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種. 　　按導電方式:耗盡型與增強型,結(jié)型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。　　場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類.

三級管是電壓放大場效應管電流放大

場效應管分P溝道和N溝道,至于N溝道有哪些型號,目前已有多少沒一個人說得全,而且不定期的在生產(chǎn)出新型號哈哈.

5，什么叫場效應管

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，又稱單極型晶體管。

1.概念:場效應晶體管（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效應管.由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件.特點:具有輸入電阻高（100000000～1000000000ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.作用:場效應管可應用于放大.由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.場效應管可以用作電子開關.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應管可以用作可變電阻.場效應管可以方便地用作恒流源.2.場效應管的分類:場效應管分結(jié)型、絕緣柵型(mos)兩大類按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種.按導電方式:耗盡型與增強型,結(jié)型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和mos場效應晶體管,而mos場效應晶體管又分為n溝耗盡型和增強型;p溝耗盡型和增強型四大類.見下圖 :3.場效應管的主要參數(shù) :idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓ugs=0時的漏源電流.up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓.ut — 開啟電壓.是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓.gm — 跨導.是表示柵源電壓ugs — 對漏極電流id的控制能力,即漏極電流id變化量與柵源電壓ugs變化量的比值.gm 是衡量場效應管放大能力的重要參數(shù).bvds — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓ugs一定時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項極限參數(shù),加在場效應管上的工作電壓必須小于bvds.pdsm — 最大耗散功率,也是一項極限參數(shù),是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率.使用時,場效應管實際功耗應小于pdsm并留有一定余量.idsm — 最大漏源電流.是一項極限參數(shù),是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流.場效應管的工作電流不應超過idsm4.結(jié)型場效應管的管腳識別:判定柵極g:將萬用表撥至r×1k檔,用萬用表的負極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個極,測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等,則負表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測出的電阻都很大,則為n溝道;若兩次測得的阻值都很小,則為p溝道.判定源極s、漏極d:在源-漏之間有一個pn結(jié),因此根據(jù)pn結(jié)正、反向電阻存在差異,可識別s極與d極.用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,此時黑表筆的是s極,紅表筆接d極.5.常效應管與晶體三極管的比較場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管.場效應管是利用多數(shù)載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導電,被稱之為雙極型器件.有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好.場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用.一、場效應管的結(jié)構原理及特性場效應管有結(jié)型和絕緣柵兩種結(jié)構，每種結(jié)構又有n溝道和p溝道兩種導電溝道。1、結(jié)型場效應管（jfet）（1）結(jié)構原理它的結(jié)構及符號見圖1。在n型硅棒兩端引出漏極d和源極s兩個電極，又在硅棒的兩側(cè)各做一個p區(qū)，形成兩個pn結(jié)。在p區(qū)引出電極并連接起來，稱為柵極go這樣就構成了n型溝道的場效應管圖1、n溝道結(jié)構型場效應管的結(jié)構及符號由于pn結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故pn基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區(qū)，從圖1中可見，當漏極電源電壓ed一定時，如果柵極電壓越負，pn結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流id就愈??；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，id變大，所以用柵極電壓eg可以控制漏極電流id的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性圖2（a）給出了n溝道結(jié)型場效應管的柵壓---漏流特性曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線，它和電子管的動態(tài)特性曲線非常相似，當柵極電壓vgs=0時的漏源電流。用idss表示。vgs變負時，id逐漸減小。id接近于零的柵極電壓稱為夾斷電壓，用vp表示，在0≥vgs≥vp的區(qū)段內(nèi)，id與vgs的關系可近似表示為：id=idss（1-|vgs/vp|）其跨導gm為：gm=（△id/△vgs）|vds=常微（微歐）|式中：△id------漏極電流增量（微安）------△vgs-----柵源電壓增量（伏）圖2、結(jié)型場效應管特性曲線2）漏極特性（輸出特性）圖2(b)給出了場效應管的漏極特性曲線，它和晶體三極管的輸出特性曲線很相似。①可變電阻區(qū)（圖中i區(qū)）在i區(qū)里vds比較小，溝通電阻隨柵壓vgs而改變，故稱為可變電阻區(qū)。當柵壓一定時，溝通電阻為定值，id隨vds近似線性增大，當vgs＜vp時，漏源極間電阻很大（關斷）。ip=0；當vgs=0時，漏源極間電阻很?。▽ǎ?，id=idss。這一特性使場效應管具有開關作用。②恒流區(qū)（區(qū)中ii區(qū)）當漏極電壓vds繼續(xù)增大到vds＞|vp|時，漏極電流，ip達到了飽和值后基本保持不變，這一區(qū)稱為恒流區(qū)或飽和區(qū)，在這里，對于不同的vgs漏極特性曲線近似平行線，即id與vgs成線性關系，故又稱線性放大區(qū)。③擊穿區(qū)（圖中ⅲ區(qū)）如果vds繼續(xù)增加，以至超過了pn結(jié)所能承受的電壓而被擊穿，漏極電流id突然增大，若不加限制措施，管子就會燒壞。2、絕緣柵場效應管它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬---氧化物---半導體場效應管，簡稱mos場效應管。（1）結(jié)構原理它的結(jié)構、電極及符號見圖3所示，以一塊p型薄硅片作為襯底，在它上面擴散兩個高雜質(zhì)的n型區(qū)，作為源極s和漏極d。在硅片表覆蓋一層絕緣物，然后再用金屬鋁引出一個電極g（柵極）由于柵極與其它電極絕緣，所以稱為絕緣柵場面效應管。圖3、n溝道（耗盡型）絕緣柵場效應管結(jié)構及符號在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的n區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在vgs=0時也有較大的漏極電流id。當柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流id隨著柵極電壓的變化而變化。場效應管的式作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型，當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性（柵壓----漏流特性）圖4（a）給出了n溝道耗盡型絕緣柵場效應管的轉(zhuǎn)移行性曲線，圖中vp為夾斷電壓（柵源截止電壓）；idss為飽和漏電流。圖4（b）給出了n溝道增強型絕緣柵場效管的轉(zhuǎn)移特性曲線，圖中vr為開啟電壓，當柵極電壓超過vt時，漏極電流才開始顯著增加。2）漏極特性（輸出特性）圖5（a）給出了n溝道耗盡型絕緣柵場效應管的輸出特性曲線。圖5(b)為n溝道增強型絕緣柵場效應管的輸出特性曲線。圖4、n溝道m(xù)os場效管的轉(zhuǎn)移特性曲線圖5、n溝道m(xù)os場效應管的輸出特性曲線此外還有n襯底p溝道（見圖1）的場效應管，亦分為耗盡型號增強型兩種，各種場效應器件的分類，電壓符號和主要伏安特性（轉(zhuǎn)移特性、輸出特性）二、場效應管的主要參數(shù) 1、夾斷電壓vp當vds為某一固定數(shù)值，使ids等于某一微小電流時，柵極上所加的偏壓vgs就是夾斷電壓vp。2、飽和漏電流idss在源、柵極短路條件下，漏源間所加的電壓大于vp時的漏極電流稱為idss。3、擊穿電壓bvds表示漏、源極間所能承受的最大電壓，即漏極飽和電流開始上升進入擊穿區(qū)時對應的vds。4、直流輸入電阻rgs在一定的柵源電壓下，柵、源之間的直流電阻，這一特性有以流過柵極的電流來表示，結(jié)型場效應管的rgs可達1000000000歐而絕緣柵場效應管的rgs可超過10000000000000歐。5、低頻跨導gm漏極電流的微變量與引起這個變化的柵源電壓微數(shù)變量之比，稱為跨導，即gm= △id/△vgs它是衡量場效應管柵源電壓對漏極電流控制能力的一個參數(shù)，也是衡量放大作用的重要參數(shù)，此參靈敏常以柵源電壓變化1伏時，漏極相應變化多少微安（μa/v）或毫安（ma/v）來表示

6，什么是場效應管

場效應管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件--------------------------------------------------------------1.概念:場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件.特點:具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.作用:場效應管可應用于放大.由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.場效應管可以用作電子開關.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應管可以用作可變電阻.場效應管可以方便地用作恒流源.2.場效應管的分類:場效應管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.按導電方式:耗盡型與增強型,結(jié)型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類.見下圖 :3.場效應管的主要參數(shù) :Idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流.Up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓.Ut — 開啟電壓.是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓.gM — 跨導.是表示柵源電壓UGS — 對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數(shù).BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項極限參數(shù),加在場效應管上的工作電壓必須小于BVDS.PDSM — 最大耗散功率,也是一項極限參數(shù),是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率.使用時,場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量.IDSM — 最大漏源電流.是一項極限參數(shù),是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流.場效應管的工作電流不應超過IDSM4.結(jié)型場效應管的管腳識別:判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔,用萬用表的負極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個極,測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等,則負表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測出的電阻都很大,則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小,則為P溝道.判定源極S、漏極D:在源-漏之間有一個PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極.用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,此時黑表筆的是S極,紅表筆接D極.5.常效應管與晶體三極管的比較場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管.場效應管是利用多數(shù)載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導電,被稱之為雙極型器件.有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好.場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用.一、場效應管的結(jié)構原理及特性場效應管有結(jié)型和絕緣柵兩種結(jié)構，每種結(jié)構又有N溝道和P溝道兩種導電溝道。1、結(jié)型場效應管（JFET）（1）結(jié)構原理它的結(jié)構及符號見圖1。在N型硅棒兩端引出漏極D和源極S兩個電極，又在硅棒的兩側(cè)各做一個P區(qū)，形成兩個PN結(jié)。在P區(qū)引出電極并連接起來，稱為柵極Go這樣就構成了N型溝道的場效應管圖1、N溝道結(jié)構型場效應管的結(jié)構及符號由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區(qū)，從圖1中可見，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈小；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性圖2（a）給出了N溝道結(jié)型場效應管的柵壓---漏流特性曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線，它和電子管的動態(tài)特性曲線非常相似，當柵極電壓VGS=0時的漏源電流。用IDSS表示。VGS變負時，ID逐漸減小。ID接近于零的柵極電壓稱為夾斷電壓，用VP表示，在0≥VGS≥VP的區(qū)段內(nèi)，ID與VGS的關系可近似表示為：ID=IDSS（1-|VGS/VP|）其跨導gm為：gm=（△ID/△VGS）|VDS=常微（微歐）|式中：△ID------漏極電流增量（微安）------△VGS-----柵源電壓增量（伏）圖2、結(jié)型場效應管特性曲線2）漏極特性（輸出特性）圖2(b)給出了場效應管的漏極特性曲線，它和晶體三極管的輸出特性曲線很相似。①可變電阻區(qū)（圖中I區(qū)）在I區(qū)里VDS比較小，溝通電阻隨柵壓VGS而改變，故稱為可變電阻區(qū)。當柵壓一定時，溝通電阻為定值，ID隨VDS近似線性增大，當VGS＜VP時，漏源極間電阻很大（關斷）。IP=0；當VGS=0時，漏源極間電阻很?。▽ǎ?，ID=IDSS。這一特性使場效應管具有開關作用。②恒流區(qū)（區(qū)中II區(qū)）當漏極電壓VDS繼續(xù)增大到VDS＞|VP|時，漏極電流，IP達到了飽和值后基本保持不變，這一區(qū)稱為恒流區(qū)或飽和區(qū)，在這里，對于不同的VGS漏極特性曲線近似平行線，即ID與VGS成線性關系，故又稱線性放大區(qū)。③擊穿區(qū)（圖中Ⅲ區(qū)）如果VDS繼續(xù)增加，以至超過了PN結(jié)所能承受的電壓而被擊穿，漏極電流ID突然增大，若不加限制措施，管子就會燒壞。2、絕緣柵場效應管它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬---氧化物---半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。（1）結(jié)構原理它的結(jié)構、電極及符號見圖3所示，以一塊P型薄硅片作為襯底，在它上面擴散兩個高雜質(zhì)的N型區(qū)，作為源極S和漏極D。在硅片表覆蓋一層絕緣物，然后再用金屬鋁引出一個電極G（柵極）由于柵極與其它電極絕緣，所以稱為絕緣柵場面效應管。圖3、N溝道（耗盡型）絕緣柵場效應管結(jié)構及符號在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場效應管的式作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型，當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性（柵壓----漏流特性）圖4（a）給出了N溝道耗盡型絕緣柵場效應管的轉(zhuǎn)移行性曲線，圖中Vp為夾斷電壓（柵源截止電壓）；IDSS為飽和漏電流。圖4（b）給出了N溝道增強型絕緣柵場效管的轉(zhuǎn)移特性曲線，圖中Vr為開啟電壓，當柵極電壓超過VT時，漏極電流才開始顯著增加。2）漏極特性（輸出特性）圖5（a）給出了N溝道耗盡型絕緣柵場效應管的輸出特性曲線。圖5(b)為N溝道增強型絕緣柵場效應管的輸出特性曲線。圖4、N溝道MOS場效管的轉(zhuǎn)移特性曲線圖5、N溝道MOS場效應管的輸出特性曲線此外還有N襯底P溝道（見圖1）的場效應管，亦分為耗盡型號增強型兩種，各種場效應器件的分類，電壓符號和主要伏安特性（轉(zhuǎn)移特性、輸出特性）二、場效應管的主要參數(shù) 1、夾斷電壓VP當VDS為某一固定數(shù)值，使IDS等于某一微小電流時，柵極上所加的偏壓VGS就是夾斷電壓VP。2、飽和漏電流IDSS在源、柵極短路條件下，漏源間所加的電壓大于VP時的漏極電流稱為IDSS。3、擊穿電壓BVDS表示漏、源極間所能承受的最大電壓，即漏極飽和電流開始上升進入擊穿區(qū)時對應的VDS。4、直流輸入電阻RGS在一定的柵源電壓下，柵、源之間的直流電阻，這一特性有以流過柵極的電流來表示，結(jié)型場效應管的RGS可達1000000000歐而絕緣柵場效應管的RGS可超過10000000000000歐。5、低頻跨導gm漏極電流的微變量與引起這個變化的柵源電壓微數(shù)變量之比，稱為跨導，即gm= △ID/△VGS它是衡量場效應管柵源電壓對漏極電流控制能力的一個參數(shù)，也是衡量放大作用的重要參數(shù)，此參靈敏常以柵源電壓變化1伏時，漏極相應變化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）來表示

即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015ω）。它也分n溝道管和p溝道管。通常是將襯底（基板）與源極s接在一起。根據(jù)導電方式的不同，mosfet又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當vgs=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的vgs后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當vgs=0時即形成溝道，加上正確的vgs時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。場效應三極管的型號命名方法現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母j代表結(jié)型場效應管,o代表絕緣柵場效應管。第二位字母代表材料,d是p型硅,反型層是n溝道;c是n型硅p溝道。例如,3dj6d是結(jié)型n溝道場效應三極管,3do6c 是絕緣柵型n溝道場效應三極管。第二種命名方法是cs××#,cs代表場效應管,××以數(shù)字代表型號的序號,#用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。例如cs14a、cs45g等。

三極管是電流控制型器件，場效應管是電壓控制型器件。通過控制三極管的Ib可以使三極管工作在導通、截止、放大三種狀態(tài)。通過控制場效應管的Vge可以使場效應管工作在導通、截止、放大三種狀態(tài)。

場效應管（Field Effect Transistor）是一種利用電場效應來控制電流大小的半導體器件，按結(jié)構可分為結(jié)型場效應管（Junction Field Effect Transistor，JFET）金屬—氧化物—半導體場效應管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）金屬半導體場效應管（MEtal Semiconductor Field Effect Transistor，MESFET）高速電子遷移率電晶體（High Electron Mobility Transistor，HEMT）異質(zhì)介面雙載子電晶體（Hetero-junction Bipolar Transistor，HBT）調(diào)制雜場效應管（Modulation Doped Field Effect Transistor，MODFET）場效應管體積小、重量輕、耗電省、壽命長，并具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強和制造工藝簡單等優(yōu)點，因而應用范圍廣，特別在大規(guī)模集成電路（LSI）和超大規(guī)模集成電路（VLSI）中得到廣泛應用。

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