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物理氣相沉積，什么是pvd法

來(lái)源：整理 時(shí)間：2025-02-03 23:47:07 編輯：智能門(mén)戶(hù) 手機(jī)版

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1，什么是pvd法

是涂層方面的嗎：pvd——物理氣相沉積將需要做成涂層的材料以各種物理形式搞成氣相沉積到基體表面獲得涂層相應(yīng)的還有cvd——化學(xué)氣相沉積，還有pcvd
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什么是pvd法

2，化學(xué)氣相沉積和物理氣相沉積

太籠統(tǒng)了,CVD和PCD都包含很多種制備方法,各種制備方法制備得到的膜的結(jié)構(gòu)和性能都不大相同...不過(guò)一般CVD得到的膜比PVD的穩(wěn)定,要好一些,但是PVD生長(zhǎng)膜比較快...
物理氣相沉積法可以看作是物理過(guò)程，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，最終沉積到靶材上面。化學(xué)氣相沉積法是在一定條件下通過(guò)化學(xué)反應(yīng)，形成所需物質(zhì)沉積在靶材或者基材表面。

化學(xué)氣相沉積和物理氣相沉積

3，光學(xué)薄膜物理氣象沉積

物理氣相沉積是承襲化學(xué)氣相沉積提高表面性能的優(yōu)點(diǎn),克服高溫等缺點(diǎn)而發(fā)展起來(lái)的,主要有真空蒸鍍、真空濺射和離子鍍等方法。物理氣相沉積的共同特點(diǎn)是用高能密度的鍍覆粒子撞擊工件,釋放的能量使工件發(fā)熱,但一般不超過(guò)600℃,故畸變小。
物理氣象沉積是通過(guò)蒸發(fā)，電離或?yàn)R射等過(guò)程，產(chǎn)生金屬粒子并與反應(yīng)氣體反應(yīng)形成化合物沉積在工件表面。

光學(xué)薄膜物理氣象沉積

4，物理氣相沉積法與化學(xué)氣相沉積法有何區(qū)別

物理氣相沉積法可以看作是物理過(guò)程，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，最終沉積到靶材上面?；瘜W(xué)氣相沉積法是在一定條件下通過(guò)化學(xué)反應(yīng)，形成所需物質(zhì)沉積在靶材或者基材表面。
太一般了，cvd，pcd包含了多種制備方法，通過(guò)不同的制備方法制得的薄膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)是不太一樣的...然而，比一般的cvd法的pvd的穩(wěn)定性更好，但pvd增長(zhǎng)通過(guò)以下方式獲得的膜的膜是比較快的...

5，外延法和化學(xué)氣相沉積的區(qū)別

氣相沉積可以用外延法和內(nèi)插法
化學(xué)氣相沉積過(guò)程中有化學(xué)反應(yīng)，多種材料相互反應(yīng)，生成新的的材料。物理氣相沉積中沒(méi)有化學(xué)反應(yīng)，材料只是形態(tài)有改變。物理氣相沉積技術(shù)工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán)境改善，無(wú)污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。缺點(diǎn)膜一基結(jié)合力弱,鍍膜不耐磨, 并有方 向性化學(xué)雜質(zhì)難以去除。優(yōu)點(diǎn)可造金屬膜、非金屬膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的繞射性好

6，pvdcvd是什么意思

物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）,就是涂層
pvd即物理方式涂層...cvd即化學(xué)方式涂層...一般粗加工選擇cvd涂層,,因?yàn)楸容^厚...性能主要取決于涂層的構(gòu)成,即涂層種類(lèi)...
PVD(Physical Vapor Deposition)，指利用物理過(guò)程實(shí)現(xiàn)物質(zhì)轉(zhuǎn)移，將原子或分子由源轉(zhuǎn)移到基材表面上的過(guò)程。它的作用是可以是某些有特殊性能（強(qiáng)度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴涂在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能！ PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍）PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理氣相沉積）的縮寫(xiě)，是指在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離，利用電場(chǎng)的加速作用，使被蒸發(fā)物質(zhì)及其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在工件上。CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學(xué)氣相沉積)，指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過(guò)程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過(guò)CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強(qiáng)力鋼的彎曲，拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。CVD是Chemical Vapor Deposition的簡(jiǎn)稱(chēng)，是指高溫下的氣相反應(yīng)，例如，金屬鹵化物、有機(jī)金屬、碳?xì)浠衔锏鹊臒岱纸?，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以析出金屬、氧化物、碳化物等無(wú)機(jī)材料的方法。這種技術(shù)最初是作為涂層的手段而開(kāi)發(fā)的，但目前，不只應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂層，而且應(yīng)用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等，是一個(gè)頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域。
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