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1，seml是什么意思
2，半導(dǎo)體在工作上有什么應(yīng)用
3，半導(dǎo)體具有三性是哪三性
4，紅外加熱器是半導(dǎo)體嗎
5，nPn PnP 是什么意思
6，半導(dǎo)體的性質(zhì) 作用具有什么性

1，seml是什么意思

seml 半導(dǎo)體設(shè)備和材料協(xié)會(huì)；國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)；半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)際協(xié)會(huì)　　國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)(SEMl)已批準(zhǔn)了EtherCAT的SEMI應(yīng)用，并接受曰帕EtherCAT成為一個(gè)SEMl標(biāo)準(zhǔn)。　　應(yīng)美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)際協(xié)會(huì)(SEMl)的邀請(qǐng)，2003年中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)第一次組團(tuán)赴美參加2003年美國(guó)西部半導(dǎo)體設(shè)備和 …

smell [smel] n. 味道, 嗅覺(jué), 氣味

seml是什么意思

2，半導(dǎo)體在工作上有什么應(yīng)用

控制作用

一般來(lái)說(shuō)物質(zhì)按其導(dǎo)電性分為導(dǎo)體，絕緣體，半導(dǎo)體。顧名思義，就是說(shuō)物質(zhì)在一種情況為導(dǎo)電，而另一種情況不導(dǎo)電。有的對(duì)溫度敏感就做成熱敏原件，有的對(duì)光照敏感就做成光敏原件。

半導(dǎo)體一般指硅晶體,它的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間。半導(dǎo)體是指導(dǎo)電能力介于金屬和絕緣體之間的固體材料。按內(nèi)部電子結(jié)構(gòu)區(qū)分，半導(dǎo)體與絕緣體相似，它們所含的價(jià)電子數(shù)恰好能填滿價(jià)帶，并由禁帶和上面的導(dǎo)帶隔開(kāi)。半導(dǎo)體與絕緣體的區(qū)別是禁帶較窄，在2～3電子伏以下。典型的半導(dǎo)體是以共價(jià)鍵結(jié)合為主的，比如晶體硅和鍺。半導(dǎo)體靠導(dǎo)帶中的電子或價(jià)帶中的空穴導(dǎo)電。它的導(dǎo)電性一般通過(guò)摻入雜質(zhì)原子取代原來(lái)的原子來(lái)控制。摻入的原子如果比原來(lái)的原子多一個(gè)價(jià)電子，則產(chǎn)生電子導(dǎo)電；如果摻入的雜質(zhì)原子比原來(lái)的原子少一個(gè)價(jià)電子，則產(chǎn)生空穴導(dǎo)電。半導(dǎo)體的應(yīng)用十分廣泛，主要是制成有特殊功能的元器件，如晶體管、集成電路、整流器、激光器以及各種光電探測(cè)器件、微波器件等。

半導(dǎo)體在工作上有什么應(yīng)用

3，半導(dǎo)體具有三性是哪三性

1.熱敏特性半導(dǎo)體的電阻率隨溫度變化會(huì)發(fā)生明顯地改變。2.光敏特性半導(dǎo)體的電阻率對(duì)光的變化十分敏感。有光照時(shí)、電阻率很小;無(wú)光照時(shí)相反。3.摻雜特性在純凈的半導(dǎo)體中，摻人極微量的雜質(zhì)元素，就會(huì)使它的電阻率發(fā)生極大的變化。幾乎所有的半導(dǎo)體器件，都是用摻有特定雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料制成的。望采納

直接禁帶半導(dǎo)體材料就是導(dǎo)帶最小值（導(dǎo)帶底）和價(jià)帶最大值在k空間中同一位置。電子要躍遷到導(dǎo)帶上產(chǎn)生導(dǎo)電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量，動(dòng)量保持不變。直接帶隙半導(dǎo)體（direct gap semiconductor）的例子：gaas、inp半導(dǎo)體。相反，si、ge是間接帶隙半導(dǎo)體。直接帶隙半導(dǎo)體的重要性質(zhì)：當(dāng)價(jià)帶電子往導(dǎo)帶躍遷時(shí)，電子波矢不變，在能帶圖上即是豎直地躍遷，這就意味著電子在躍遷過(guò)程中，動(dòng)量可保持不變——滿足動(dòng)量守恒定律。相反，如果導(dǎo)帶電子下落到價(jià)帶（即電子與空穴復(fù)合）時(shí)，也可以保持動(dòng)量不變——直接復(fù)合，即電子與空穴只要一相遇就會(huì)發(fā)生復(fù)合（不需要聲子來(lái)接受或提供動(dòng)量）。因此，直接帶隙半導(dǎo)體中載流子的壽命必將很短；同時(shí)，這種直接復(fù)合可以把能量幾乎全部以光的形式放出（因?yàn)闆](méi)有聲子參與，故也沒(méi)有把能量交給晶體原子）——發(fā)光效率高（這也就是為什么發(fā)光器件多半采用直接帶隙半導(dǎo)體來(lái)制作的根本原因）。

半導(dǎo)體具有三性是哪三性

4，紅外加熱器是半導(dǎo)體嗎

這兩個(gè)概念不搭邊。紅外線加熱器是指依靠輻射紅外線對(duì)物體進(jìn)行加熱的一種加熱器；分為三種，短波紅外線加熱器、中波紅外線加熱器和長(zhǎng)波紅外線加熱器，如鹵素加熱管，碳素加熱器和陶瓷加熱器等。半導(dǎo)體（semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge）,化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。

是否是指半導(dǎo)體制冷器（tec thermo electri cooler）？它是以帕爾帖效應(yīng)為基礎(chǔ)的一種制冷技術(shù)。它的簡(jiǎn) 單工作原理是:當(dāng)把n型和p型半導(dǎo)體元件聯(lián)結(jié)成電偶對(duì)并在兩塊半導(dǎo)體上通上直流電時(shí)，電偶對(duì)的一端就會(huì)吸熱逐漸變冷，這一半導(dǎo)體端叫做冷端;另一端會(huì)放熱變熱，稱為熱端。是致冷還是加熱，以及致冷、加熱的速率，由通過(guò)它的電流方向和大小來(lái)決定。機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級(jí)，在外電場(chǎng)的作用下，電荷載體從高能級(jí)的材料向低能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí)，便會(huì)釋放出多余的能量。反之，電荷載體從低能級(jí)的材料向高能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí)，需從外界吸收能量。

5，nPn PnP 是什么意思

原發(fā)布者:heng329 PNP與NPN型傳感器（開(kāi)關(guān)型）分為六類： 1、NPN-NO（常開(kāi)型） 2、NPN-NC（常閉型） 3、NPN-NC+NO（常開(kāi)、常閉共有型） 4、PNP-NO（常開(kāi)型） 5、PNP-NC（常閉型） 6、PNP-NC+NO（常開(kāi)、常閉共有型） PNP與NPN型傳感器一般有三條引出線，即電源線VCC、0V線，out信號(hào)輸出線。 1、PNP類 PNP是指當(dāng)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，信號(hào)輸出線out和電源線VCC連接，相當(dāng)于輸出高電平的電源線。對(duì)于PNP-NO型，在沒(méi)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，輸出線是懸空的，就是VCC電源線和out線斷開(kāi)。有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，發(fā)出與VCC電源線相同的電壓，也就是out線和電源線VCC連接，輸出高電平VCC。對(duì)于PNP-NC型，在沒(méi)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，發(fā)出與VCC電源線相同的電壓，也就是out線和電源線VCC連接，輸出高電平VCC。當(dāng)有信號(hào)觸發(fā)后，輸出線是懸空的，就是VCC電源線和out線斷開(kāi)。對(duì)于PNP-NC+NO型，其實(shí)就是多出一個(gè)輸出線OUT，根據(jù)需要取舍。 2、NPN類 NPN是指當(dāng)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，信號(hào)輸出線out和0v線連接，相當(dāng)于輸出低電平，ov。對(duì)于NPN-NO型，在沒(méi)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，輸出

1.npn和pnp的區(qū)別--簡(jiǎn)介　　晶體三極管是由形成二個(gè)PN結(jié)的三部分半導(dǎo)體組成的，其組成形式有PNP型及NPN型。pnp型三極管，是由2塊P型半導(dǎo)體中間夾著1塊N型半導(dǎo)體所組成的三極管，稱為PNP型三極管。npn型三極管，是由2塊n型半導(dǎo)體中間夾著1塊p型半導(dǎo)體所組成的三極管，稱為npn型三極管。我國(guó)生產(chǎn)的鍺三極管多為PNP型，硅三極管多為NPN型，它們的結(jié)構(gòu)原理是相同的。在電路符號(hào)上PNP型管發(fā)射極箭頭向里，NPN型管發(fā)射極箭頭向外，表示電流方向。2.npn和pnp的區(qū)別--三極管　　2個(gè)PN結(jié)的方向不一致。PNP是共陰極，即兩個(gè)PN結(jié)的N結(jié)相連做為基極，另兩個(gè)P結(jié)分別做集電極和發(fā)射極;電路圖里標(biāo)示為箭頭朝內(nèi)的三極管。NPN則相反。3.npn和pnp的區(qū)別--傳感器　　PNP與NPN型傳感器其實(shí)就是利用三極管的飽和和截止，輸出兩種狀態(tài)，屬于開(kāi)關(guān)型傳感器。但輸出信號(hào)是截然相反的，即高電平和低電平。NPN輸出是低電平0，PNP輸出的是高電平1。PNP與NPN型傳感器一般有三條引出線，即電源線VCC、0V線，out信號(hào)輸出線。　　1、PNP類　　PNP是指當(dāng)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，信號(hào)輸出線out和電源線VCC連接，相當(dāng)于輸出高電平的電源線?！　?duì)于PNP-NO型，在沒(méi)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，輸出線是懸空的，就是VCC電源線和out線斷開(kāi)。有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，發(fā)出與VCC電源線相同的電壓，也就是out線和電源線VCC連接，輸出高電平VCC?！　?duì)于PNP-NC型，在沒(méi)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，發(fā)出與VCC電源線相同的電壓，也就是out線和電源線VCC連接，輸出高電平VCC。當(dāng)有信號(hào)觸發(fā)后，輸出線是懸空的，就是VCC電源線和out線斷開(kāi)?！　?duì)于PNP-NC+NO型，其實(shí)就是多出一個(gè)輸出線OUT，根據(jù)需要取舍?！　?、NPN類　　NPN是指當(dāng)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，信號(hào)輸出線out和0v線連接，相當(dāng)于輸出低電平，ov?！　?duì)于NPN-NO型，在沒(méi)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，輸出線是懸空的，就是0v線和out線斷開(kāi)。有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，發(fā)出與OV相同的電壓，也就是out線和0V線連接，輸出輸出低電平OV?！　?duì)于NPN-NC型，在沒(méi)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，發(fā)出與0V線相同的電壓，也就是out線和0V線連接，輸出低電平0V。當(dāng)有信號(hào)觸發(fā)后，輸出線是懸空的，就是0V線和out線斷開(kāi)。　　對(duì)于NPN-NC+NO型，和NPN-NC+NO型類似，多出一個(gè)輸出線OUT，及兩條信號(hào)反相的輸出線，根據(jù)需要取舍。

光電傳感器有npn型輸出型(電流流入)和pnp輸出型(電流流出)兩種，當(dāng)電流流出的傳感器(pnp輸出型)在接通時(shí)，電流是從電源經(jīng)傳感器的輸出端（output）流到負(fù)載（load）上，進(jìn)入負(fù)載, 然后流到接地端。而電流流入(npn輸出型)的傳感器接通時(shí)，電流是從電源經(jīng)負(fù)載流到傳感器的輸出端(output)，然后流到接地端(gnd)，最后進(jìn)入系統(tǒng)的地（gnd）。1、npn類 npn是指當(dāng)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，信號(hào)輸出線out和gnd連接，相當(dāng)于out輸出低電平。2、pnp類 pnp是指當(dāng)有信號(hào)觸發(fā)時(shí)，信號(hào)輸出線out和vcc連接，相當(dāng)于out輸出高電平的電源線。

晶體三極管PNP是共陰極，即兩個(gè)PN結(jié)的N結(jié)相連做為基極，另兩個(gè)P結(jié)分別做集電極和發(fā)射極；電路圖里標(biāo)示為箭頭朝內(nèi)的三極管。 NPN則相反。

6，半導(dǎo)體的性質(zhì) 作用具有什么性

以鍺硅合金為例。1、性質(zhì)：高頻特性良好，材料安全性佳，導(dǎo)熱性好，而且制程成熟、整合度高，具成本較低之優(yōu)勢(shì)。2、作用：不但可以直接利用半導(dǎo)體現(xiàn)有200mm 晶圓制程，達(dá)到高集成度，據(jù)以創(chuàng)造經(jīng)濟(jì)規(guī)模，還有媲美GaAs的高速特性。隨著近來(lái)IDM 大廠的投入，SiGe 技術(shù)已逐步在截止頻率(fT)與擊穿電壓(Breakdown voltage)過(guò)低等問(wèn)題獲得改善而日趨實(shí)用。SiGe既擁有硅工藝的集成度、良率和成本優(yōu)勢(shì)，又具備第3 到第5 類半導(dǎo)體(如砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP))在速度方面的優(yōu)點(diǎn)。只要增加金屬和介質(zhì)疊層來(lái)降低寄生電容和電感，就可以采用SiGe 半導(dǎo)體技術(shù)集成高質(zhì)量無(wú)源部件。擴(kuò)展資料：半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性介紹：導(dǎo)體具有良好的導(dǎo)電特性，常溫下，其內(nèi)部存在著大量的自由電子，它們?cè)谕怆妶?chǎng)的作用下做定向運(yùn)動(dòng)形成較大的電流。因而導(dǎo)體的電阻率很小，只有金屬一般為導(dǎo)體，如銅、鋁、銀等。絕緣體幾乎不導(dǎo)電，如橡膠、陶瓷、塑料等。在這類材料中，幾乎沒(méi)有自由電子，即使受外電場(chǎng)作用也不會(huì)形成電流，所以，絕緣體的電阻率很大，在以上。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，如硅、鍺、硒等，它們的電阻率通常在之間。半導(dǎo)體之所以得到廣泛應(yīng)用，是因?yàn)樗膶?dǎo)電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。如純凈的半導(dǎo)體單晶硅在室溫下電阻率約為，若按百萬(wàn)分之一的比例摻入少量雜質(zhì)(如磷)后，其電阻率急劇下降為，幾乎降低了一百萬(wàn)倍。半導(dǎo)體具有這種性能的根本原因在于半導(dǎo)體原子結(jié)構(gòu)的特殊性。參考資料來(lái)源：搜狗百科-半導(dǎo)體搜狗百科-鍺硅合金

性質(zhì) 光敏性,熱敏性,摻雜性作用半導(dǎo)體最基本的是二極管和MOS管，原理都是基于N型和P型半導(dǎo)體構(gòu)成的PN結(jié)。二極管是單向?qū)щ娖骷梢詫?shí)現(xiàn)整流控制等。MOS管是柵控器件，是目前集成電路中最基本的單元。半導(dǎo)體是微電子產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)?？刂剖撬暮诵??；卮鸬暮?jiǎn)潔，具體知識(shí)參見(jiàn)http://baike.baidu.com/view/19928.htm

半導(dǎo)體是介于像銅那樣易于電流通過(guò)的導(dǎo)體和像橡膠那樣的不導(dǎo)通電流的絕緣體之間的物質(zhì)。性質(zhì):光敏性,熱敏性,摻雜性作用：半導(dǎo)體的作用與價(jià)值：目前廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料有鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等．其中以鍺、硅材料的生產(chǎn)技術(shù)較成熟，用的也較多。用半導(dǎo)體材料制成的部件、集成電路等是電子工業(yè)的重要基礎(chǔ)產(chǎn)品，在電子技術(shù)的各個(gè)方面已大量使用。半導(dǎo)體材料、器件、集成電路的生產(chǎn)和科研已成為電子工業(yè)的重要組成部分。在新產(chǎn)品研制及新技術(shù)發(fā)展方面，比較重要的領(lǐng)域有：（1）集成電路它是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展中最活躍的一個(gè)領(lǐng)域，已發(fā)展到大規(guī)模集成的階段。在幾平方毫米的硅片上能制作幾萬(wàn)只晶體管，可在一片硅片上制成一臺(tái)微信息處理器，或完成其它較復(fù)雜的電路功能。集成電路的發(fā)展方向是實(shí)現(xiàn)更高的集成度和微功耗，并使信息處理速度達(dá)到微微秒級(jí)。（2）微波器件半導(dǎo)體微波器件包括接收、控制和發(fā)射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發(fā)射器件的功率已達(dá)到數(shù)瓦，人們正在通過(guò)研制新器件、發(fā)展新技術(shù)來(lái)獲得更大的輸出功率。（3）光電子器件半導(dǎo)體發(fā)光、攝象器件和激光器件的發(fā)展使光電子器件成為一個(gè)重要的領(lǐng)域。它們的應(yīng)用范圍主要是：光通信、數(shù)碼顯示、圖象接收、光集成等。

什么是半導(dǎo)體呢？顧名思義：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導(dǎo)體（semiconductor）．物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性和導(dǎo)電導(dǎo)熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導(dǎo)電、導(dǎo)熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體?？梢院?jiǎn)單的把介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與金屬和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀(jì)30年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認(rèn)可。電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括ⅲ-ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、ⅱ-ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。本征半導(dǎo)體不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶(見(jiàn)能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱為空穴（圖 1 ）。導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱電子 - 空穴對(duì)，均能自由移動(dòng)，即載流子，它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動(dòng)能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子 - 空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子 - 空穴對(duì)，載流子密度增加，電阻率減小。無(wú)晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實(shí)際應(yīng)用不多。半導(dǎo)體中雜質(zhì) 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對(duì)電阻率的影響非常大。半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時(shí)，雜質(zhì)原子附近的周期勢(shì)場(chǎng)受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級(jí)。例如四價(jià)元素鍺或硅晶體中摻入五價(jià)元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時(shí)，雜質(zhì)原子作為晶格的一分子，其五個(gè)價(jià)電子中有四個(gè)與周圍的鍺（或硅）原子形成共價(jià)結(jié)合，多余的一個(gè)電子被束縛于雜質(zhì)原子附近，產(chǎn)生類氫能級(jí)。雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶上方靠近導(dǎo)帶底附近。雜質(zhì)能級(jí)上的電子很易激發(fā)到導(dǎo)帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質(zhì)稱為施主，相應(yīng)能級(jí)稱為施主能級(jí)。施主能級(jí)上的電子躍遷到導(dǎo)帶所需能量比從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶所需能量小得多（圖2）。在鍺或硅晶體中摻入微量三價(jià)元素硼、鋁、鎵等雜質(zhì)原子時(shí)，雜質(zhì)原子與周圍四個(gè)鍺（或硅）原子形成共價(jià)結(jié)合時(shí)尚缺少一個(gè)電子，因而存在一個(gè)空位，與此空位相應(yīng)的能量狀態(tài)就是雜質(zhì)能級(jí)，通常位于禁帶下方靠近價(jià)帶處。價(jià)帶中的電子很易激發(fā)到雜質(zhì)能級(jí)上填補(bǔ)這個(gè)空位，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。價(jià)帶中由于缺少一個(gè)電子而形成一個(gè)空穴載流子（圖3）。這種能提供空穴的雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)。存在受主雜質(zhì)時(shí)，在價(jià)帶中形成一個(gè)空穴載流子所需能量比本征半導(dǎo)體情形要小得多。半導(dǎo)體摻雜后其電阻率大大下降。加熱或光照產(chǎn)生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會(huì)使自由載流子數(shù)增加而導(dǎo)致電阻率減小，半導(dǎo)體熱敏電阻和光敏電阻就是根據(jù)此原理制成的。對(duì)摻入施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，導(dǎo)電載流子主要是導(dǎo)帶中的電子，屬電子型導(dǎo)電，稱n型半導(dǎo)體。摻入受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體屬空穴型導(dǎo)電，稱p型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體在任何溫度下都能產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，故n型半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電空穴，p型半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電電子，它們均稱為少數(shù)載流子。在半導(dǎo)體器件的各種效應(yīng)中，少數(shù)載流子常扮演重要角色。 pn結(jié) p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體相互接觸時(shí)，其交界區(qū)域稱為pn結(jié)。p區(qū)中的自由空穴和n區(qū)中的自由電子要向?qū)Ψ絽^(qū)域擴(kuò)散，造成正負(fù)電荷在 pn 結(jié)兩側(cè)的積累，形成電偶極層(圖4 )。電偶極層中的電場(chǎng)方向正好阻止擴(kuò)散的進(jìn)行。當(dāng)由于載流子數(shù)密度不等引起的擴(kuò)散作用與電偶層中電場(chǎng)的作用達(dá)到平衡時(shí)，p區(qū)和n區(qū)之間形成一定的電勢(shì)差，稱為接觸電勢(shì)差。由于p 區(qū)中的空穴向n區(qū)擴(kuò)散后與n區(qū)中的電子復(fù)合，而n區(qū)中的電子向p區(qū)擴(kuò)散后與p 區(qū)中的空穴復(fù)合，這使電偶極層中自由載流子數(shù)減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成pn結(jié)的半導(dǎo)體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。 pn結(jié)具有單向?qū)щ娦?，半?dǎo)體整流管就是利用pn結(jié)的這一特性制成的。pn結(jié)的另一重要性質(zhì)是受到光照后能產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，稱光生伏打效應(yīng)，可利用來(lái)制造光電池。半導(dǎo)體三極管、可控硅、pn結(jié)光敏器件和發(fā)光二極管等半導(dǎo)體器件均利用了pn結(jié)的特性。