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1，seml是什么意思
2，半導體在工作上有什么應用
3，半導體具有三性是哪三性
4，紅外加熱器是半導體嗎
5，nPn PnP 是什么意思
6，半導體的性質作用具有什么性

1，seml是什么意思

seml 半導體設備和材料協(xié)會；國際半導體設備與材料協(xié)會；半導體設備和材料國際協(xié)會　　國際半導體設備與材料協(xié)會(SEMl)已批準了EtherCAT的SEMI應用，并接受曰帕EtherCAT成為一個SEMl標準?！　绹雽w設備和材料國際協(xié)會(SEMl)的邀請，2003年中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會第一次組團赴美參加2003年美國西部半導體設備和 …

smell [smel] n. 味道, 嗅覺, 氣味

seml是什么意思

2，半導體在工作上有什么應用

控制作用

一般來說物質按其導電性分為導體，絕緣體，半導體。顧名思義，就是說物質在一種情況為導電，而另一種情況不導電。有的對溫度敏感就做成熱敏原件，有的對光照敏感就做成光敏原件。

半導體一般指硅晶體,它的導電性介于導體和絕緣體之間。半導體是指導電能力介于金屬和絕緣體之間的固體材料。按內部電子結構區(qū)分，半導體與絕緣體相似，它們所含的價電子數(shù)恰好能填滿價帶，并由禁帶和上面的導帶隔開。半導體與絕緣體的區(qū)別是禁帶較窄，在2～3電子伏以下。典型的半導體是以共價鍵結合為主的，比如晶體硅和鍺。半導體靠導帶中的電子或價帶中的空穴導電。它的導電性一般通過摻入雜質原子取代原來的原子來控制。摻入的原子如果比原來的原子多一個價電子，則產生電子導電；如果摻入的雜質原子比原來的原子少一個價電子，則產生空穴導電。半導體的應用十分廣泛，主要是制成有特殊功能的元器件，如晶體管、集成電路、整流器、激光器以及各種光電探測器件、微波器件等。

半導體在工作上有什么應用

3，半導體具有三性是哪三性

1.熱敏特性半導體的電阻率隨溫度變化會發(fā)生明顯地改變。2.光敏特性半導體的電阻率對光的變化十分敏感。有光照時、電阻率很小;無光照時相反。3.摻雜特性在純凈的半導體中，摻人極微量的雜質元素，就會使它的電阻率發(fā)生極大的變化。幾乎所有的半導體器件，都是用摻有特定雜質的半導體材料制成的。望采納

直接禁帶半導體材料就是導帶最小值（導帶底）和價帶最大值在k空間中同一位置。電子要躍遷到導帶上產生導電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量，動量保持不變。直接帶隙半導體（direct gap semiconductor）的例子：gaas、inp半導體。相反，si、ge是間接帶隙半導體。直接帶隙半導體的重要性質：當價帶電子往導帶躍遷時，電子波矢不變，在能帶圖上即是豎直地躍遷，這就意味著電子在躍遷過程中，動量可保持不變——滿足動量守恒定律。相反，如果導帶電子下落到價帶（即電子與空穴復合）時，也可以保持動量不變——直接復合，即電子與空穴只要一相遇就會發(fā)生復合（不需要聲子來接受或提供動量）。因此，直接帶隙半導體中載流子的壽命必將很短；同時，這種直接復合可以把能量幾乎全部以光的形式放出（因為沒有聲子參與，故也沒有把能量交給晶體原子）——發(fā)光效率高（這也就是為什么發(fā)光器件多半采用直接帶隙半導體來制作的根本原因）。

半導體具有三性是哪三性

4，紅外加熱器是半導體嗎

這兩個概念不搭邊。紅外線加熱器是指依靠輻射紅外線對物體進行加熱的一種加熱器；分為三種，短波紅外線加熱器、中波紅外線加熱器和長波紅外線加熱器，如鹵素加熱管，碳素加熱器和陶瓷加熱器等。半導體（semiconductor），指常溫下導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。常見的半導體材料有硅（si）、鍺（ge）,化合物半導體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導體材料。

是否是指半導體制冷器（tec thermo electri cooler）？它是以帕爾帖效應為基礎的一種制冷技術。它的簡單工作原理是:當把n型和p型半導體元件聯(lián)結成電偶對并在兩塊半導體上通上直流電時，電偶對的一端就會吸熱逐漸變冷，這一半導體端叫做冷端;另一端會放熱變熱，稱為熱端。是致冷還是加熱，以及致冷、加熱的速率，由通過它的電流方向和大小來決定。機理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級，在外電場的作用下，電荷載體從高能級的材料向低能級的材料運動時，便會釋放出多余的能量。反之，電荷載體從低能級的材料向高能級的材料運動時，需從外界吸收能量。

5，nPn PnP 是什么意思

原發(fā)布者:heng329 PNP與NPN型傳感器（開關型）分為六類： 1、NPN-NO（常開型） 2、NPN-NC（常閉型） 3、NPN-NC+NO（常開、常閉共有型） 4、PNP-NO（常開型） 5、PNP-NC（常閉型） 6、PNP-NC+NO（常開、常閉共有型） PNP與NPN型傳感器一般有三條引出線，即電源線VCC、0V線，out信號輸出線。 1、PNP類 PNP是指當有信號觸發(fā)時，信號輸出線out和電源線VCC連接，相當于輸出高電平的電源線。對于PNP-NO型，在沒有信號觸發(fā)時，輸出線是懸空的，就是VCC電源線和out線斷開。有信號觸發(fā)時，發(fā)出與VCC電源線相同的電壓，也就是out線和電源線VCC連接，輸出高電平VCC。對于PNP-NC型，在沒有信號觸發(fā)時，發(fā)出與VCC電源線相同的電壓，也就是out線和電源線VCC連接，輸出高電平VCC。當有信號觸發(fā)后，輸出線是懸空的，就是VCC電源線和out線斷開。對于PNP-NC+NO型，其實就是多出一個輸出線OUT，根據(jù)需要取舍。 2、NPN類 NPN是指當有信號觸發(fā)時，信號輸出線out和0v線連接，相當于輸出低電平，ov。對于NPN-NO型，在沒有信號觸發(fā)時，輸出

1.npn和pnp的區(qū)別--簡介　　晶體三極管是由形成二個PN結的三部分半導體組成的，其組成形式有PNP型及NPN型。pnp型三極管，是由2塊P型半導體中間夾著1塊N型半導體所組成的三極管，稱為PNP型三極管。npn型三極管，是由2塊n型半導體中間夾著1塊p型半導體所組成的三極管，稱為npn型三極管。我國生產的鍺三極管多為PNP型，硅三極管多為NPN型，它們的結構原理是相同的。在電路符號上PNP型管發(fā)射極箭頭向里，NPN型管發(fā)射極箭頭向外，表示電流方向。2.npn和pnp的區(qū)別--三極管　　2個PN結的方向不一致。PNP是共陰極，即兩個PN結的N結相連做為基極，另兩個P結分別做集電極和發(fā)射極;電路圖里標示為箭頭朝內的三極管。NPN則相反。3.npn和pnp的區(qū)別--傳感器　　PNP與NPN型傳感器其實就是利用三極管的飽和和截止，輸出兩種狀態(tài)，屬于開關型傳感器。但輸出信號是截然相反的，即高電平和低電平。NPN輸出是低電平0，PNP輸出的是高電平1。PNP與NPN型傳感器一般有三條引出線，即電源線VCC、0V線，out信號輸出線?！　?、PNP類　　PNP是指當有信號觸發(fā)時，信號輸出線out和電源線VCC連接，相當于輸出高電平的電源線?！　τ赑NP-NO型，在沒有信號觸發(fā)時，輸出線是懸空的，就是VCC電源線和out線斷開。有信號觸發(fā)時，發(fā)出與VCC電源線相同的電壓，也就是out線和電源線VCC連接，輸出高電平VCC?！　τ赑NP-NC型，在沒有信號觸發(fā)時，發(fā)出與VCC電源線相同的電壓，也就是out線和電源線VCC連接，輸出高電平VCC。當有信號觸發(fā)后，輸出線是懸空的，就是VCC電源線和out線斷開。　　對于PNP-NC+NO型，其實就是多出一個輸出線OUT，根據(jù)需要取舍?！　?、NPN類　　NPN是指當有信號觸發(fā)時，信號輸出線out和0v線連接，相當于輸出低電平，ov。　　對于NPN-NO型，在沒有信號觸發(fā)時，輸出線是懸空的，就是0v線和out線斷開。有信號觸發(fā)時，發(fā)出與OV相同的電壓，也就是out線和0V線連接，輸出輸出低電平OV。　　對于NPN-NC型，在沒有信號觸發(fā)時，發(fā)出與0V線相同的電壓，也就是out線和0V線連接，輸出低電平0V。當有信號觸發(fā)后，輸出線是懸空的，就是0V線和out線斷開?！　τ贜PN-NC+NO型，和NPN-NC+NO型類似，多出一個輸出線OUT，及兩條信號反相的輸出線，根據(jù)需要取舍。

光電傳感器有npn型輸出型(電流流入)和pnp輸出型(電流流出)兩種，當電流流出的傳感器(pnp輸出型)在接通時，電流是從電源經傳感器的輸出端（output）流到負載（load）上，進入負載, 然后流到接地端。而電流流入(npn輸出型)的傳感器接通時，電流是從電源經負載流到傳感器的輸出端(output)，然后流到接地端(gnd)，最后進入系統(tǒng)的地（gnd）。1、npn類 npn是指當有信號觸發(fā)時，信號輸出線out和gnd連接，相當于out輸出低電平。2、pnp類 pnp是指當有信號觸發(fā)時，信號輸出線out和vcc連接，相當于out輸出高電平的電源線。

晶體三極管PNP是共陰極，即兩個PN結的N結相連做為基極，另兩個P結分別做集電極和發(fā)射極；電路圖里標示為箭頭朝內的三極管。 NPN則相反。

6，半導體的性質作用具有什么性

以鍺硅合金為例。1、性質：高頻特性良好，材料安全性佳，導熱性好，而且制程成熟、整合度高，具成本較低之優(yōu)勢。2、作用：不但可以直接利用半導體現(xiàn)有200mm 晶圓制程，達到高集成度，據(jù)以創(chuàng)造經濟規(guī)模，還有媲美GaAs的高速特性。隨著近來IDM 大廠的投入，SiGe 技術已逐步在截止頻率(fT)與擊穿電壓(Breakdown voltage)過低等問題獲得改善而日趨實用。SiGe既擁有硅工藝的集成度、良率和成本優(yōu)勢，又具備第3 到第5 類半導體(如砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP))在速度方面的優(yōu)點。只要增加金屬和介質疊層來降低寄生電容和電感，就可以采用SiGe 半導體技術集成高質量無源部件。擴展資料：半導體的導電特性介紹：導體具有良好的導電特性，常溫下，其內部存在著大量的自由電子，它們在外電場的作用下做定向運動形成較大的電流。因而導體的電阻率很小，只有金屬一般為導體，如銅、鋁、銀等。絕緣體幾乎不導電，如橡膠、陶瓷、塑料等。在這類材料中，幾乎沒有自由電子，即使受外電場作用也不會形成電流，所以，絕緣體的電阻率很大，在以上。半導體的導電能力介于導體和絕緣體之間，如硅、鍺、硒等，它們的電阻率通常在之間。半導體之所以得到廣泛應用，是因為它的導電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。如純凈的半導體單晶硅在室溫下電阻率約為，若按百萬分之一的比例摻入少量雜質(如磷)后，其電阻率急劇下降為，幾乎降低了一百萬倍。半導體具有這種性能的根本原因在于半導體原子結構的特殊性。參考資料來源：搜狗百科-半導體搜狗百科-鍺硅合金

性質光敏性,熱敏性,摻雜性作用半導體最基本的是二極管和MOS管，原理都是基于N型和P型半導體構成的PN結。二極管是單向導電器件，可以實現(xiàn)整流控制等。MOS管是柵控器件，是目前集成電路中最基本的單元。半導體是微電子產業(yè)的基礎。控制是它的核心?；卮鸬暮啙?，具體知識參見http://baike.baidu.com/view/19928.htm

半導體是介于像銅那樣易于電流通過的導體和像橡膠那樣的不導通電流的絕緣體之間的物質。性質:光敏性,熱敏性,摻雜性作用：半導體的作用與價值：目前廣泛應用的半導體材料有鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等．其中以鍺、硅材料的生產技術較成熟，用的也較多。用半導體材料制成的部件、集成電路等是電子工業(yè)的重要基礎產品，在電子技術的各個方面已大量使用。半導體材料、器件、集成電路的生產和科研已成為電子工業(yè)的重要組成部分。在新產品研制及新技術發(fā)展方面，比較重要的領域有：（1）集成電路它是半導體技術發(fā)展中最活躍的一個領域，已發(fā)展到大規(guī)模集成的階段。在幾平方毫米的硅片上能制作幾萬只晶體管，可在一片硅片上制成一臺微信息處理器，或完成其它較復雜的電路功能。集成電路的發(fā)展方向是實現(xiàn)更高的集成度和微功耗，并使信息處理速度達到微微秒級。（2）微波器件半導體微波器件包括接收、控制和發(fā)射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發(fā)射器件的功率已達到數(shù)瓦，人們正在通過研制新器件、發(fā)展新技術來獲得更大的輸出功率。（3）光電子器件半導體發(fā)光、攝象器件和激光器件的發(fā)展使光電子器件成為一個重要的領域。它們的應用范圍主要是：光通信、數(shù)碼顯示、圖象接收、光集成等。

什么是半導體呢？顧名思義：導電性能介于導體與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導體（semiconductor）．物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介于導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。與金屬和絕緣體相比，半導體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術改進以后，半導體的存在才真正被學術界認可。電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質。半導體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括ⅲ-ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、ⅱ-ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導體、有機半導體等。本征半導體不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴（圖 1 ）。導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對，均能自由移動，即載流子，它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子 - 空穴對的產生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子 - 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大，實際應用不多。半導體中雜質半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產加的雜質能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價結合，多余的一個電子被束縛于雜質原子附近，產生類氫能級。雜質能級位于禁帶上方靠近導帶底附近。雜質能級上的電子很易激發(fā)到導帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質稱為施主，相應能級稱為施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發(fā)到導帶所需能量小得多（圖2）。在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態(tài)就是雜質能級，通常位于禁帶下方靠近價帶處。價帶中的電子很易激發(fā)到雜質能級上填補這個空位，使雜質原子成為負離子。價帶中由于缺少一個電子而形成一個空穴載流子（圖3）。這種能提供空穴的雜質稱為受主雜質。存在受主雜質時，在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本征半導體情形要小得多。半導體摻雜后其電阻率大大下降。加熱或光照產生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會使自由載流子數(shù)增加而導致電阻率減小，半導體熱敏電阻和光敏電阻就是根據(jù)此原理制成的。對摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是導帶中的電子，屬電子型導電，稱n型半導體。摻入受主雜質的半導體屬空穴型導電，稱p型半導體。半導體在任何溫度下都能產生電子-空穴對，故n型半導體中可存在少量導電空穴，p型半導體中可存在少量導電電子，它們均稱為少數(shù)載流子。在半導體器件的各種效應中，少數(shù)載流子常扮演重要角色。 pn結 p型半導體與n型半導體相互接觸時，其交界區(qū)域稱為pn結。p區(qū)中的自由空穴和n區(qū)中的自由電子要向對方區(qū)域擴散，造成正負電荷在 pn 結兩側的積累，形成電偶極層(圖4 )。電偶極層中的電場方向正好阻止擴散的進行。當由于載流子數(shù)密度不等引起的擴散作用與電偶層中電場的作用達到平衡時，p區(qū)和n區(qū)之間形成一定的電勢差，稱為接觸電勢差。由于p 區(qū)中的空穴向n區(qū)擴散后與n區(qū)中的電子復合，而n區(qū)中的電子向p區(qū)擴散后與p 區(qū)中的空穴復合，這使電偶極層中自由載流子數(shù)減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成pn結的半導體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。 pn結具有單向導電性，半導體整流管就是利用pn結的這一特性制成的。pn結的另一重要性質是受到光照后能產生電動勢，稱光生伏打效應，可利用來制造光電池。半導體三極管、可控硅、pn結光敏器件和發(fā)光二極管等半導體器件均利用了pn結的特性。

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什么是半導體，seml是什么意思

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