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氮化鋁陶瓷，氮化鋁陶瓷的用途

來源：整理 時(shí)間：2023-08-21 07:11:27 編輯：智能門戶 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，氮化鋁陶瓷的用途

1.氮化鋁粉末純度高，粒徑小，活性大，是制造高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。 2.氮化鋁陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，膨脹系數(shù)低，強(qiáng)度高，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。 工藝路線：氮化鋁粉末采用碳熱還原氮化法；高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片采用氛常壓燒結(jié)法。

氮化鋁陶瓷的用途

2，什么是氮化鋁陶瓷

1、氮化鋁陶瓷是熱導(dǎo)率高的工程材料，與硅半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)相近，而且強(qiáng)度高、介電性能優(yōu)異，作為一種最佳基片材料，在大功率、高速半導(dǎo)體和大尺寸硅芯片中得到有效應(yīng)用
1.氮化鋁粉末純度高，粒徑小，活性大，是制造高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。 2.氮化鋁陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，膨脹系數(shù)低，強(qiáng)度高，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。 工藝路線：氮化鋁粉末采用碳熱還原氮化法；高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片采用氛常壓燒結(jié)法。

什么是氮化鋁陶瓷

3，氮化鋁陶瓷的結(jié)構(gòu)

AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系。化學(xué)組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN熱導(dǎo)率達(dá)260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對(duì)熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。性能指標(biāo)?(1)熱導(dǎo)率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；?(2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；?(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良；?(4)機(jī)械性能好，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結(jié)；?(5)光傳輸特性好；?(6)無毒；

氮化鋁陶瓷的結(jié)構(gòu)

4，什么是氮化鋁陶瓷電路板

氮化鋁陶瓷是一種以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷材料，再在氮化鋁陶瓷基片上面蝕刻金屬電路，就是氮化鋁陶瓷基板了。1、氮化鋁陶瓷英文：AluminiumNitrideCeramic，是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。2、AIN晶體以（AIN4）四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系。3、化學(xué)組成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。4、氮化鋁陶瓷為一種高溫耐熱材料，熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10（-6）/℃。5、多晶AIN熱導(dǎo)率達(dá)260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的高溫。6、氮化鋁陶瓷具有極好的耐侵蝕性。陶瓷電路板具有良好的高頻性能和電學(xué)性能，且具有熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性優(yōu)良等有機(jī)基板不具備的性能，是新一代大規(guī)模集成電路以及功率電子模塊的理想封裝材料。近年來斯利通陶瓷電路板得到了廣泛的關(guān)注和迅速發(fā)展。
1、氮化鋁陶瓷是熱導(dǎo)率高的工程材料，與硅半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)相近，而且強(qiáng)度高、介電性能優(yōu)異，作為一種最佳基片材料，在大功率、高速半導(dǎo)體和大尺寸硅芯片中得到有效應(yīng)用

5，氮化鋁陶瓷基板與與氧化鋁陶瓷基板有哪些區(qū)別

1、導(dǎo)熱率：同為陶瓷電路板，但是有很大的區(qū)別，氧化鋁的導(dǎo)熱率差不多在45 W/(m·K)左右，氮化鋁的導(dǎo)熱率接近其7倍。2、熱膨脹系數(shù)：氧化鋁陶瓷電路板的導(dǎo)熱系數(shù)和氮化鋁陶瓷電路板基本相同。導(dǎo)熱率和熱膨脹系數(shù)是最直接體現(xiàn)電路板性能的參數(shù)，相信大家已經(jīng)能夠比較直觀看出氮化鋁陶瓷電路板的優(yōu)勢，其實(shí)不光光是只是這兩點(diǎn)，氮化鋁陶瓷電路板可以將陶瓷電路板的易碎缺點(diǎn)降到最低，氮化鋁陶瓷電路板的硬度會(huì)比氧化鋁陶瓷電路板的硬度高很多。
氧化鋁基板是白色，氮化鋁基板是灰色。1、氮化鋁陶瓷英文：AluminiumNitrideCeramic，是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。2、AIN晶體以（AIN4）四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系。3、化學(xué)組成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。4、氮化鋁陶瓷為一種高溫耐熱材料，熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10（-6）/℃。5、多晶AIN熱導(dǎo)率達(dá)260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的高溫。6、氮化鋁陶瓷具有極好的耐侵蝕性。其次介紹氧化鋁陶瓷基板：1、氧化鋁陶瓷是一種以氧化鋁（Al2O3）為主體的陶瓷材料，用于集成電路。2、氧化鋁陶瓷是以Al2O3陶瓷材料是以氧離子構(gòu)成的密排六方結(jié)構(gòu)。3、氧化鋁陶瓷有較好的傳導(dǎo)性、機(jī)械強(qiáng)度和耐高溫性。需要注意的是需用超聲波進(jìn)行洗滌。4、氧化鋁陶瓷具有高熔點(diǎn)、高硬度，具有優(yōu)良的耐磨性能。5、氧化鋁陶瓷適用范圍廣，應(yīng)用于大功率設(shè)備、IC MOS管、IGBT貼片式導(dǎo)熱絕緣、高頻電源、通訊、機(jī)械設(shè)備，強(qiáng)電流、高電壓、高溫等需要導(dǎo)熱散熱絕緣的產(chǎn)品部件。

6，什么是AlN陶瓷

　　氮化鋁陶瓷 （Aluminium Nitride Ceramic） 編輯本段結(jié)構(gòu) 　　氮化鋁陶瓷是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系?；瘜W(xué)組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN熱導(dǎo)率達(dá)260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對(duì)熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。 編輯本段性能： 　　AIN陶瓷的性能與制備工藝有關(guān)。 如熱壓燒結(jié)AIN陶瓷，其密度為3 .2一3 .3g/cm3，抗彎強(qiáng)度350一400 MPa(高強(qiáng)型900 MPa)，彈性模量310 GPa，熱導(dǎo)率20-30W.m(-1).K(-1)，熱膨脹系數(shù)5.6x10(-6)K(-1)(25℃一400℃)。機(jī)械加工性和抗氧化性良好。 編輯本段應(yīng)用 　?。?　　1.氮化鋁粉末純度高，粒徑小，活性大，是制造高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。 　　2.氮化鋁陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，膨脹系數(shù)低，強(qiáng)度高，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。 　　3.氮化鋁硬度高,超過傳統(tǒng)氧化鋁,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造價(jià)高,只能用于磨損嚴(yán)重的部位. 　　4.利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機(jī)耐蝕部件，利用其光學(xué)性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。 　　5.氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對(duì)酸穩(wěn)定，但在堿性溶液中易被侵蝕。AIN新生表面暴露在濕空氣中會(huì)反應(yīng)生成極薄的氧化膜。 利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。AIN陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化敏瓷在電子工業(yè)中廣泛應(yīng)用。
文章TAG：氮化鋁陶瓷陶瓷的用途氮化鋁陶瓷

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