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3D封裝，晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)是3D封裝

來源：整理時(shí)間：2023-08-26 22:22:54 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)是3D封裝
2，protel2004 DXP 怎么創(chuàng)建3D封裝庫
3，怎樣在ares中做元件的3d封裝
4，在PROTEL中新建個(gè)3D封裝
5，怎么讓元器件庫下邊顯示3d封裝
6，封裝技術(shù)的3D封裝技術(shù)

1，晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)是3D封裝

是3d準(zhǔn)備呀

晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)是3D封裝

2，protel2004 DXP 怎么創(chuàng)建3D封裝庫

新建空間-PCB項(xiàng)目-原理圖-生成PCB保存,記得PCB一定要在原理圖下,才可以生成3D封裝的

新建一個(gè)PCB就見到了

protel2004 DXP 怎么創(chuàng)建3D封裝庫

3，怎樣在ares中做元件的3d封裝

佛擋殺佛明德慎罰接口規(guī)范的健康

太讓人人而由于技術(shù)部結(jié)局啊阿爾

提供的庫覆蓋了大量的開孔元件包括；最通用的IC、晶體管、二極管、連接件封裝類。 ... 在ARES 中的3D可視化工具提供了一個(gè)立體化PCB板圖的方法

怎樣在ares中做元件的3d封裝

4，在PROTEL中新建個(gè)3D封裝

1.這些3D封裝是可以自己創(chuàng)建的， 2。你必需要能操作proe或3dmax進(jìn)行建模。 3.建模的文件存為iges(曲面文件) 4.然后再protel dxp里把iges文件和元件進(jìn)行關(guān)聯(lián)。 5.ok!你已經(jīng)成功！回樓主：因?yàn)閜rotel和三維造型是兩個(gè)截然不同的軟件，應(yīng)用對象也是完全不同，所以這完全是元件庫的功能擴(kuò)展，我抽個(gè)時(shí)間幫你整理一下，自建3D元件模型的教程吧！...

5，怎么讓元器件庫下邊顯示3d封裝

這個(gè)你首先要保證你的元器件封裝里面是有3D封裝的，如果沒有那就是沒法封裝成能顯示的3D封裝的！

ad中把pcb導(dǎo)出3d模型步驟：用ad導(dǎo)出step，stp格式，再用sw打開。3d模型就是三維的、立體的模型，d是英文dimensions的縮寫。3d模型也可以說是用三維建造的立體模型，包括各種建筑、人物、植被、機(jī)械等等，比如一個(gè)大樓的3d模型圖。3d模型也包括玩具和電腦模型領(lǐng)域。

自己在PcbLib中為你用到的封裝添加相應(yīng)的三維模型即可。尺寸是否合適，你就得自己在封裝庫界面下切換到3D視圖、看看是否合適、是否需要翻轉(zhuǎn)或偏移了。很多情況下都需要手工調(diào)整的。

6，封裝技術(shù)的3D封裝技術(shù)

由于電子整機(jī)和系統(tǒng)在航空、航天、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域?qū)π⌒突?、輕型化、薄型化等高密度組裝要求的不斷提高，在MCM的基礎(chǔ)上，對于有限的面積，電子組裝必然在二維組裝的基礎(chǔ)上向z方向發(fā)展，這就是所謂的三維(3D)封裝技術(shù)，這是今后相當(dāng)長時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)組裝的有效手段。實(shí)現(xiàn)3D封裝主要有三種方法。一種是埋置型，即將元器件埋置在基板多層布線內(nèi)或埋置、制作在基板內(nèi)部。電阻和電容一般可隨多層布線用厚、薄膜法埋置于多層基板中，而IC芯片一般要緊貼基板。還可以在基板上先開槽，將IC芯片嵌入，用環(huán)氧樹脂固定后與基板平面平齊，然后實(shí)施多層布線，最上層再安裝IC芯片，從而實(shí)現(xiàn)3D封裝。第二種方法是有源基板型，這是用硅圓片IC(WSI)作基板時(shí)，先將WSI用一般半導(dǎo)體IC制作方法作一次元器件集成化，這就成了有源基板。然后再實(shí)施多層布線，頂層仍安裝各種其他lC芯片或其他元器件，實(shí)現(xiàn)3D封裝。這一方法是人們最終追求并力求實(shí)現(xiàn)的一種3D封裝技術(shù)。第三種方法是疊層法，即將兩個(gè)或多個(gè)裸芯片或封裝芯片在垂直芯片方向上互連成為簡單的3D封裝。更多的是將各個(gè)已單面或雙面組裝的MCM疊裝在一起，再進(jìn)行上下多層互連，就可實(shí)現(xiàn)3D封裝。其上下均可加熱沉，這種3D結(jié)構(gòu)又稱為3D．MCM。由于3D的組裝密度高，功耗大，基板多為導(dǎo)熱性好的高導(dǎo)熱基板，如硅、氮化鋁和金剛石薄膜等。還可以把多個(gè)硅圓片層疊在一起，形成3D封裝。先進(jìn)的疊層式3D封裝技術(shù)近幾年來，先進(jìn)的封裝技術(shù)已在IC制造行業(yè)開始出現(xiàn)，如多芯片模塊（MCM）就是將多個(gè)IC芯片按功能組合進(jìn)行封裝，特別是三維（3D）封裝首先突破傳統(tǒng)的平面封裝的概念，組裝效率高達(dá)200%以上。它使單個(gè)封裝體內(nèi)可以堆疊多個(gè)芯片，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)容量的倍增，業(yè)界稱之為疊層式3D封裝；其次，它將芯片直接互連，互連線長度顯著縮短，信號(hào)傳輸?shù)酶烨宜芨蓴_更小；再則，它將多個(gè)不同功能芯片堆疊在一起，使單個(gè)封裝體實(shí)現(xiàn)更多的功能，從而形成系統(tǒng)芯片封裝新思路；最后，采用3D封裝的芯片還有功耗低、速度快等優(yōu)點(diǎn)，這使電子信息產(chǎn)品的尺寸和重量減小數(shù)十倍。正是由于3D封裝擁有無可比擬的技術(shù)優(yōu)勢，加上多媒體及無線通信設(shè)備的使用需求，才使這一新型的封裝方式擁有廣闊的發(fā)展空間。最常見的裸芯片疊層3D封裝先將生長凸點(diǎn)的合格芯片倒扣并焊接在薄膜基板上，這種薄膜基板的材質(zhì)為陶瓷或環(huán)氧玻璃，其上有導(dǎo)體布線，內(nèi)部也有互連焊點(diǎn)，兩側(cè)還有外部互連焊點(diǎn)，然后再將多個(gè)薄膜基板進(jìn)行疊裝互連。裸芯片疊層的工藝過程為：第一步，在芯片上生長凸點(diǎn)并進(jìn)行倒扣焊接。如果采用金凸點(diǎn)，則由金絲成球的方式形成凸點(diǎn)，在250～400 ℃下，加壓力使芯片與基板互連；若用鉛錫凸點(diǎn)，則采用 Pb95Sn5（重量比）的凸點(diǎn)，這樣的凸點(diǎn)具有較高的熔點(diǎn)，而不致在下道工藝過程中熔化。具體方法，先在低于凸點(diǎn)熔點(diǎn)的溫度（180～250 ℃）下進(jìn)行芯片和基板焊接，在這一溫度下它們靠金屬擴(kuò)散來焊接；然后加熱到250～400 ℃，在這一溫度下焊料球熔化，焊接完畢。第一步的溫度是經(jīng)過成品率試驗(yàn)得到的，當(dāng)?shù)陀?50 ℃時(shí)斷路現(xiàn)象增加；而當(dāng)高于300 ℃時(shí)，則相鄰焊點(diǎn)的短路現(xiàn)象增多。第二步，在芯片與基板之間0.05 mm的縫隙內(nèi)填入環(huán)氧樹脂膠，即進(jìn)行下填料。第三步，將生長有凸點(diǎn)的基板疊裝在一起，該基板上的凸點(diǎn)是焊料凸點(diǎn)，其成分為Pb/Sn或Sn/Ag，熔點(diǎn)定在200～240 ℃。這最后一步是將基板疊裝后，再在230～250 ℃的溫度下進(jìn)行焊接。MCM疊層的工藝流程與裸芯片疊層的工藝流程基本一致。除上述邊緣導(dǎo)體焊接采用互連方式外，疊層3D封裝還有多種互連方式，例如引線鍵合疊層芯片就是一種采用引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)疊層互連的，該方法的適用范圍比較廣。此外，疊層互連工藝還有疊層載帶、折疊柔性電路等方式。疊層載帶是用載帶自動(dòng)鍵合（TAB）實(shí)現(xiàn)IC互連，可進(jìn)而分為印刷電路板（PCB）疊層TAB和引線框架TAB。折疊柔性電路方式是先將裸芯片安裝在柔性材料上，然后將其折疊，從而形成三維疊層的封裝形式。