首頁 > 產(chǎn)品 > 問答 > 雪崩擊穿，雪崩擊穿為什么溫度系數(shù)為正麻煩告訴我

雪崩擊穿，雪崩擊穿為什么溫度系數(shù)為正麻煩告訴我

來源：整理時間：2023-08-26 13:06:16 編輯：智能門戶手機版

本文目錄一覽

1，雪崩擊穿為什么溫度系數(shù)為正麻煩告訴我
2，什么叫雪崩擊穿
3，avalanche breakdown是什么意思
4，隧道擊穿和雪崩擊穿是什么情況啊
5，二極管雪崩擊穿與齊納擊穿哪個電壓大
6，雪崩擊穿電壓

1，雪崩擊穿為什么溫度系數(shù)為正麻煩告訴我

對于雪崩擊穿，溫度升高，電子的平均有時間減小，即更容易發(fā)生碰撞散射。但是，由于雪崩擊穿是由于具有足夠大的能量的載流子碰撞發(fā)生的。所以，需要增加外加電壓，在加速時間減小的前提下，才能達(dá)到雪崩擊穿的能量。所以，雪崩擊穿的擊穿電壓是正溫度系數(shù)。

這是你們半導(dǎo)體的么？

雪崩擊穿為什么溫度系數(shù)為正麻煩告訴我

2，什么叫雪崩擊穿

材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中,當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時,空間電荷區(qū)中的電場隨著增強.這樣通過空間電荷區(qū)的電子和空穴，就會在電場作用下，使獲得的能量增大。在晶體中運行的電子和空穴將不斷的與晶體原子發(fā)生碰撞,通過這樣的碰撞可使束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來,產(chǎn)生自由電子-空穴對.新產(chǎn)生的載流子在電場作用下撞出其他價電子,又產(chǎn)生新的自由電子空穴對.如此連鎖反應(yīng)，使得阻擋層中的載流子的數(shù)量雪崩式地增加,流過PN結(jié)的電流就急劇增大,所以這種碰撞電離稱為雪崩擊穿.也稱為電子雪崩現(xiàn)象.

什么叫雪崩擊穿

3，avalanche breakdown是什么意思

avalanche breakdown[英][??v??l?nt? ?breikdaun][美][??v??l?nt? ?brek?da?n]雪崩擊穿; 雙語例句1The study of avalanche breakdown voltage for hyperabrupt varactor diode超突變結(jié)構(gòu)變?nèi)荻O管雪崩擊穿電壓的研究2What was known as avalanche breakdown occurred.通常所謂的雪崩式擊穿現(xiàn)象爆發(fā)了。

我不會~~~但還是要微笑~~~：）

avalanche breakdown是什么意思

4，隧道擊穿和雪崩擊穿是什么情況啊

隧道擊穿和雪崩擊穿是pn結(jié)兩種不同的擊穿機制。pn結(jié)在反向高壓下會發(fā)生擊穿。其中雪崩擊穿指勢壘邊緣擴散進(jìn)勢壘區(qū)的電子和空穴在高場下加速，獲得極大動能。它們與勢壘區(qū)的晶格原子碰撞，使其價電子電離，獲得新的自由電子和空穴，由此1生2,2生4，載流子不斷倍增，最終導(dǎo)致pn結(jié)擊穿。隧道擊穿也叫齊納擊穿，可以用量子力學(xué)中的隧道效應(yīng)來解釋，隨著反向偏壓的不斷增大，勢壘區(qū)的價電子勢能增大，而勢壘區(qū)寬度降低，此時pn結(jié)穿兩端電子與空穴穿過勢壘的幾率增大，由此大量載流子隧穿而引起反向電流增大，擊穿pn結(jié)。隨著反向電壓的不同，隧道擊穿與雪崩擊穿可單獨或同時存在，具體可以參見教科書《半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)》。

5，二極管雪崩擊穿與齊納擊穿哪個電壓大

雪崩擊穿大！雪崩擊穿是PN結(jié)反向電壓增大到一數(shù)值時，載流子倍增就像雪崩一樣，增加得多而快。齊納擊穿完全不同，在高的反向電壓下，PN結(jié)中存在強電場，它能夠直接破壞！共價鍵將束縛電子分離來形成電子-空穴對，形成大的反向電流。齊納擊穿需要的電場強度很大！只有在雜質(zhì)濃度特別大??！的PN結(jié)才做得到。（雜質(zhì)大電荷密度就大） PN結(jié)反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿，一般兩種擊穿同時存在，但在電壓低于 5－6V時的擊穿以齊納擊穿為主，而電壓高于5－6V時的擊穿以雪崩擊穿為主。兩者的區(qū)別對于穩(wěn)壓管來說，主要是：電壓低于5－6V的穩(wěn)壓管，齊納擊穿為主，穩(wěn)壓值的溫度系數(shù)為負(fù)。電壓高于5－6V的穩(wěn)壓管，雪崩擊穿為主，穩(wěn)壓管的溫度系數(shù)為正。

要看管子的參數(shù)

6，雪崩擊穿電壓

BJT（雙極型晶體管）的穿通電壓與雪崩擊穿電壓一道，都起著限制著晶體管最高工作電壓的作用（由該二者的最低值決定）。　　晶體管的穿通，就是在外加反向偏壓還未達(dá)到集電結(jié)發(fā)生雪崩擊穿時就出現(xiàn)了電流突然增大的一種現(xiàn)象，即提前發(fā)生“擊穿”的一種效應(yīng)。BJT發(fā)生穿通時所對應(yīng)的反向偏壓稱為穿通電壓。穿通效應(yīng)產(chǎn)生的機理可區(qū)分為基區(qū)穿通、外延層穿通和缺陷造成的局部穿通等幾種，相應(yīng)地就有不同的穿通電壓指標(biāo)——基區(qū)穿通電壓、外延層穿通電壓和局部穿通電壓等。　　① 基區(qū)穿通：　　BJT的基區(qū)穿通就是集電結(jié)還未發(fā)生雪崩倍增時、集電結(jié)勢壘區(qū)就已經(jīng)擴展到了整個基區(qū)（即基區(qū)寬度減小到0）的現(xiàn)象；這時在集電極與發(fā)射極之間的電壓值就是基區(qū)穿通電壓?；鶇^(qū)穿通的發(fā)生是由于集電結(jié)反向電壓使得勢壘厚度增大、從而導(dǎo)致基區(qū)寬度變窄的結(jié)果。從能帶圖來看，在基區(qū)穿通以后，則電中性的基區(qū)消失了，整個基區(qū)就都成為了高電場的耗盡區(qū)，則發(fā)射區(qū)的電子就可以直接漂移到集電區(qū)，從而輸出很大的集電極電流——產(chǎn)生類似雪崩擊穿的現(xiàn)象；實際上，在基區(qū)穿通以后，集電結(jié)與發(fā)射結(jié)之間的電壓（等于[Vcb-Vbe]）就可認(rèn)為完全加在發(fā)射結(jié)上了，這就會使得發(fā)射結(jié)立即產(chǎn)生雪崩擊穿（擊穿電壓為BVceo）。所以，基區(qū)的穿通是伴隨有擊穿效應(yīng)的，即穿通與擊穿同時存在。這時，穿通電壓可以根據(jù) 　　集電結(jié)近似為單邊突變結(jié)、還是近似為線性緩變結(jié)，并由耗盡層厚度來進(jìn)行估算。顯然，對于基區(qū)摻雜濃度較低于集電區(qū)的合金晶體管和基區(qū)寬度較小的各種晶體管，在較高集電結(jié)電壓時容易發(fā)生的是基區(qū)穿通而非集電結(jié)雪崩擊穿。　?、?外延層穿通：　　對于n-p-n/n+雙擴散Si外延平面晶體管，由于基區(qū)摻雜濃度高于集電區(qū)，則在集電結(jié)的反向偏壓增大時，集電結(jié)勢壘區(qū)將較多的是向集電區(qū)擴展，則這時不會發(fā)生基區(qū)穿通（如果基區(qū)寬度不是太窄的話），但較容易的是發(fā)生外延層穿通（即集電結(jié)在發(fā)生雪崩擊穿前，集電結(jié)勢壘區(qū)即已擴展到低阻的n襯底表面，整個外延的集電區(qū)變成了勢壘區(qū)——耗盡層）；在外延層穿通以后，集電結(jié)的反向電壓即完全加在了由p基區(qū)與n+襯底構(gòu)成的p-n+結(jié)上（即加在整個耗盡了的外延層上），而該p-n+結(jié)兩邊的摻雜濃度都較高，因此很快就會發(fā)生雪崩擊穿?？梢?，該外延層穿通電壓也同樣限制著晶體管的耐壓性能。顯然，為了防止外延層穿通，就應(yīng)該增大外延層的摻雜濃度及其厚度，使得在發(fā)生集電結(jié)雪崩擊穿之前不至于整個外延層全部耗盡（穿通）。　　③局部穿通：　　由于材料缺陷或者制造工藝不當(dāng)?shù)仍?，若在發(fā)射結(jié)或集電結(jié)的結(jié)面上出現(xiàn)了“毛刺”，那么也將同樣容易產(chǎn)生基區(qū)穿通或者外延層穿通。如果產(chǎn)生的是基區(qū)穿通，則可能會出現(xiàn)折線形的擊穿特性曲線（因為首先穿通時電流要經(jīng)過狹窄的局部穿通區(qū)，故有一段電流隨電壓而線性增大的范圍；一直到反向電壓達(dá)到BVcbo時、使集電結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，集電極電流電流才急劇增大）。[

文章TAG：雪崩雪崩擊穿擊穿為什么雪崩擊穿為什么溫度系數(shù)為正麻煩告訴我