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巨磁阻效應,如何用兩電流模型解釋巨磁電阻效應的產(chǎn)生原理

來源:整理 時間:2023-08-25 19:46:54 編輯:智能門戶 手機版

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1,如何用兩電流模型解釋巨磁電阻效應的產(chǎn)生原理

巨磁阻效應(GiantMagnetoresistance)是一種量子力學和凝聚態(tài)物理學現(xiàn)象,磁阻效應的一種,可以在磁性材料和非磁性材料相間的薄膜層(幾個納米厚)結構中觀察到。這種結構物質(zhì)的電阻值與鐵磁性材料薄膜層的磁化方向有關,兩層磁性材料磁化方向

如何用兩電流模型解釋巨磁電阻效應的產(chǎn)生原理

2,巨磁阻效應的具體解釋

所謂巨磁阻效應,是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現(xiàn)象。巨磁阻是一種量子力學效應,它產(chǎn)生于層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當鐵磁層的磁矩相互平行時,載流子與自旋有關的散射最小,材料有最小的電阻。當鐵磁層的磁矩為反平行時,與自旋有關的散射最強,材料的電阻最大。上下兩層為鐵磁材料,中間夾層是非鐵磁材料。鐵磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁場控制的,因而較小的磁場也可以得到較大電阻變化的材料。

巨磁阻效應的具體解釋

3,什么是巨磁電阻效應

指很小的磁場變化可以引起該種電阻值的巨大變化的一種效應
形容磁電阻效應大小的 具有顯著磁電阻效應的磁性材料。強磁性材料在受到外加磁場作用時引起的電阻變化,稱為磁電阻效應。不論磁場與電流方向平行還是垂直,都將產(chǎn)生磁電阻效應。前者(平行)稱為縱磁場效應,后者(垂直)稱為橫磁場效應。一般強磁性材料的磁電阻率(磁場引起的電阻變化與未加磁場時電阻之比)在室溫下小于8%,在低溫下可增加到10%以上。已實用的磁電阻材料主要有鎳鐵系和鎳鈷系磁性合金。室溫下鎳鐵系坡莫合金的磁電阻率約1%~3%,若合金中加入銅、鉻或錳元素,可使電阻率增加;鎳鈷系合金的電阻率較高,可達6%。與利用其他磁效應相比,利用磁電阻效應制成的換能器和傳感器,其裝置簡單,對速度和頻率不敏感。磁電阻材料已用于制造磁記錄磁頭、磁泡檢測器和磁膜存儲器的讀出器等。
做題時曾了解到,巨磁電阻效應與磁場方向無關

什么是巨磁電阻效應

4,巨磁電阻原理是什么其與近期推出的SSD固態(tài)硬盤有無關系

1.巨磁電阻(GMR)效應是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在顯著變化的現(xiàn)象,一般將其定義為gmr=其中(h)為在磁場h作用下材料的電阻率(0)指無外磁場作用下材料的電阻率。根據(jù)這一效應開發(fā)的小型大容量計算機硬盤已得到廣泛應用。   磁性金屬和合金一般都有磁電阻現(xiàn)象,所謂磁電阻是指在一定磁場下電阻改變的現(xiàn)象,人們把這種現(xiàn)象稱為磁電阻。所謂巨磁阻就是指在一定的磁場下電阻急劇減小,一般減小的幅度比通常磁性金屬與合金材料的磁電阻數(shù)值約高10余倍。簡而言之,就是電阻值對磁場變化巨敏感的一種電阻材料。 2.無論是那種硬盤,他的核心就是磁效應,只是SSD啟動快,沒有電機加速旋轉(zhuǎn)的過程。不用磁頭,快速隨機讀取,讀延遲極小。相對固定的讀取時間。由于尋址時間與數(shù)據(jù)存儲位置無關,因此磁盤碎片不會影響讀取時間。 基于DRAM的固態(tài)硬盤寫入速度極快。無噪音。因為沒有機械馬達和風扇,工作時噪音值為0分貝。內(nèi)部不存在任何機械活動部件,不會發(fā)生機械故障,也不怕碰撞、沖擊、振動。 工作溫度范圍更大。低容量的固態(tài)硬盤比同容量硬盤體積小、重量輕。等等著些優(yōu)點但其過高的成本,近期將不會成為市場主流
微弱的磁場變化可以導致電阻大小的急劇變化,其變化的幅度比通常高十幾倍,他把這種效應命名為巨磁阻效應 與SSD無關

5,請問什么是龐磁電阻效應

巨、龐等都是形容磁電阻效應大小的具有顯著磁電阻效應的磁性材料。強磁性材料在受到外加磁場作用時引起的電阻變化,稱為磁電阻效應。不論磁場與電流方向平行還是垂直,都將產(chǎn)生磁電阻效應。前者(平行)稱為縱磁場效應,后者(垂直)稱為橫磁場效應。一般強磁性材料的磁電阻率(磁場引起的電阻變化與未加磁場時電阻之比)在室溫下小于8%,在低溫下可增加到10%以上。已實用的磁電阻材料主要有鎳鐵系和鎳鈷系磁性合金。室溫下鎳鐵系坡莫合金的磁電阻率約1%~3%,若合金中加入銅、鉻或錳元素,可使電阻率增加;鎳鈷系合金的電阻率較高,可達6%。與利用其他磁效應相比,利用磁電阻效應制成的換能器和傳感器,其裝置簡單,對速度和頻率不敏感。磁電阻材料已用于制造磁記錄磁頭、磁泡檢測器和磁膜存儲器的讀出器等。
所謂巨磁阻效應,是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現(xiàn)象。巨磁阻是一種量子力學效應,它產(chǎn)生于層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當鐵磁層的磁矩相互平行時,載流子與自旋有關的散射最小,材料有最小的電阻。當鐵磁層的磁矩為反平行時,與自旋有關的散射最強,材料的電阻最大。上下兩層為鐵磁材料,中間夾層是非鐵磁材料。鐵磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁場控制的,因而較小的磁場也可以得到較大電阻變化的材料。

6,巨磁電阻效應是怎么一回事阿

所謂巨磁阻效應,是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現(xiàn)象。巨磁阻是一種量子力學效應,它產(chǎn)生于層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當鐵磁層的磁矩相互平行時,載流子與自旋有關的散射最小,材料有最小的電阻。當鐵磁層的磁矩為反平行時,與自旋有關的散射最強,材料的電阻最大。上下兩層為鐵磁材料,中間夾層是非鐵磁材料。鐵磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁場控制的,因而較小的磁場也可以得到較大電阻變化的材料。 眾所周知,計算機硬盤是通過磁介質(zhì)來存儲信息的。一塊密封的計算機硬盤內(nèi)部包含若干個磁盤片,磁盤片的每一面都被以轉(zhuǎn)軸為軸心、以一定的磁密度為間隔劃分成多個磁道,每個磁道又被劃分為若干個扇區(qū)。 磁盤片上的磁涂層是由數(shù)量眾多的、體積極為細小的磁顆粒組成,若干個磁顆粒組成一個記錄單元來記錄1比特(bit)信息,即0或1。磁盤片的每個磁盤面都相應有一個磁頭。當磁頭“掃描”過磁盤面的各個區(qū)域時,各個區(qū)域中記錄的不同磁信號就被轉(zhuǎn)換成電信號,電信號的變化進而被表達為“0”和“1”,成為所有信息的原始譯碼。 最早的磁頭是采用錳鐵磁體制成的,該類磁頭是通過電磁感應的方式讀寫數(shù)據(jù)。然而,隨著信息技術發(fā)展對存儲容量的要求不斷提高,這類磁頭難以滿足實際需求。因為使用這種磁頭,磁致電阻的變化僅為1%~2%之間,讀取數(shù)據(jù)要求一定的強度的磁場,且磁道密度不能太大,因此使用傳統(tǒng)磁頭的硬盤最大容量只能達到每平方英寸20兆位。硬盤體積不斷變小,容量卻不斷變大時,勢必要求磁盤上每一個被劃分出來的獨立區(qū)域越來越小,這些區(qū)域所記錄的磁信號也就越來越弱。 1997年,全球首個基于巨磁阻效應的讀出磁頭問世。正是借助了巨磁阻效應,人們才能夠制造出如此靈敏的磁頭,能夠清晰讀出較弱的磁信號,并且轉(zhuǎn)換成清晰的電流變化。新式磁頭的出現(xiàn)引發(fā)了硬盤的“大容量、小型化”革命。如今,筆記本電腦、音樂播放器等各類數(shù)碼電子產(chǎn)品中所裝備的硬盤,基本上都應用了巨磁阻效應,這一技術已然成為新的標準。
搜一下:巨磁電阻效應是怎么一回事阿?
文章TAG:巨磁阻效應如何用兩電流模型解釋巨磁電阻效應的產(chǎn)生原理

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