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ddr4內(nèi)存條，內(nèi)存DDR3和DDR4有什么區(qū)別

來源：整理 時間：2023-10-10 06:53:04 編輯：智能門戶 手機版

本文目錄一覽

1，內(nèi)存DDR3和DDR4有什么區(qū)別

首先2者不通用，不兼容。其次，DDR4目前只能配合第6代酷睿處理器，頻率更高，功耗更小。防呆缺口更靠近正中間。唯一沒有區(qū)別的可能是價格，所以也導(dǎo)致很多升級的朋友買錯內(nèi)存條了。
ddr4理論上讀取數(shù)據(jù)的速度更快

內(nèi)存DDR3和DDR4有什么區(qū)別

2，ddr4有多少提升

1.DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀2.DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達4266MHz3.DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達128GB4.DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低
你問的是顯存還是內(nèi)存 顯寸ddr5的都已經(jīng)有了。 內(nèi)存ddr3還沒有普及，哪來的ddr4。

ddr4有多少提升

3，DDR3和DDR4內(nèi)存的區(qū)別是什么

您好！有以下重大變化1.DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀2.DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達4266MHz3.DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達128GB4.DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低。對獨顯主機提升很小，最高提升10%的游戲性能。但對apu和集顯的游戲性能能比1600的ddr3提升最高40%
么 新一代DDR4與上一代DDR3內(nèi)存相比,新一代DDR4內(nèi)存性能有了大幅度提升,而且功耗還降
首先2者不通用，不兼容。其次，ddr4目前只能配合第6代酷睿處理器，頻率更高，功耗更小。防呆缺口更靠近正中間。唯一沒有區(qū)別的可能是價格，所以也導(dǎo)致很多升級的朋友買錯內(nèi)存條了。

DDR3和DDR4內(nèi)存的區(qū)別是什么

4，DDR4的介紹

DDR，又稱雙倍速率SDRAM 。Dual Data Rate SDRAM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨機訪問的內(nèi)存。美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范，JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在1333MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s 。DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL ，而是支持2.5V 的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，它仍然可以沿用現(xiàn)有SDRAM 的生產(chǎn)體系，制造成本比SDRAM 略高一些，但遠小于Rambus的價格。DDR存儲器代表著未來能與Rambus 相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個方向。DDR4與以前的內(nèi)存接口不兼容，需要主板支持DDR4內(nèi)存類型。

5，高頻DDR4內(nèi)存怎樣

高頻內(nèi)存首先要主板支持，老的主板只支持ddr3,甚至ddr2,主板支持的話，我們在討論下2113一個問題。1高頻內(nèi)存肯定性能更好，這是毋庸5261置疑的。內(nèi)存和處理器間信息轉(zhuǎn)化效率更高。2內(nèi)存對電腦整體的影響，其實主要不是體現(xiàn)在性能上。主要體4102現(xiàn)在穩(wěn)定性上。所以ddr4相較ddr3來說并不會使電腦性能產(chǎn)生大的1653影響。3對于頻率來說，內(nèi)存雙通道的組合更為重要，兩條同容量，同頻率的內(nèi)存條組成雙通道可回以使內(nèi)存性能整體提升3成。4不要買雜牌內(nèi)存，否則電腦極易不穩(wěn)定，死機答，藍屏。
1、先要看cpu是否支持ddr4的內(nèi)存。如：intel 酷睿i7 7700 cpu，可用ddr4內(nèi)存，也可用ddr3內(nèi)存： 又如：intel 酷睿i9 7900x ，只支持ddr4內(nèi)存： 2、看主板是否支持ddr4的內(nèi)存。 如：技嘉x299 aorus gaming 7，只支持ddr4內(nèi)存： 又如：技嘉h81m-ds2(rev.1.0)，只支持ddr3內(nèi)存： 2、如果電腦 的主板和cpu都支持ddr4內(nèi)存，可以上ddr4內(nèi)存，速度快；如果只支持ddr4內(nèi)存，就只能上ddr4內(nèi)存；如果ddr3和ddr4都支持，那就看經(jīng)濟實力了。

6，ddr4和ddr3的區(qū)別

一、工作電壓不同1、ddr4：標(biāo)準(zhǔn)工作電壓為1.2V，最低可降至1.1V—1.05V，相比于ddr3更節(jié)能。2、ddr3：標(biāo)準(zhǔn)工作電壓為1.5V，節(jié)能版為1.35V。二、工作頻率不同1、ddr4：標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為2133MHz，最高可以達到3200MHz。2、ddr3：標(biāo)準(zhǔn)工作頻率最高為1600MHz。三、預(yù)取機制不同1、ddr4：采用16bit預(yù)取機制，同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍，更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進一步提升。2、ddr3：采用8bit預(yù)取設(shè)計，DDR3顯存規(guī)格為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。參考資料來源：搜狗百科-DDR4內(nèi)存參考資料來源：搜狗百科-DDR3 SDRAM
內(nèi)存得速度上除了工作頻率外，還有內(nèi)存的各種延遲，一般來說，延遲越小內(nèi)存性能越好。對內(nèi)存影響較大得延遲有Command Rate，CAS,TRCD,TRP,TRAS。在同樣都是2200MHz的工作頻率下，DDR4代的各項延遲能被設(shè)置的更小，性能當(dāng)然也比DDR3高。另外，DDR4代內(nèi)存的制成要比DDR3代進步，發(fā)熱也比DDR3代的低。值得說得是，在整機中并不是內(nèi)存的性能越好越好。因為在整機中還存在各個配件的數(shù)據(jù)交換帶寬，比如說前端總線等。若前端總線為1800MHz那么只要800MHz的雙通道內(nèi)存或1600MHz的單通道內(nèi)存就夠了，比這還高的內(nèi)存不能完全發(fā)揮他的性能。這也是Inter在新的Nehalem構(gòu)架中拋棄FSB總線而采用更高速的QPI總線的原因。
頻率，接口位置都是不一樣的，可以通過下圖了解下具體的性能參數(shù)。
按照資料顯示有一下區(qū)別：1、ddr4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指據(jù)說變成彎曲狀；2、ddr4內(nèi)存頻率提升明顯，可達4266mhz；3、ddr4內(nèi)存容量提升明顯，可達128gb；4、ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v、甚至更低。5、而且在同樣都是2200mhz的工作頻率下，ddr4代的各項延遲能被設(shè)置的更小，性能當(dāng)然也比ddr3高。 6、另外，ddr4代內(nèi)存的制成要比ddr3代進步，發(fā)熱也比ddr3代的低。當(dāng)然，值得說得是，在整機中并不是內(nèi)存的性能越好越好。因為在整機中還存在各個配件的數(shù)據(jù)交換帶寬，比如說前端總線等。若前端總線為1800mhz，那么只要800mhz的雙通道內(nèi)存或1600mhz的單通道內(nèi)存就夠了，比這還高的內(nèi)存不能完全發(fā)揮他的性能。這也是inter在新的nehalem構(gòu)架中拋棄fsb總線而采用更高速的qpi總線的原因。
文章TAG：ddr4內(nèi)存條內(nèi)存DDR3和DDR4有什么區(qū)別

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