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碳化硅晶體，碳化硅晶體類型

來源：整理 時間：2023-08-19 07:24:11 編輯：智能門戶 手機版

本文目錄一覽

1，碳化硅晶體類型

原子晶體

碳化硅晶體類型

2，碳化硅晶體是做什么的

碳化硅分子式為SiC，其硬度介于剛玉和金剛石之間，機械強度高于剛玉，可作為磨料和其他某些工業(yè)材料使用。

碳化硅晶體是做什么的

3，碳化硅晶體對什么化學(xué)有反應(yīng)

1.碳化硅化學(xué)性質(zhì)溫度一般不發(fā)生反應(yīng)；2.當(dāng)溫度≥2600℃時SiC會分解，但分解出的si又會與爐料中的C生成SiC。
首先，四者都是原子晶體 同一主族從碳到硅原子半徑逐漸增大，形成的共價鍵的鍵能逐漸減弱。所以碳化硅應(yīng)在晶體硅與金剛石之間 原子晶體的空間結(jié)構(gòu)相似，熔點決定于它們的鍵長與鍵能。 鍵長越短，鍵能越大，晶體熔沸點越高

碳化硅晶體對什么化學(xué)有反應(yīng)

4，碳化硅的化學(xué)性質(zhì)

分子式為SiC，其硬度介于剛玉和金剛石之間，機械強度高于剛玉，可作為磨料和其他某些工業(yè)材料使用。工業(yè)用碳化硅于1891年研制成功，是最早的人造磨料。在隕石和地殼中雖有少量碳化硅存在，但迄今尚未找到可供開采的礦源。 純碳化硅是無色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。 碳化硅的硬度很大，具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時能抗氧化。

5，碳化硅晶體是做什么的

碳化硅晶體主要有兩個方面的應(yīng)用：（1）碳化硅的硬度很大（僅小于金剛石），它的粉末可用作為磨料；（2）是一種很好的高溫、高壓半導(dǎo)體材料，現(xiàn)在已經(jīng)在高壓功率半導(dǎo)體器件中顯示出了優(yōu)良的性能。
SiC的這些性能使其成為高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導(dǎo)體器件的優(yōu)選材料，可用于地面核反應(yīng)堆系統(tǒng)的監(jiān)控、原油勘探、環(huán)境監(jiān)測及航空、航天、雷達、通訊系統(tǒng)和大功率的電子轉(zhuǎn)換器及汽車馬達等領(lǐng)域的極端環(huán)境中。另外，采用SiC所制備的發(fā)光二極管的輻射波長可以覆蓋從藍光到紫光的波段，在光信息顯示系統(tǒng)及光集成電路等領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。
碳化硅分子式為SiC，其硬度介于剛玉和金剛石之間，機械強度高于剛玉，可作為磨料和其他某些工業(yè)材料使用。
原子晶體定義：相鄰原子間以共價鍵結(jié)合而形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)晶體沒有單個存在的碳化硅分子 碳化硅是原子晶體，結(jié)構(gòu)與金剛石一樣，空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)．每個碳原子與4個硅原子以共價鍵相連，每個硅原子也與4個碳原子以共價鍵相連，其中碳－硅鍵是單鍵

6，碳化硅晶片的介紹

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高化學(xué)穩(wěn)定性、抗輻射的性能，具有與氮化鎵(GaN)相近的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，不僅是制作高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)的理想襯底材料，也是制作高溫、高頻、高功率以及抗輻射電子器件的理想材料。碳化硅晶片的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢。
碳化硅晶片的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢。國內(nèi)獨家碳化硅單晶供應(yīng)商，在研發(fā)、技術(shù)、市場開發(fā)及商業(yè)運作等方面處絕對領(lǐng)先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大寶石級SiC2晶體生長核心技術(shù)工藝，達到國際2001年先進水平。
天科合達是國內(nèi)最早從事碳化硅研究和生產(chǎn)的企業(yè)。北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司成立于2006年9月，專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅晶片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司依托于中國科學(xué)院物理所十余年在碳化硅領(lǐng)域的研究成果優(yōu)勢。是亞太地區(qū)碳化硅晶片制造的先行者。相關(guān)專利技術(shù)已被國內(nèi)和國際授權(quán)。打破了國外碳化硅行業(yè)的壟斷局面。
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