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GaAs，GaAs是共價鍵還是離子鍵

來源：整理 時間：2023-08-27 16:07:48 編輯：智能門戶 手機版

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1，GaAs是共價鍵還是離子鍵

共價鍵！電負性之差為0.17，上海世博會曾經(jīng)大量使用！
任務占坑

GaAs是共價鍵還是離子鍵

2，砷化稼的化學式怎么寫

化學式GaAs
化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點 1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。

砷化稼的化學式怎么寫

3，GaAs是金屬元素嗎

GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物，黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料，其電子遷移率高、介電常數(shù)小，能引入深能級雜質(zhì)、電子有效質(zhì)量小，能帶結構特殊，可作外延片。
應該不是吧。

GaAs是金屬元素嗎

4，請問下大家GaAs模塊有什么作用

砷化鎵GaAs放大模塊，比常用的硅放大模塊失真指標更高一些，因此通常作為高檔光工作站末級放大模塊，在相同失真指標下可以調(diào)出更高的輸出電平，以提高帶用戶的能力。 但是，砷化鎵放大模塊的輸出電平超過106dB時，會出現(xiàn)“壓縮失真”問題，導致失真指標劣化，因此在運用時、指標測試時，往往要設置大的輸出斜率（通常是10dB），以降低平均輸出電平，減輕“壓縮失真”的影響。所以在砷化鎵放大模塊的指標參數(shù)表中，指標測試的斜率為10dB。筆者暫住上海浦東某小區(qū)的光工作站，調(diào)試的輸出電平為112dBuV、斜率10dB（即低端輸出102dBuV）. 兩類放大模塊的指標參數(shù)，見以下帖子： 2008. 01.12 PHILIPS放 大 模 塊 參 數(shù) 表 http://www.ccbn.com.cn/thread-71667-1-1.html 2007. 12.05 MOTOROLA放大模塊參數(shù) http://www.ccbn.com.cn/thread-70699-1-1.html 2008. 01.12 NEC公司砷化鎵放大模塊主要參數(shù)表 http://www.ccbn.com.cn/thread-71668-1-1.html 來自：有線電視基礎理論、基本實踐和基礎理論更新 帖子匯總表http://www.ccbn.com.cn/thread-88416-1-1.html
關于壓縮失真的說明圖

5，什么是砷化鎵

GaAs。黑灰色固體，熔點 1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料，性能比硅更優(yōu)良。它的禁帶寬度大，電子遷移率高，介電常數(shù)小，能引入深能級雜質(zhì)，電子有效質(zhì)量小，能帶結構特殊，具有雙能谷導帶，可以制備發(fā)光器件、半導體激光器、微波體效應器件、太陽能電池和高速集成電路等，廣泛用于雷達、電子計算機、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等尖端技術中。
砷化鎵（gallium arsenide），化學式 gaas。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬ⅲ－ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優(yōu)點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。中益興業(yè)砷化鎵薄膜太陽能電池即是一種高效的太陽能轉(zhuǎn)電能的新型量產(chǎn)技術。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產(chǎn)理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。

6，砷化鎵化學式為GaAs是一種重要的半導體材料砷化鎵中砷元素顯

砷元素顯-3價，設鎵元素的化合價是x，根據(jù)在化合物中正負化合價代數(shù)和為零，可得：x+（-3）=0，則x=+3價．故選D．
（1）as是35號元素，屬于主族元素，其最外層電子就是其價電子，所以as基態(tài)原子的價電子排布式：4s24p3，故答案為：4s24p3；（2）同一周期元素中，元素的電負性隨著原子序數(shù)的增大而增大，第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢，但第va族元素第一電離能大于相鄰元素，ga屬于第iva族、as屬于第va族，所以as的第一電離能比ga的大，as的電負性比ga的大，故答案為：大；大；（3）氨氣分子間形成氫鍵，氫鍵的存在導致氨氣的沸點最高，砷化氫的相對分子質(zhì)量大于磷化氫，分子間作用力大，所以砷化氫的沸點比磷化氫的高，則這幾種氫化物的沸點高低順序是：nh3＞ash3＞ph3，故答案為：nh3＞ash3＞ph3；氨氣分子間形成氫鍵，沸點最高，砷化氫的相對分子質(zhì)量比磷化氫大，分子間作用力大，所以砷化氫的沸點比磷化氫高；（4）gaas的晶體結構與單晶硅相似，根據(jù)硅晶體結構知，在gaas晶體中，每個ga原子與4個as原子相連，與同一個ga原子相連的as原子構成的空間構型為正四面體，gaas的晶體結構和硅晶體相似，則晶體類型相似，所以gaas屬于原子晶體，故答案為：4；正四面體；原子；（5）根據(jù)元素守恒知，另外一種生成物是ch4，根據(jù)反應物、生成物及反應條件知，其反應方程式為：（ch3）3ga+ash3 700℃ . gaas+3ch4， （ch3）3ga為非極性分子，（ch3）3ga中ga形成3個δ鍵，沒有孤電子對，為sp2雜化，故答案為：（ch3）3ga+ash3 700℃ . gaas+3ch4；sp2．
文章TAG：共價鍵還是離子離子鍵GaAs

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