ir2110負(fù)壓回路。ir2110沒(méi)有驅(qū)動(dòng)波形，IR2101和IR2110有什么區(qū)別？你好！ir2110兩個(gè)輸入通道的波形必須相反！以IR2110為例摘要:簡(jiǎn)要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點(diǎn)和工作原理，IR2110的自舉電路有什么作用。

No .因?yàn)樯蠘虮鄣腗OS晶體管飽和并導(dǎo)通，所以必須在柵極和源極之間施加適當(dāng)?shù)碾妷?。一般?0V左右才能使MOS管的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)達(dá)到額定值。這個(gè)電壓再高一點(diǎn)，它的內(nèi)阻會(huì)小一點(diǎn)，但是太高的話會(huì)損壞MOS管。當(dāng)上橋臂MOS晶體管導(dǎo)通時(shí)，其內(nèi)阻Rds很小，甚至只有1 ~ 2mΩ。此時(shí)，源電壓基本上等于電源電壓，電源電壓可能比控制驅(qū)動(dòng)電路電壓高得多。導(dǎo)致柵極電壓無(wú)法高于源極所需的電壓，上橋臂MOS晶體管無(wú)法良好導(dǎo)通。

是的，1/10VCC的負(fù)壓C2引腳接VS，VB引一個(gè)電阻到VD1，負(fù)壓為5V。我這里有IR2110的規(guī)格。我可以查閱具體資料，知道參數(shù)。C2錯(cuò)了。網(wǎng)上這些電路圖有問(wèn)題。引腳5和6需要連接電容。這些參考手冊(cè)。按照這樣的電路設(shè)計(jì)，高端不會(huì)產(chǎn)生負(fù)壓。為了產(chǎn)生負(fù)壓，當(dāng)高端輸出關(guān)閉時(shí)，VCC必須有效地給電容器C3充電。在單相全橋逆變器中，當(dāng)?shù)投吮或?qū)動(dòng)到低電平時(shí)，高端通過(guò)自舉電容C2經(jīng)VB輸出高電平到VO；

摘要:簡(jiǎn)要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點(diǎn)和工作原理。利用UC3637和IR2110構(gòu)建了一種高電壓、大功率、小信號(hào)放大電路，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其可行性。關(guān)鍵詞:小信號(hào)放大器；雙脈沖寬度調(diào)制；懸掛驅(qū)動(dòng)；高壓大功率介紹0現(xiàn)有的小信號(hào)放大電路很多都是由晶體管或MOS晶體管組成，其功率是有限的，所以不能把電路的功率做得很大。

SPWM技術(shù)有兩種實(shí)現(xiàn)方式。一種是模擬集成電路將正弦調(diào)制波與三角波載波進(jìn)行比較，產(chǎn)生SPWM信號(hào)。另一種是使用數(shù)字方法。隨著應(yīng)用的深入和集成技術(shù)的發(fā)展，商品化的專用集成電路(ASIC)、專用單片機(jī)(8X196/MC/MD/MH)和DSP可以簡(jiǎn)化控制電路結(jié)構(gòu)，集成度高。因?yàn)閿?shù)字芯片一般比較貴，所以這里用的是模擬集成電路。

ir2110作為mosfet驅(qū)動(dòng)芯片，如果你的主電路是高電壓大電流，控制電路一般是低電壓小電流，那么必須將它們隔離(一般用高速光耦)，防止主電路擊穿，控制電路燒壞。同學(xué)，我最近一直在用這個(gè)芯片！ir2110兩個(gè)輸入通道的波形必須相反！否則，輸出波形必須一致。

Hin和Lin是相位相反的邏輯信號(hào)，最高級(jí)邏輯電路的電源值為VDD(9腳)；當(dāng)Hin為高電平時(shí)，輸出端Ho也為高電平，反之，Ho為低電平；可以連接到單片機(jī)，欣和林應(yīng)該同時(shí)連接，記住它們是相互相反的邏輯信號(hào)。Com接地，高端輸出配自舉電路，可以驅(qū)動(dòng)高端MOS。需要一定的負(fù)載來(lái)給自舉電容充電。記得設(shè)置死區(qū)。IR2110采用HVIC和鎖存器抗干擾CMOS制造工藝，采用DIP14引腳封裝。

浮動(dòng)電源采用自舉電路，高端工作電壓可達(dá)500V，DV/DT 50 V/ns，15V時(shí)靜態(tài)功耗僅為116mW。輸出電源端(pin 3，即功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)電壓)的電壓范圍為10 ~ 20v；邏輯電源(引腳9)的電壓范圍為5 ~ 15V，可以方便地匹配TTL和CMOS電平，邏輯電源地與電源地之間允許有5V的偏移；工作頻率高，高達(dá)500kHz；

2110是雙極性驅(qū)動(dòng)器。高端和低端是相互獨(dú)立的。低端的邏輯輸入驅(qū)動(dòng)高端的開(kāi)關(guān)管?？梢苑窒怼d為低電平關(guān)閉芯片，高電平正常工作。dip14的封裝引腳與sioc16不同，但符號(hào)相同，功能相同。例如，dip14的第13個(gè)引腳VSS對(duì)應(yīng)soic16的第15個(gè)引腳VSS。VSS和14針com可以一起接地。SD為低電平關(guān)閉芯片，高電平正常工作。

應(yīng)該是pCB布線問(wèn)題。Q1和Q6是一個(gè)橋臂。從你的圖中可以看出，兩個(gè)功率管距離太遠(yuǎn)，中間有那么多電路，很容易收到干擾。試著在管腳Q1的D極和管腳Q6的S極加一個(gè)高頻電容，也就是DC母線電壓，可以過(guò)濾掉一些，估計(jì)作用不大。您使用33ω作為驅(qū)動(dòng)電阻，這應(yīng)該是合適的。布線可以用10 ~ 20ω，盡可能加大差值。

你好！兩者最大的區(qū)別在于IR2101是雙通道、柵極驅(qū)動(dòng)、高壓高速功率驅(qū)動(dòng)器。該器件采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)，簡(jiǎn)化了邏輯電路對(duì)功率器件的控制要求，提高了驅(qū)動(dòng)電路的可靠性，同時(shí)，上管采用外部自舉電容供電，與其他IC驅(qū)動(dòng)相比減少了驅(qū)動(dòng)電源的數(shù)量，減小了控制變壓器的體積，減少了工程中的電源數(shù)量。