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1，混合集成電路混合集成電路是什么意思
2，數(shù)?；旌霞呻娐酚惺裁从?/a>
3，模擬混合信號集成電路學(xué)什么
4，混合集成電路的基本工藝
5，混合微波集成電路是什么
6，混合集成電路

1，混合集成電路混合集成電路是什么意思

就是模擬集成電路和數(shù)字集成電路、控制電路和功率電路做在一起的集成電路。

混合集成電路混合集成電路是什么意思

2，數(shù)?；旌霞呻娐酚惺裁从?/h2>
既能處理數(shù)字邏輯電路，又能解決模擬問題。比如單片機，一般都是數(shù)字電路，但是片內(nèi)ADC就屬于模擬部分。
聯(lián)系：都是集成電路設(shè)計，特別是soc一般是數(shù)字邏輯設(shè)計，而模數(shù)混合包括數(shù)集的設(shè)計。且在現(xiàn)代集成電路設(shè)計中，都有大量ip核可以參考。區(qū)別：soc偏向于一個整體，面向的是系統(tǒng)，一般用硬件語言描述即可，且一般不涉及模擬部分。而模數(shù)混合更加偏向底層，需要詳細(xì)做電路的設(shè)計，而且不僅是用硬件描述語言做描述，仿真方法與soc也不盡相同。

3，模擬混合信號集成電路學(xué)什么

信號學(xué)科：信號與系統(tǒng)，離散信號處理，通信原理數(shù)字電路部分：數(shù)字電路基礎(chǔ)，VLSI，VERILOG或者VHDL語言模擬電路部分：電路分析，模擬電路基礎(chǔ)，模擬CMOS集成電路設(shè)計，模擬版圖的藝術(shù) 工藝部分：半導(dǎo)體物理，微電子器件，半導(dǎo)體工藝與制造軟件部分：MODELSIM, HSPICE,CADENCE, MATLAB, etc PS:興趣是最好的老師。祝成功

混合信號電路最典型的代表是DAC和ADC，即集成電路內(nèi)同時有數(shù)字電路和模擬電路。

模擬混合信號集成電路學(xué)什么

4，混合集成電路的基本工藝

為便于自動化生產(chǎn)和在電子設(shè)備中緊密組裝，混合集成電路的制造采用標(biāo)準(zhǔn)化的絕緣基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基片，可將一個或幾個功能電路制作在一塊基片上。制作過程是先在基片上制造膜式無源元件和互連線，形成無源網(wǎng)絡(luò)，然后安裝上半導(dǎo)體器件或半導(dǎo)體集成電路芯片。膜式無源網(wǎng)絡(luò)用光刻制版和成膜方法制造。在基片上按照一定的工藝順序，制造出具有各種不同形狀和寬度的導(dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)膜。把這些膜層相互組合，構(gòu)成各種電子元件和互連線。在基片上制作好整個電路以后，焊上引出導(dǎo)線,需要時,再在電路上涂覆保護層，最后用外殼密封即成為一個混合集成電路。

前端主要工藝步驟：擴散、離子注入、熱處理、光刻、淀積、金屬化、化學(xué)機械拋光(cmp)、濺射等后端步驟（按順序）：來料檢查、清洗、貼膜、磨片、卸膜、貼片、劃片、劃片檢測、裝片、鍵合、鍵合檢驗、塑封、后烘、電鍍、打標(biāo)、切筋打彎、切筋檢驗、包裝、品質(zhì)檢驗、產(chǎn)品出貨摻雜是為了改變材料局域的電阻率，用于形成有源區(qū)、源漏、p阱和n阱，以及摻雜多晶硅柵極。 mos器件用(100)面，bipolar用(111)面。不過大功率器件一般用原子最密排的(111)面，

5，混合微波集成電路是什么

混合微波集成電路(HMIC)是MACOM開發(fā)的一項復(fù)雜技術(shù)，該技術(shù)可將兩種不同的材料（玻璃和硅）組合成單一的單片結(jié)構(gòu)。這項技術(shù)能夠融合每種材料的最佳性質(zhì)，從而有助于實現(xiàn)具有尺寸和成本優(yōu)勢的單片電路解決方案。HMIC應(yīng)視為GaAs和硅MMIC技術(shù)的輔助技術(shù)。HMIC側(cè)重于使用自動批處理制造和測試技術(shù)為高性能微波集成電路生產(chǎn)具有小尺寸和低損耗特點的電阻、電抗和集總元件。這項技術(shù)適用于晶圓級制造，既能有效突破尺寸、成本和性能限制，還可以顯著提高傳統(tǒng)二極管、有源、無源、混合及芯片細(xì)線微波電路的可靠性和可重復(fù)性。1、高性價比2、提高了可靠性和可重復(fù)性3、可實現(xiàn)寬帶性能4、使制造更靈活5、同時利用玻璃和硅的優(yōu)良性質(zhì)：玻璃 - 低介電常數(shù)和高頻損耗正切；硅 - 高導(dǎo)熱性和低電阻主要應(yīng)用：CATV和有線寬帶、無線回程、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療、測試和測量、芯片細(xì)線高頻微波應(yīng)用

集成電路是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導(dǎo)體制造工藝，把構(gòu)成具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導(dǎo)線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個管殼內(nèi)的電子器件?；旌衔⒉呻娐?hmic)是macom開發(fā)的一項復(fù)雜技術(shù)，該技術(shù)可將兩種不同的材料（玻璃和硅）組合成單一的單片結(jié)構(gòu)。這項技術(shù)能夠融合每種材料的最佳性質(zhì)，從而有助于實現(xiàn)具有尺寸和成本優(yōu)勢的單片電路解決方案。hmic應(yīng)視為gaas和硅mmic技術(shù)的輔助技術(shù)。hmic側(cè)重于使用自動批處理制造和測試技術(shù)為高性能微波集成電路生產(chǎn)具有小尺寸和低損耗特點的電阻、電抗和集總元件。這項技術(shù)適用于晶圓級制造，既能有效突破尺寸、成本和性能限制，還可以顯著提高傳統(tǒng)二極管、有源、無源、混合及芯片細(xì)線微波電路的可靠性和可重復(fù)性。

6，混合集成電路

混合集成電路:混合集成電路是由半導(dǎo)體集成工藝與?。ê瘢┠すに嚱Y(jié)合而制成的集成電路?；旌霞呻娐肥窃诨嫌贸赡し椒ㄖ谱骱衲せ虮∧ぴ捌浠ミB線，并在同一基片上將分立的半導(dǎo)體芯片、單片集成電路或微型元件混合組裝，再外加封裝而成。與分立元件電路相比，混合集成電路具有組裝密度大、可靠性高、電性能好等特點。相對于單片集成電路，它設(shè)計靈活，工藝方便，便于多品種小批量生產(chǎn)；并且元件參數(shù)范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好，可以承受較高電壓和較大功率。電路特點:混合集成電路是將一個電路中所有元件的功能部分集中在一個基片上，能基本上消除電子元件中的輔助部分和各元件間的裝配空隙和焊點，因而能提高電子設(shè)備的裝配密度和可靠性。由于這個結(jié)構(gòu)特點，混合集成電路可當(dāng)作分布參數(shù)網(wǎng)絡(luò)，具有分立元件網(wǎng)路難以達(dá)到的電性能。混合集成電路的另一個特點，是改變導(dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)三種膜的序列、厚度、面積、形狀和性質(zhì)以及它們的引出位置得到具有不同性能的無源網(wǎng)路。電路種類:制造混合集成電路常用的成膜技術(shù)有兩種：網(wǎng)印燒結(jié)和真空制膜。用前一種技術(shù)制造的膜稱為厚膜，其厚度一般在15微米以上，用后一種技術(shù)制造的膜稱為薄膜，厚度從幾百到幾千埃。若混合集成電路的無源網(wǎng)路是厚膜網(wǎng)路，即稱為厚膜混合集成電路；若是薄膜網(wǎng)路，則稱為薄膜混合集成電路。為了滿足微波電路小型化、集成化的要求，又有微波混合集成電路。這種電路按元件參數(shù)的集中和分布情況，又分為集中參數(shù)和分布參數(shù)微波混合集成電路。集中參數(shù)電路在結(jié)構(gòu)上與一般的厚薄膜混合集成電路相同，只是在元件尺寸精度上要求較高。而分布參數(shù)電路則不同，它的無源網(wǎng)路不是由外觀上可分辨的電子元件構(gòu)成，而是全部由微帶線構(gòu)成。對微帶線的尺寸精度要求較高，所以主要用薄膜技術(shù)制造分布參數(shù)微波混合集成電路。基本工藝:為便于自動化生產(chǎn)和在電子設(shè)備中緊密組裝，混合集成電路的制造采用標(biāo)準(zhǔn)化的絕緣基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基片，可將一個或幾個功能電路制作在一塊基片上。制作過程是先在基片上制造膜式無源元件和互連線，形成無源網(wǎng)絡(luò)，然后安裝上半導(dǎo)體器件或半導(dǎo)體集成電路芯片。膜式無源網(wǎng)絡(luò)用光刻制版和成膜方法制造。在基片上按照一定的工藝順序，制造出具有各種不同形狀和寬度的導(dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)膜。把這些膜層相互組合，構(gòu)成各種電子元件和互連線。在基片上制作好整個電路以后，焊上引出導(dǎo)線,需要時,再在電路上涂覆保護層，最后用外殼密封即成為一個混合集成電路。

聯(lián)系：都是集成電路設(shè)計，特別是soc一般是數(shù)字邏輯設(shè)計，而模數(shù)混合包括數(shù)集的設(shè)計。且在現(xiàn)代集成電路設(shè)計中，都有大量ip核可以參考。區(qū)別：soc偏向于一個整體，面向的是系統(tǒng)，一般用硬件語言描述即可，且一般不涉及模擬部分。而模數(shù)混合更加偏向底層，需要詳細(xì)做電路的設(shè)計，而且不僅是用硬件描述語言做描述，仿真方法與soc也不盡相同。