俄歇效應，植物光合作用光反應時會有俄歇效應嗎有的話影不影響光反應速率

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1，植物光合作用光反應時會有俄歇效應嗎有的話影不影響光反應速率

俄歇效應是原子發(fā)射的一個電子導致另一個電子被發(fā)射出來的物理現(xiàn)象。當一個處于內(nèi)層電子被移除后，留下一個空位，高能級的電子就會填補這個空位，同時釋放能量。通常能量以發(fā)射光子的形式釋放，但也可以通過發(fā)射原子中的一個電子來釋放。第二個被發(fā)射的電子叫做俄歇電子。被發(fā)射時，俄歇電子的動能等于第一次電子躍遷的能量與俄歇電子的離子能之間的能差。這些能級的大小取決于原子類型和原子所處的化學環(huán)境。俄歇電子譜，是用X射線或高能電子束來產(chǎn)生俄歇電子，測量其強度和能量的關系而得到的譜線。其結果可以用來識別原子及其原子周圍的環(huán)境。俄歇復合是半導體中一個類似的俄歇現(xiàn)象：一個電子和空穴（電子空穴對）可以復合并通過在能帶內(nèi)發(fā)射電子來釋放能量，從而增加能帶的能量。其逆效應稱作碰撞電離。按照定義，應該不會有的。

不用

植物光合作用光反應時會有俄歇效應嗎有的話影不影響光反應速率

2，原子從一個能級躍遷到一個較低的能級時有可能不發(fā)射光子例如在

由題意可知n=1能級能量為：E1=-A，n=2能級能量為：E2=-A 4 ，從n=2能級躍遷到n=1能級釋放的能量為：△E=E2-E1=3A 4 從n=4能級能量為：E4=-A 16 ，電離需要能量為：E=0-E4=A 16 所以從n=4能級電離后的動能為：EK=△E-E=3A 4 -A 16 =11A 16 ，故ABD錯誤，C正確．故選C． ...展開由題意可知n=1能級能量為：E1=-A，n=2能級能量為：E2=-A 4 ，從n=2能級躍遷到n=1能級釋放的能量為：△E=E2-E1=3A 4 從n=4能級能量為：E4=-A 16 ，電離需要能量為：E=0-E4=A 16 所以從n=4能級電離后的動能為：EK=△E-E=3A 4 -A 16 =11A 16 ，故ABD錯誤，C正確．故選C．收起

原子從一個能級躍遷到一個較低的能級時有可能不發(fā)射光子例如在

3，手持式光譜儀的原理

手持式光譜儀是一種基于XRF光譜分析技術的光譜分析儀器，當能量高于原子內(nèi)層電子結合能的高能X射線與原子發(fā)生碰撞時,驅(qū)逐一個內(nèi)層電子從而出現(xiàn)一個空穴,使整個原子體系處于不穩(wěn)定的狀態(tài),當較外層的電子躍遷到空穴時,產(chǎn)生一次光電子，擊出的光子可能再次被吸收而逐出較外層的另一個次級光電子，發(fā)生俄歇效應,亦稱次級光電效應或無輻射效應。所逐出的次級光電子稱為俄歇電子。當較外層的電子躍入內(nèi)層空穴所釋放的能量不被原子內(nèi)吸收,而是以光子形式放出,便產(chǎn)生X 射線熒光，其能量等于兩能級之間的能量差。因此，射線熒光的能量或波長是特征性的,與元素有一一對應的關系。由Moseley定律可知，只要測出熒光X射線的波長,就可以知道元素的種類,這就是熒光X射線定性分析的基礎。此外,熒光X射線的強度與相應元素的含量有一定的關系,據(jù)此,可以進行元素定量分析。X射線探測器將樣品元素的X射線的特征譜線的光信號轉(zhuǎn)換成易于測量的電信號來得到待測元素的特征信息。

手持式光譜儀的原理

4，俄歇電子能譜的基本原理

測定俄歇電子的能量從而獲得固體表面組成等信息的技術。處于激發(fā)態(tài)的原子可能發(fā)生兩類過程（圖1）。一類是內(nèi)殼層空穴被外殼層電子所填充,由此釋放出能量而產(chǎn)生X射線熒光。另一類是電子由外殼層落到內(nèi)殼層，用所釋放出來的能量打出一個其電離勢更低的軌道電子（通常為價電子）。后一個過程稱為俄歇過程,以發(fā)現(xiàn)此過程的法國科學家P.-V.俄歇命名，被打出來的電子稱為俄歇電子。用光或電子轟擊固體表面，都能產(chǎn)生俄歇效應。　　俄歇電子在固體中運行也同樣要經(jīng)歷頻繁的非彈性散射，能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產(chǎn)生的俄歇電子，這些電子的能量大體上處于 10～500電子伏，它們的平均自由程很短，大約為5～20埃,因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。俄歇電子能譜通常用電子束作輻射源，電子束可以聚焦、掃描，因此俄歇電子能譜可以作表面微區(qū)分析，并且可以從熒光屏上直接獲得俄歇元素像。它是近代考察固體表面的強有力工具，廣泛用于各種材料分析以及催化、吸附、腐蝕、磨損等方面的研究。

5，俄歇效應的發(fā)現(xiàn)過程

奧地利科學家Lise Meitner在1920年首先觀察到俄歇過程。1925年，Pierre Victor Auger在Wilson云室實驗中采用高能X射線來電離氣體，并觀察到了光電子。對電子的測量分析表明其軌跡與入射光子的頻率無關，這表明電子電離的機制是原子內(nèi)部能量交換或無輻射躍遷；運用基本量子力學計算出躍遷率和躍遷概率，以及進一步的實驗和理論研究表明，該效應的機制是無輻射躍遷，而非內(nèi)部能量交換。

1888年。1905年，j·j·湯姆孫通過實驗證實該荷電體與陰極射線一樣是電子流。1899—1902年間，勒納德（p·lenard）對光電效應進行了系統(tǒng)研究，并命名為光電效應。1899年，也就是光能量轉(zhuǎn)換成電能，美國科學家密立根通過精密的定量實驗證明了愛因斯坦的理論解釋，用光量子理論對光電效應進行了全面的解釋。這類光致電變的現(xiàn)象被人們統(tǒng)稱為光電效應（photoelectric effect）光照射到某些物質(zhì)上，引起物質(zhì)的電性質(zhì)發(fā)生變化，德國物理學家霍爾瓦克斯（wilhelm hallwachs)證實是由于在放電間隙內(nèi)出現(xiàn)荷電體的緣故。這一現(xiàn)象是1887年赫茲在實驗研究麥克斯韋電磁理論時偶然發(fā)現(xiàn)的。1916年，愛因斯坦在《關于光的產(chǎn)生和轉(zhuǎn)化的一個啟發(fā)性觀點》一文中

6，什么是光電現(xiàn)象

光電現(xiàn)象電磁輻射（可見光、紫外線、X 射線或γ射線）投射到物體（氣、液、固）上被物體吸收，使這物體的電性質(zhì)發(fā)生變化的現(xiàn)象。它主要包括光電效應、光電離現(xiàn)象、光電導現(xiàn)象、光生伏打效應、俄歇效應、康普頓效應、光核效應。光電效應[1] 在光輻照下，物體內(nèi)部的電子獲得足夠的能量越過表面從物體內(nèi)逸出，這種現(xiàn)象叫做光電發(fā)射效應，逸出的電子稱為光電子。每個光量子具有能量hv，其中h是普朗克常數(shù)，v是光的頻率。光子進入物體后與電子作用，如果電子是自由的，則吸收光子能量的電子，必須克服物體表面勢壘的阻擋才能逸出物體表面，電子從金屬表面逸出時所須作的功稱為材料的逸出功或功函數(shù),用符號W 來表示。因此,電子逸出表面時的最大動能是。 (1) 如果固體中的電子是束縛的，則光子能量還必須大于原子的電離能。純金屬的逸出功都比較高，它不但與材料有關，還與金屬表面狀態(tài)有關。摻雜與表面化學處理是降低材料逸出功的一些具體辦法。絕緣體與半導體中電子的能量分布不同于金屬的，逸出功也和金屬的不同。結果，人們發(fā)現(xiàn)不同材料，盡管逸出功相同，其光電產(chǎn)額（光電子數(shù)與入射光子數(shù)之比）和入射光子的能量關系并不一樣。低逸出功與高光電產(chǎn)額是一切近代光電材料所必須具備的指標，吸收光子與發(fā)射出光電子之間的時間延遲小于0.1ns。光電離現(xiàn)象當光輻照氣體（或液體）時，如果光子能量大于分子（或原子）的電離能，則中性氣體（或液體）的分子（或原子）被電離成電子與正離子，這一過程稱為光電離現(xiàn)象。光電導現(xiàn)象材料在光的輻照下，其電導發(fā)生變化的現(xiàn)象。在光輻照下，材料的電導通常是增大的，但也有少數(shù)相反情況。導體的電導很大，在光的輻照下，電導不會發(fā)生明顯的變化。會發(fā)生明顯變化的材料是半導體，因此，光電導現(xiàn)象是半導體的主要特征之一。當半導體受到光輻照時，自由載流子（自由電子與空穴）增多、電導變大,直到電流-電壓曲線達到飽和為止。光電導中電子的基本過程取決于材料的能帶結構以及材料中的雜質(zhì)等因素。自由載流子的壽命是決定光靈敏度（即每一吸收光子所產(chǎn)生的電導變化）最重要的因素之一。壽命與載流子復合過程的性質(zhì)有關。半導體的光吸收特性是另一個決定光靈敏度的重要因素。當光子能量大于半導體的禁帶能隙時，每個光子可以產(chǎn)生一個自由電荷對，即一個自由電子與一個自由空穴。如果光子能量比禁帶能隙大很多倍，吸收一個光子可以產(chǎn)生許多自由電荷對。光生伏打效應是指物體由于吸收光子而產(chǎn)生電動勢的現(xiàn)象。當兩種不同材料所形成的結受到光輻照時,結上產(chǎn)生電動勢。它的過程先是材料吸收光子的能量，產(chǎn)生數(shù)量相等的正、負電荷，隨后這些電荷分別遷移到結的兩側，形成偶電層。光生伏打效應雖然不是瞬時產(chǎn)生的，但其響應時間是相當短的。當前，光生伏打效應主要是應用在半導體的PN結上，把輻射能轉(zhuǎn)換成電能。大量研究集中在太陽能的轉(zhuǎn)換效率上。理論預期的效率為24％。實驗上已達14％。俄歇效應當X射線或γ射線輻照到物體上時,由于光子能量很高，能穿入物體，使原子內(nèi)殼層上的束縛電子發(fā)射出來，于是，在內(nèi)殼層上出現(xiàn)空位，而原子外殼層上的電子可能躍遷到這空位上。一定的內(nèi)原子殼空位可以引起許多個俄歇電子躍遷。躍遷時釋放的能量將以輻射的形式向外發(fā)射。這種現(xiàn)象是1925年P. -V.俄歇所發(fā)現(xiàn)的，因而稱為俄歇效應。躍遷的電子名為俄歇電子。俄歇效應是研究核子過程（如捕捉過程與內(nèi)轉(zhuǎn)換過程）的重要手段，同時從俄歇電子的能量與強度，可以求出原子或分子中的過渡幾率。反之，由已知能量的俄歇光譜線，可以校準轉(zhuǎn)換電子的能量。康普頓效應 X射線或γ射線通過物質(zhì)時,其散射線中有部分改變了原來的波長，波長的改變量與入射線的波長無關，只由散射角決定。這種現(xiàn)象稱為康普頓效應。其機制是：當光子和靜止電子碰撞時，光子將把一部分能量與動量給予電子，而光子與電子將沿不同方向運動。理論分析結果是入射與散射光子的波長差為 (2) 式中h是普朗克常數(shù),me是靜止的電子質(zhì)量,с是真空中的光速,θ是光子散射角。的值為2.4262×10米，它是長度的基本原子單位，并稱為康普頓波長。不同能區(qū)的光子與分子、原子、電子、原子核發(fā)生相互作用時產(chǎn)生不同的效應。當入射光子的能量較低時(hv<0.5MeV)以產(chǎn)生光電效應為主;入射光子能量很高時(hv>10MeV)，光子可產(chǎn)生正、負電子對；入射光子的能量介于以上能區(qū)之間時，其能量的衰減主要取決于康普頓散射。光核效應如果光子的能量特別高，其波長和原子核的直徑相當，則可以發(fā)生各種核反應。和光電效應極其類似的過程是，在原子核吸收了光子能量后，發(fā)射出質(zhì)子或中子。更復雜的一些相互作用是發(fā)射出較重的粒子（α粒子、氘核、氚核）,或許多個粒子，造成核的光裂變。參考書目 A. L. Hughes and L. A. DuBridge, Photoelectric Phenomena,McGraw-Hill, New York, 1932.

那么多廢話，簡單的說光電現(xiàn)象就是一定頻率的光線照在金屬上，金屬表面可以逸出電子。

光電效應是物理學中一個重要而神奇的現(xiàn)象。在高于某特定頻率的電磁波照射下，某些物質(zhì)內(nèi)部的電子會被光子激發(fā)出來而形成電流，即光生電。

光電效應目錄英文名稱光電效應概述光電效應說明幾種金屬材料的極限波長愛因斯坦方程光電效應的分類英文名稱光電效應∶photoelectric effect[編輯本段]光電效應概述光照射到某些物質(zhì)上，引起物質(zhì)的電性質(zhì)發(fā)生變化。這類光致電變的現(xiàn)象被人們統(tǒng)稱為光電效應。金屬表面在光輻照作用下發(fā)射電子的效應，發(fā)射出來的電子叫做光電子。光波長小于某一臨界值時方能發(fā)射電子，即極限波長，對應的光的頻率叫做極限頻率。臨界值取決于金屬材料，而發(fā)射電子的能量取決于光的波長而與光強度無關，這一點無法用光的波動性解釋。還有一點與光的波動性相矛盾，即光電效應的瞬時性，按波動性理論，如果入射光較弱，照射的時間要長一些，金屬中的電子才能積累住足夠的能量，飛出金屬表面?？墒聦嵤?，只要光的頻率高于金屬的極限頻率，光的亮度無論強弱，光子的產(chǎn)生都幾乎是瞬時的，不超過十的負九次方秒。正確的解釋是光必定是由與波長有關的嚴格規(guī)定的能量單位(即光子或光量子)所組成。這種解釋為愛因斯坦所提出。光電效應由德國物理學家赫茲于1887年發(fā)現(xiàn)，對發(fā)展量子理論起了根本性作用，在光的照射下，使物體中的電子脫出的現(xiàn)象叫做光電效應(photoelectric effect)。光電效應分為光電子發(fā)射、光電導效應和光生伏打效應。前一種現(xiàn)象發(fā)生在物體表面，又稱外光電效應。后兩種現(xiàn)象發(fā)生在物體內(nèi)部，稱為內(nèi)光電效應。光電效應里，電子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直于金屬表面射出，與光照方向無關 ,光是電磁波，但是光是高頻震蕩的正交電磁場，振幅很小，不會對電子射出方向產(chǎn)生影響.[編輯本段]光電效應說明 ①光電效應的實驗規(guī)律。 a．陰極(發(fā)射光電子的金屬材料)發(fā)射的光電子束和照射發(fā)光強度成正比。 b．光電子脫出物體時的初速度和照射光的頻率有關而和發(fā)光強度無關。這就是說，光電子的初動能只和照射光的頻率有關而和發(fā)光強度無關。 c．僅當照射物體的光頻率不小于某個確定值時，物體才能發(fā)出光電子，這個頻率叫做極限頻率(或叫做截止頻率)，相應的波長λ。叫做紅限波長。不同物質(zhì)的極限頻率”。和相應的紅限波長λ。是不同的。[編輯本段]幾種金屬材料的極限波長一些金屬的極限波長(埃)：銫鈉鋅銀鉑 6520 5400 3720 2600 1960 d．從實驗知道，產(chǎn)生光電流的過程非?？?，一般不超過10的-9次方秒；停止用光照射，光電流也就立即停止。這表明，光電效應是瞬時的。 ②解釋光電效應的愛因斯坦方程：根據(jù)愛因斯坦的理論，當光子照射到物體上時，它的能量可以被物體中的某個電子全部吸收。電子吸收光子的能量hυ后，能量增加，不需要積累能量的過程。如果電子吸收的能量hυ足夠大，能夠克服脫離原子所需要的能量(即電離能量)i和脫離物體表面時的逸出功(或叫做功函數(shù))w，那么電子就可以離開物體表面脫逸出來，成為光電子，這就是光電效應。[編輯本段]愛因斯坦方程 hυ=(1/2)mv^2+i+w 式中(1/2)mv^2是脫出物體的光電子的初動能。金屬內(nèi)部有大量的自由電子，這是金屬的特征，因而對于金屬來說，i項可以略去，愛因斯坦方程成為 hυ=(1/2)mv^2+w 假如hυ[編輯本段]光電效應的分類光電效應分為：外光電效應和內(nèi)光電效應。外光電效應在光的作用下，物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象叫做外光電效應。 1887年，首先是赫茲（m.hertz）在證明波動理論實驗中首次發(fā)現(xiàn)的； 1902年，勒納（lenard)也對其進行了研究，指出光電效應是金屬中的電子吸收了入射光的能量而從表面逸出的現(xiàn)象。但無法根據(jù)當時的理論加以解釋； 1905年，愛因斯坦提出了光子假設。愛因斯坦光電效應方程： 1.光電子能否產(chǎn)生，取決于光子的能量是否大于該物體的表面電子逸出功a。 2.? 一定時，產(chǎn)生的光電流和光強成正比。 3.逸出的光電子具有動能。基于外光電效應的光電器件有光電管、光電倍增管。內(nèi)光電效應當光照在物體上，使物體的電導率發(fā)生變化，或產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象。分為光電導效應和光生伏特效應（光伏效應）。 1 光電導效應在光線作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài)，而引起材料電導率的變化。當光照射到光電導體上時，若這個光電導體為本征半導體材料，且光輻射能量又足夠強,光電材料價帶上的電子將被激發(fā)到導帶上去，使光導體的電導率變大。基于這種效應的光電器件有光敏電阻。 2．光生伏特效應：在光作用下能使物體產(chǎn)生一定方向電動勢的現(xiàn)象。基于該效應的器件有光電池和光敏二極管、三極管。 ① 勢壘效應（結光電效應）光照射pn結時，若h?≥eg，使價帶中的電子躍遷到導帶，而產(chǎn)生電子空穴對，在阻擋層內(nèi)電場的作用下，電子偏向n區(qū)外側，空穴偏向p區(qū)外側，使p區(qū)帶正電，n區(qū)帶負電，形成光生電動勢。 ②側向光電效應當半導體光電器件受光照不均勻時，光照部分產(chǎn)生電子空穴對，載流子濃度比未受光照部分的大，出現(xiàn)了載流子濃度梯度，引起載流子擴散，如果電子比空穴擴散得快，導致光照部分帶正電，未照部分帶負電，從而產(chǎn)生電動勢，即為側向光電效應。