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存儲周期是指，訪問一次內(nèi)存儲器所花的時間稱為

來源：整理 時間：2023-08-30 22:08:53 編輯：智能門戶 手機版

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1，訪問一次內(nèi)存儲器所花的時間稱為

存取周期
43.訪問一次內(nèi)存儲器所花的時間稱為(存取 )周期。-------------------------------------答題不易，敬請采納，以顯鼓勵！

訪問一次內(nèi)存儲器所花的時間稱為

2，存儲周期是指

存儲周期，是指主存儲器兩次啟動操作之間需要的最小時間間隔，也稱之為主存儲器周期時間。存儲周期具有以下特點：1、存儲周期：連續(xù)啟動兩次操作所需間隔的最小時間體現(xiàn)主存的速度；2、存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫；3、存儲周期，通常用訪問周期T表示；4、存儲系統(tǒng)的存儲周期與命中率H的關系非常大。

存儲周期是指

3，內(nèi)存是種周期和CAS延遲時間是什么參數(shù)

所謂的內(nèi)存周期 就是內(nèi)存的時序 是內(nèi)存工作四個過程的單位時間一般存儲在內(nèi)存條的SPD上。2-2-2-8 4個數(shù)字的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內(nèi)存CAS延遲時間，他是內(nèi)存的重要參數(shù)之一，某些牌子的內(nèi)存會把CL值印在內(nèi)存條的標簽上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間。Row－precharge Delay（tRP），內(nèi)存行地址選通脈沖預充電時間。Row－active Delay（tRAS），內(nèi)存行地址選通延遲。
它們的單位是ns（納秒）

內(nèi)存是種周期和CAS延遲時間是什么參數(shù)

4，存儲周期是指

存儲周期是指數(shù)據(jù)在存儲介質(zhì)中保存的時間長度。存儲周期是指在規(guī)定條件下，數(shù)據(jù)在存儲介質(zhì)中保持可讀取、有效的時間長度。不同的存儲介質(zhì)具有不同的存儲周期，例如硬盤、固態(tài)硬盤等電子存儲介質(zhì)的存儲周期一般為數(shù)年或十年以上，而紙質(zhì)文獻的存儲周期則會更長。存儲周期對于數(shù)據(jù)的安全和可靠性至關重要，在實際應用中需要根據(jù)數(shù)據(jù)的重要性和使用場景選擇合適的存儲介質(zhì)和存儲策略。因此，存儲周期是指數(shù)據(jù)在存儲介質(zhì)中保存的時間長度，不同的存儲介質(zhì)具有不同的存儲周期，選擇適合的存儲介質(zhì)和存儲策略有助于保障數(shù)據(jù)的安全和可靠性。

5，內(nèi)存刷新周期影響內(nèi)存性能嗎

如果同頻率的話周期越小性能越強，不過不同頻率的內(nèi)存比較刷新周期沒有意義，沒有可比性。但是調(diào)得太小可能會造成不穩(wěn)定的現(xiàn)象，請謹慎。
現(xiàn)代計算機是以內(nèi)存為中心運行的，內(nèi)存性能的好壞直接影響整個計算機系統(tǒng)的處理能力。平時所說的內(nèi)存速度是指它的的存取速度，一般用存儲器存取時間和存儲周期來表示?！　〈鎯ζ鞔嫒r間（memory access time）又稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間?！　〈鎯χ芷冢╩emory cycle time)指連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作（例如連續(xù)兩次讀操作）所需間隔的最小時間?！　⊥ǔ?，存儲周期略大于存取時間，其差別與主存器的物理實現(xiàn)細節(jié)有關。

6，在計算機中什么是內(nèi)存存取時間和存儲周期

存取時間，指的是CPU讀或?qū)憙?nèi)存內(nèi)數(shù)據(jù)的過程時間。以讀取為例，從CPU發(fā)出指令給內(nèi)存時，便會要求內(nèi)存取用特定地址的數(shù)據(jù)，內(nèi)存響應CPU后便會將CPU所需要的數(shù)據(jù)送給CPU，一直到CPU收到數(shù)據(jù)為止，便成為一個讀取的流程。存儲周期：連續(xù)啟動兩次讀或?qū)懖僮魉栝g隔的最小時間內(nèi)存的存取周期一般為60ns-120ns。單位以納秒（ns）度量，換算關系1ns=10-6ms=10-9s，常見的有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種，相應在內(nèi)存條上標為-6、-7、-8、-120等字樣。這個數(shù)值越小，存取速度越快。擴展資料存儲器的兩個基本操作為“讀出”與“寫入”，是指將存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為“取數(shù)時間TA”。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為“存儲周期TMC”。半導體存儲器的存取周期一般為6ns～10ns。其中存儲單元(memory location)簡稱“單元”。為存儲器中存儲一機器字或一字節(jié)的空間位置。一個存儲器劃分為若干存儲單元，并按一定順序編號，稱為“地址”。如一存儲單元存放一有獨立意義的代碼。即存放作為一個整體來處理或運算的一組數(shù)字，則稱為“字”。字的長度，即字所包含的位數(shù)，稱為“字長”。如以字節(jié)來劃分存儲單元，則一機器字常須存放在幾個存儲單元中。存儲單元中的內(nèi)容一經(jīng)寫入，雖經(jīng)反復使用，仍保持不變。如須寫入新內(nèi)容，則原內(nèi)容被“沖掉”，而變成新寫入的內(nèi)容。參考資料來源：百度百科——存取周期參考資料來源：百度百科——存取時間

7，衡量存儲器的主要指標是存儲速度及價格

http://baike.baidu.com/view/4480.htm#7參考百科自己看
存儲器是具有“記憶”功能的設備，它用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來表示二進制數(shù)碼 “0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。 位(bit)是二進制數(shù)的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數(shù)稱為一 個字節(jié)(byte)，可以由一個字節(jié)或若干個字節(jié)組成一個字(word)在pc機中一般認為1個或 2個字節(jié)組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個 存儲體(memorybank)。 為了區(qū)分存儲體內(nèi)的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間 一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它里面存放的內(nèi)容完全是兩回事。 根據(jù)存儲器在計算機中處于不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內(nèi)部，直接 與 cpu交換信息的存儲器稱主存儲器或內(nèi)存儲器。在執(zhí)行期間，程序的數(shù)據(jù)放在主存儲器內(nèi)。各個存儲單元的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器(ram)。另 一種存儲器叫只讀存儲器(rom)，里面存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，僅能隨機讀出。ram和rom共同分享主存儲器的地址空間。ram中存取的數(shù)據(jù) 掉電后就會丟失，而掉電后rom中的數(shù)據(jù)可保持不變。 因為結(jié)構(gòu)、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而采用了大容量的輔助存儲 器或稱外存儲器，如磁盤、光盤等。存儲器的特性由它的技術參數(shù)來描述。 存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。 存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器 (mdr)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在mdr的輸出端為止的時間 間隔，稱為取數(shù)時間ta；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期tmc。 存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間mtbf來衡量。mtbf可以理解為兩 次故障之間的平均時間間隔。mtbf越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。 性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內(nèi)容。性能價格比是一個 綜合性指標，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非?？?，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統(tǒng)很重要的 指標。

8，存取周期是指

存取周期是指存儲器進行連續(xù)讀寫操作所允許的最短時間間隔。存儲器進行一次“讀”或“寫”操作所需的時間稱為存儲器的訪問時間（或讀寫時間），而連續(xù)啟動兩次獨立的“讀”或“寫”操作（如連續(xù)的兩次“讀”操作）所需的最短時間，稱為存取周期（或存儲周期）。為存儲器的性能指標之一，直接影響電子計算機的技術性能。存儲周期愈短，運算速度愈快，但對存儲元件及工藝的要求也愈高。例如磁芯存儲器的存取周期為零點幾到幾個微秒。半導體存儲器的存取周期通常在幾十到幾百毫微秒之間。那么半導體存儲器的性能一般比磁芯存儲器的性能要好。存儲器的兩個基本操作：存儲器的兩個基本操作為“讀出”與“寫入”，是指將存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為“取數(shù)時間TA”。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為“存儲周期TMC”。半導體存儲器的存取周期一般為6ns～10ns。其中存儲單元(memory location)簡稱“單元”。為存儲器中存儲一機器字或一字節(jié)的空間位置。一個存儲器劃分為若干存儲單元，并按一定順序編號，稱為“地址”。如一存儲單元存放一有獨立意義的代碼。即存放作為一個整體來處理或運算的一組數(shù)字，則稱為“字”。字的長度，即字所包含的位數(shù)，稱為“字長”。如以字節(jié)來劃分存儲單元，則一機器字常須存放在幾個存儲單元中。存儲單元中的內(nèi)容一經(jīng)寫入，雖經(jīng)反復使用，仍保持不變。如須寫入新內(nèi)容，則原內(nèi)容被“沖掉”，而變成新寫入的內(nèi)容。存儲器（storage）又稱“記憶裝置”。能按一定地址隨機存取計算程序、原始數(shù)據(jù)、中間和最后結(jié)果的裝置。存儲器須保存大量表示數(shù)據(jù)或程序的二進制代碼，故“按地址”存取的組織方式，將其分成眾多單元（稱“存儲單元”），并按一定順序編號（稱“地址”），以便按地址根據(jù)指令的要求存取。常以存儲容量和存取周期作為衡量性能的主要指標。

9，存儲器的技術參數(shù)是什么

記憶元件可以是磁芯，半導體觸發(fā)器、MOS電路或電容器等。位(bit)是二進制數(shù)的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數(shù)稱為一個字節(jié)(byte)。當一個數(shù)作為一個整體存入或取出時，這個數(shù)叫做存儲字。存儲字可以是一個字節(jié)，也可以是若干個字節(jié)。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個存儲體(MemoryBank)。為了區(qū)分存儲體內(nèi)的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它里面存放的內(nèi)容完全是兩回事。存儲器在計算機中處于不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內(nèi)部，直接與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內(nèi)存儲器。在執(zhí)行期間，程序的數(shù)據(jù)放在主存儲器內(nèi)，各個存儲單元的內(nèi)容可通過指令隨機訪問，這樣的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，里面存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。因于結(jié)構(gòu)、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而采用了大容量的輔助存儲器或稱外存儲器，如磁盤、光盤等。存儲器的主要技術指標存儲器的特性由它的技術參數(shù)來描述。一、存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。主存儲器的容量是指用地址寄存器(MAR)產(chǎn)生的地址能訪問的存儲單元的數(shù)量。如N位字長的MAR能夠編址最多達2N個存儲單元。一般主存儲器(內(nèi)存)容量在幾十K到幾M字節(jié)左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M字節(jié)。二、存儲周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數(shù)時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導體存儲器的存儲周期一般為100ns-200ns。三、存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。四、性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內(nèi)容。性能價格比是一個綜合性指標，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非?？?，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統(tǒng)很重要的指標
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10，對于整個系統(tǒng)而言內(nèi)存的讀寫周期是指什么

存儲器是具有“記憶”功能的設備，它用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來表示二進制數(shù)碼“0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發(fā)器、MOS電路或電容器等。位(bit)是二進制數(shù)的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數(shù)稱為一個字節(jié)(byte)。當一個數(shù)作為一個整體存入或取出時，這個數(shù)叫做存儲字。存儲字可以是一個字節(jié)，也可以是若干個字節(jié)。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個存儲體(MemoryBank)。為了區(qū)分存儲體內(nèi)的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它里面存放的內(nèi)容完全是兩回事。存儲器在計算機中處于不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內(nèi)部，直接與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內(nèi)存儲器。在執(zhí)行期間，程序的數(shù)據(jù)放在主存儲器內(nèi)，各個存儲單元的內(nèi)容可通過指令隨機訪問，這樣的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，里面存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。因于結(jié)構(gòu)、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而采用了大容量的輔助存儲器或稱外存儲器，如磁盤、光盤等。存儲器的主要技術指標存儲器的特性由它的技術參數(shù)來描述。一、存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。主存儲器的容量是指用地址寄存器(MAR)產(chǎn)生的地址能訪問的存儲單元的數(shù)量。如N位字長的MAR能夠編址最多達2N個存儲單元。一般主存儲器(內(nèi)存)容量在幾十K到幾M字節(jié)左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M字節(jié)。二、存儲周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數(shù)時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導體存儲器的存儲周期一般為100ns-200ns。三、存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。四、性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內(nèi)容。性能價格比是一個綜合性指標，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非?？?，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統(tǒng)很重要的指標
搜一下：5、對于整理系統(tǒng)而言，內(nèi)存的讀寫周期指的是什么
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