場(chǎng)效應(yīng)管，什么是場(chǎng)效應(yīng)管作用是什么

來源：整理時(shí)間：2024-09-28 10:46:50 編輯：智能門戶手機(jī)版

1，什么是場(chǎng)效應(yīng)管作用是什么

場(chǎng)效應(yīng)管的作用 1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。 3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。 4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（field effect transistor縮寫（fet））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。作用：1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

什么是場(chǎng)效應(yīng)管作用是什么

2，什么是場(chǎng)效應(yīng)管

即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管,3DO6C 是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。第二種命名方法是CS××#,CS代表場(chǎng)效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào),#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。

什么是場(chǎng)效應(yīng)管

3，場(chǎng)效應(yīng)管的常見的場(chǎng)效應(yīng)管

MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID。VMOS場(chǎng)效應(yīng)管 VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):第一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最后垂直向下到達(dá)漏極D。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。

如果不考慮形狀用2sk的基本能代替。n溝的開關(guān)型。 2sk11，12，15-19，25-40，43-49太多了注意耐壓大于20v基本可以。

場(chǎng)效應(yīng)管的常見的場(chǎng)效應(yīng)管

4，什么是場(chǎng)效應(yīng)管啊

根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。 1.概念: 　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件. 　　特點(diǎn): 　　具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者. 　　作用: 　　場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大.由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器. 　　場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān). 　　場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源. 2.場(chǎng)效應(yīng)管的分類: 　　場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類　　按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種. 　　按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類.

三級(jí)管是電壓放大場(chǎng)效應(yīng)管電流放大

場(chǎng)效應(yīng)管分P溝道和N溝道,至于N溝道有哪些型號(hào),目前已有多少?zèng)]一個(gè)人說得全,而且不定期的在生產(chǎn)出新型號(hào)哈哈.

5，什么叫場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。

1.概念:場(chǎng)效應(yīng)晶體管（field effect transistor縮寫(fet)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.特點(diǎn):具有輸入電阻高（100000000～1000000000ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者.作用:場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大.由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān).場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源.2.場(chǎng)效應(yīng)管的分類:場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(mos)兩大類按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種.按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為n溝耗盡型和增強(qiáng)型;p溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類.見下圖 :3.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) :idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓ugs=0時(shí)的漏源電流.up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓.ut — 開啟電壓.是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓.gm — 跨導(dǎo).是表示柵源電壓ugs — 對(duì)漏極電流id的控制能力,即漏極電流id變化量與柵源電壓ugs變化量的比值.gm 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).bvds — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓ugs一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于bvds.pdsm — 最大耗散功率,也是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于pdsm并留有一定余量.idsm — 最大漏源電流.是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過的最大電流.場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過idsm4.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別:判定柵極g:將萬用表撥至r×1k檔,用萬用表的負(fù)極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極,測(cè)其電阻.若兩次測(cè)得的電阻值近似相等,則負(fù)表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測(cè)出的電阻都很大,則為n溝道;若兩次測(cè)得的阻值都很小,則為p溝道.判定源極s、漏極d:在源-漏之間有一個(gè)pn結(jié),因此根據(jù)pn結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別s極與d極.用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是s極,紅表筆接d極.5.常效應(yīng)管與晶體三極管的比較場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管.場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件.有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好.場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用.一、場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理及特性場(chǎng)效應(yīng)管有結(jié)型和絕緣柵兩種結(jié)構(gòu)，每種結(jié)構(gòu)又有n溝道和p溝道兩種導(dǎo)電溝道。1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（jfet）（1）結(jié)構(gòu)原理它的結(jié)構(gòu)及符號(hào)見圖1。在n型硅棒兩端引出漏極d和源極s兩個(gè)電極，又在硅棒的兩側(cè)各做一個(gè)p區(qū)，形成兩個(gè)pn結(jié)。在p區(qū)引出電極并連接起來，稱為柵極go這樣就構(gòu)成了n型溝道的場(chǎng)效應(yīng)管圖1、n溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)由于pn結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故pn基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，從圖1中可見，當(dāng)漏極電源電壓ed一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù)，pn結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流id就愈小；反之，如果柵極電壓沒有那么負(fù)，則溝道變寬，id變大，所以用柵極電壓eg可以控制漏極電流id的變化，就是說，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性圖2（a）給出了n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵壓---漏流特性曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線，它和電子管的動(dòng)態(tài)特性曲線非常相似，當(dāng)柵極電壓vgs=0時(shí)的漏源電流。用idss表示。vgs變負(fù)時(shí)，id逐漸減小。id接近于零的柵極電壓稱為夾斷電壓，用vp表示，在0≥vgs≥vp的區(qū)段內(nèi)，id與vgs的關(guān)系可近似表示為：id=idss（1-|vgs/vp|）其跨導(dǎo)gm為：gm=（△id/△vgs）|vds=常微（微歐）|式中：△id------漏極電流增量（微安）------△vgs-----柵源電壓增量（伏）圖2、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線2）漏極特性（輸出特性）圖2(b)給出了場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線，它和晶體三極管的輸出特性曲線很相似。①可變電阻區(qū)（圖中i區(qū)）在i區(qū)里vds比較小，溝通電阻隨柵壓vgs而改變，故稱為可變電阻區(qū)。當(dāng)柵壓一定時(shí)，溝通電阻為定值，id隨vds近似線性增大，當(dāng)vgs＜vp時(shí)，漏源極間電阻很大（關(guān)斷）。ip=0；當(dāng)vgs=0時(shí)，漏源極間電阻很?。▽?dǎo)通），id=idss。這一特性使場(chǎng)效應(yīng)管具有開關(guān)作用。②恒流區(qū)（區(qū)中ii區(qū)）當(dāng)漏極電壓vds繼續(xù)增大到vds＞|vp|時(shí)，漏極電流，ip達(dá)到了飽和值后基本保持不變，這一區(qū)稱為恒流區(qū)或飽和區(qū)，在這里，對(duì)于不同的vgs漏極特性曲線近似平行線，即id與vgs成線性關(guān)系，故又稱線性放大區(qū)。③擊穿區(qū)（圖中ⅲ區(qū)）如果vds繼續(xù)增加，以至超過了pn結(jié)所能承受的電壓而被擊穿，漏極電流id突然增大，若不加限制措施，管子就會(huì)燒壞。2、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬---氧化物---半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱mos場(chǎng)效應(yīng)管。（1）結(jié)構(gòu)原理它的結(jié)構(gòu)、電極及符號(hào)見圖3所示，以一塊p型薄硅片作為襯底，在它上面擴(kuò)散兩個(gè)高雜質(zhì)的n型區(qū)，作為源極s和漏極d。在硅片表覆蓋一層絕緣物，然后再用金屬鋁引出一個(gè)電極g（柵極）由于柵極與其它電極絕緣，所以稱為絕緣柵場(chǎng)面效應(yīng)管。圖3、n溝道（耗盡型）絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)及符號(hào)在制造管子時(shí)，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的n區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在vgs=0時(shí)也有較大的漏極電流id。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流id隨著柵極電壓的變化而變化。場(chǎng)效應(yīng)管的式作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗散型，當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性（柵壓----漏流特性）圖4（a）給出了n溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移行性曲線，圖中vp為夾斷電壓（柵源截止電壓）；idss為飽和漏電流。圖4（b）給出了n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管的轉(zhuǎn)移特性曲線，圖中vr為開啟電壓，當(dāng)柵極電壓超過vt時(shí)，漏極電流才開始顯著增加。2）漏極特性（輸出特性）圖5（a）給出了n溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。圖5(b)為n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。圖4、n溝道m(xù)os場(chǎng)效管的轉(zhuǎn)移特性曲線圖5、n溝道m(xù)os場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線此外還有n襯底p溝道（見圖1）的場(chǎng)效應(yīng)管，亦分為耗盡型號(hào)增強(qiáng)型兩種，各種場(chǎng)效應(yīng)器件的分類，電壓符號(hào)和主要伏安特性（轉(zhuǎn)移特性、輸出特性）二、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 1、夾斷電壓vp當(dāng)vds為某一固定數(shù)值，使ids等于某一微小電流時(shí)，柵極上所加的偏壓vgs就是夾斷電壓vp。2、飽和漏電流idss在源、柵極短路條件下，漏源間所加的電壓大于vp時(shí)的漏極電流稱為idss。3、擊穿電壓bvds表示漏、源極間所能承受的最大電壓，即漏極飽和電流開始上升進(jìn)入擊穿區(qū)時(shí)對(duì)應(yīng)的vds。4、直流輸入電阻rgs在一定的柵源電壓下，柵、源之間的直流電阻，這一特性有以流過柵極的電流來表示，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的rgs可達(dá)1000000000歐而絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的rgs可超過10000000000000歐。5、低頻跨導(dǎo)gm漏極電流的微變量與引起這個(gè)變化的柵源電壓微數(shù)變量之比，稱為跨導(dǎo)，即gm= △id/△vgs它是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)，也是衡量放大作用的重要參數(shù)，此參靈敏常以柵源電壓變化1伏時(shí)，漏極相應(yīng)變化多少微安（μa/v）或毫安（ma/v）來表示

6，什么是場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件--------------------------------------------------------------1.概念:場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.特點(diǎn):具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者.作用:場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大.由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān).場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源.2.場(chǎng)效應(yīng)管的分類:場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類.見下圖 :3.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) :Idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流.Up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓.Ut — 開啟電壓.是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓.gM — 跨導(dǎo).是表示柵源電壓UGS — 對(duì)漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BVDS.PDSM — 最大耗散功率,也是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量.IDSM — 最大漏源電流.是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過的最大電流.場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM4.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別:判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔,用萬用表的負(fù)極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極,測(cè)其電阻.若兩次測(cè)得的電阻值近似相等,則負(fù)表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測(cè)出的電阻都很大,則為N溝道;若兩次測(cè)得的阻值都很小,則為P溝道.判定源極S、漏極D:在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D極.用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極.5.常效應(yīng)管與晶體三極管的比較場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管.場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件.有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好.場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用.一、場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理及特性場(chǎng)效應(yīng)管有結(jié)型和絕緣柵兩種結(jié)構(gòu)，每種結(jié)構(gòu)又有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電溝道。1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）（1）結(jié)構(gòu)原理它的結(jié)構(gòu)及符號(hào)見圖1。在N型硅棒兩端引出漏極D和源極S兩個(gè)電極，又在硅棒的兩側(cè)各做一個(gè)P區(qū)，形成兩個(gè)PN結(jié)。在P區(qū)引出電極并連接起來，稱為柵極Go這樣就構(gòu)成了N型溝道的場(chǎng)效應(yīng)管圖1、N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，從圖1中可見，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒有那么負(fù)，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性圖2（a）給出了N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵壓---漏流特性曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線，它和電子管的動(dòng)態(tài)特性曲線非常相似，當(dāng)柵極電壓VGS=0時(shí)的漏源電流。用IDSS表示。VGS變負(fù)時(shí)，ID逐漸減小。ID接近于零的柵極電壓稱為夾斷電壓，用VP表示，在0≥VGS≥VP的區(qū)段內(nèi)，ID與VGS的關(guān)系可近似表示為：ID=IDSS（1-|VGS/VP|）其跨導(dǎo)gm為：gm=（△ID/△VGS）|VDS=常微（微歐）|式中：△ID------漏極電流增量（微安）------△VGS-----柵源電壓增量（伏）圖2、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線2）漏極特性（輸出特性）圖2(b)給出了場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線，它和晶體三極管的輸出特性曲線很相似。①可變電阻區(qū)（圖中I區(qū)）在I區(qū)里VDS比較小，溝通電阻隨柵壓VGS而改變，故稱為可變電阻區(qū)。當(dāng)柵壓一定時(shí)，溝通電阻為定值，ID隨VDS近似線性增大，當(dāng)VGS＜VP時(shí)，漏源極間電阻很大（關(guān)斷）。IP=0；當(dāng)VGS=0時(shí)，漏源極間電阻很?。▽?dǎo)通），ID=IDSS。這一特性使場(chǎng)效應(yīng)管具有開關(guān)作用。②恒流區(qū)（區(qū)中II區(qū)）當(dāng)漏極電壓VDS繼續(xù)增大到VDS＞|VP|時(shí)，漏極電流，IP達(dá)到了飽和值后基本保持不變，這一區(qū)稱為恒流區(qū)或飽和區(qū)，在這里，對(duì)于不同的VGS漏極特性曲線近似平行線，即ID與VGS成線性關(guān)系，故又稱線性放大區(qū)。③擊穿區(qū)（圖中Ⅲ區(qū)）如果VDS繼續(xù)增加，以至超過了PN結(jié)所能承受的電壓而被擊穿，漏極電流ID突然增大，若不加限制措施，管子就會(huì)燒壞。2、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬---氧化物---半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。（1）結(jié)構(gòu)原理它的結(jié)構(gòu)、電極及符號(hào)見圖3所示，以一塊P型薄硅片作為襯底，在它上面擴(kuò)散兩個(gè)高雜質(zhì)的N型區(qū)，作為源極S和漏極D。在硅片表覆蓋一層絕緣物，然后再用金屬鋁引出一個(gè)電極G（柵極）由于柵極與其它電極絕緣，所以稱為絕緣柵場(chǎng)面效應(yīng)管。圖3、N溝道（耗盡型）絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)及符號(hào)在制造管子時(shí)，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場(chǎng)效應(yīng)管的式作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗散型，當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性（柵壓----漏流特性）圖4（a）給出了N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移行性曲線，圖中Vp為夾斷電壓（柵源截止電壓）；IDSS為飽和漏電流。圖4（b）給出了N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管的轉(zhuǎn)移特性曲線，圖中Vr為開啟電壓，當(dāng)柵極電壓超過VT時(shí)，漏極電流才開始顯著增加。2）漏極特性（輸出特性）圖5（a）給出了N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。圖5(b)為N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。圖4、N溝道MOS場(chǎng)效管的轉(zhuǎn)移特性曲線圖5、N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線此外還有N襯底P溝道（見圖1）的場(chǎng)效應(yīng)管，亦分為耗盡型號(hào)增強(qiáng)型兩種，各種場(chǎng)效應(yīng)器件的分類，電壓符號(hào)和主要伏安特性（轉(zhuǎn)移特性、輸出特性）二、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 1、夾斷電壓VP當(dāng)VDS為某一固定數(shù)值，使IDS等于某一微小電流時(shí)，柵極上所加的偏壓VGS就是夾斷電壓VP。2、飽和漏電流IDSS在源、柵極短路條件下，漏源間所加的電壓大于VP時(shí)的漏極電流稱為IDSS。3、擊穿電壓BVDS表示漏、源極間所能承受的最大電壓，即漏極飽和電流開始上升進(jìn)入擊穿區(qū)時(shí)對(duì)應(yīng)的VDS。4、直流輸入電阻RGS在一定的柵源電壓下，柵、源之間的直流電阻，這一特性有以流過柵極的電流來表示，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的RGS可達(dá)1000000000歐而絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的RGS可超過10000000000000歐。5、低頻跨導(dǎo)gm漏極電流的微變量與引起這個(gè)變化的柵源電壓微數(shù)變量之比，稱為跨導(dǎo)，即gm= △ID/△VGS它是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)，也是衡量放大作用的重要參數(shù)，此參靈敏常以柵源電壓變化1伏時(shí)，漏極相應(yīng)變化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）來表示

即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015ω）。它也分n溝道管和p溝道管。通常是將襯底（基板）與源極s接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，mosfet又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)vgs=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的vgs后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)vgs=0時(shí)即形成溝道，加上正確的vgs時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母j代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,o代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表材料,d是p型硅,反型層是n溝道;c是n型硅p溝道。例如,3dj6d是結(jié)型n溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管,3do6c 是絕緣柵型n溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。第二種命名方法是cs××#,cs代表場(chǎng)效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào),#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如cs14a、cs45g等。

三極管是電流控制型器件，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型器件。通過控制三極管的Ib可以使三極管工作在導(dǎo)通、截止、放大三種狀態(tài)。通過控制場(chǎng)效應(yīng)管的Vge可以使場(chǎng)效應(yīng)管工作在導(dǎo)通、截止、放大三種狀態(tài)。

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流大小的半導(dǎo)體器件，按結(jié)構(gòu)可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（Junction Field Effect Transistor，JFET）金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MEtal Semiconductor Field Effect Transistor，MESFET）高速電子遷移率電晶體（High Electron Mobility Transistor，HEMT）異質(zhì)介面雙載子電晶體（Hetero-junction Bipolar Transistor，HBT）調(diào)制雜場(chǎng)效應(yīng)管（Modulation Doped Field Effect Transistor，MODFET）場(chǎng)效應(yīng)管體積小、重量輕、耗電省、壽命長(zhǎng)，并具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)和制造工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，因而應(yīng)用范圍廣，特別在大規(guī)模集成電路（LSI）和超大規(guī)模集成電路（VLSI）中得到廣泛應(yīng)用。