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gmr，GMR英文全稱是巨磁電阻效應(yīng)

來源：整理時間：2023-08-24 23:15:27 編輯：智能門戶手機版

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1，GMR英文全稱是巨磁電阻效應(yīng)
2，GMR磁頭的盤片密度可以達到每平方英寸多少GB
3，巨磁電阻GMR效應(yīng)是指某些材料的電阻值隨外磁場減小而增大的
4，什么是巨磁電阻
5，2014莆田科學(xué)家們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻GMR效應(yīng)它是指某些
6，什么是巨磁電阻效應(yīng)GMR效應(yīng)產(chǎn)生的條件機理及應(yīng)用問

1，GMR英文全稱是巨磁電阻效應(yīng)

GMR: Giant Magnetoresistance 或GMR: Giant Magnetoresistive

GMR英文全稱是巨磁電阻效應(yīng)

2，GMR磁頭的盤片密度可以達到每平方英寸多少GB

根據(jù)GMR原理，研制出信號變化靈敏度更高的讀出磁頭，將磁盤記錄密度一下子提高了17倍。因為使用磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，相同的磁場變化能引起更大的電阻值變化，對于磁盤上的磁性變化表現(xiàn)出更高的靈敏度。GMR磁頭的磁盤密度可以達到每平方英寸10GB~40GB。

10GB/平方英寸左右是AMR的3倍

GMR磁頭的盤片密度可以達到每平方英寸多少GB

3，巨磁電阻GMR效應(yīng)是指某些材料的電阻值隨外磁場減小而增大的

D 試題分析：由題意知：燈泡與巨磁電阻（GMR）并聯(lián)，其兩端電壓保持不變，故通過燈泡的電流不變，即燈泡的亮度不變，選項A、B錯誤；電流表測量的是干路電流，滑片P向右滑動時，通過電磁鐵的電流變小，磁性變?nèi)?，巨磁電阻（GMR）的電阻變大，通過其電流變小，故電流表的示數(shù)變小，所以選項D是正確的。

2.5×10-2 5×10-2 磁通量的變化率為 wb／s感應(yīng)電流的大小為故答案為：2.5×10-2 5×10-2

巨磁電阻GMR效應(yīng)是指某些材料的電阻值隨外磁場減小而增大的

4，什么是巨磁電阻

巨磁電阻即物體在外加磁場作用下自身的電阻發(fā)生顯著變化的現(xiàn)象 1986年德國科學(xué)家Grunberg小組、1988年法國科學(xué)家Fert小組首先發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻效應(yīng)的存在。然而，巨磁電阻效應(yīng)又與一般的磁電阻效應(yīng)有著本質(zhì)的區(qū)別：由鐵磁金屬/非磁性金屬/鐵磁金屬構(gòu)成的多層納米薄膜(即巨磁電阻材料，如Fe/Cr)，在有外加磁場和無外加磁場下電阻率的變化，在室溫下為可達5%，在低溫(4 2K)下可以達到110%，遠遠大于一般鐵磁金屬1%—3%的磁電阻變化。由于其磁電阻效應(yīng)如此明顯，因此把這種只在磁性多層膜中才能發(fā)生的量子力學(xué)效應(yīng)稱為巨磁電阻效應(yīng)。1994年，IBM首先將GMR應(yīng)用在硬磁盤中，并在1995年宣布制成每平方英寸3Gb硬盤面密度所用的讀出頭，創(chuàng)世界記錄。 GMR對計算機存儲領(lǐng)域的應(yīng)用帶來莫大的影響

5，2014莆田科學(xué)家們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻GMR效應(yīng)它是指某些

（1）閉合開關(guān)S1，由安培定則可知，螺線管左端的磁極為N極．（2）閉合開關(guān)S1、S2，電流表示數(shù)為I．保持GMR位置不變，將電源的正負極對調(diào)，GMR處的磁場強弱不變，GMR的阻值不變，電路電流不變，則此時電流表的示數(shù)將等于I；將GMR移至螺線管的上方的中間位置，GMR處的磁場減弱，GMR電阻阻值變大，由歐姆定律可知，電路電流減小，電流表的示數(shù)將小于I．（3）將GMR分別放入通電螺線管內(nèi)部的不同位置，發(fā)現(xiàn)電流表的示數(shù)幾乎不變，說明GMR電阻阻值幾乎不變，螺線管內(nèi)磁場不變，由此可以猜想：通電螺線管內(nèi)部的磁場強弱處處相等．故答案為：（1）N；（2）等于；小于；（3）通電螺線管內(nèi)部的磁場強弱處處相等．

a、b只調(diào)節(jié)電阻r，當(dāng)p1向右端移動時，滑動變阻器接入電路的阻值增大，電源電動勢不變，所以電路中的電流減小，電磁鐵的磁性減弱；由于電磁鐵磁性的減弱，導(dǎo)致了磁敏電阻gmr的阻值減小，則通過r1的電流增大，其電功率增大．電容器兩端的電壓增大，板間場強增大，微粒所受的電場力增大，所以帶電微粒向上運動．故a正確，b錯誤．c、d只調(diào)節(jié)電阻r2，當(dāng)p2向下端移動時，回路中電流不變，電阻r1消耗的電功率不變．電容器板間電壓增大，板間場強增大，微粒所受的電場力增大，所以帶電微粒向上運動．故c、d錯誤．故選a

6，什么是巨磁電阻效應(yīng)GMR效應(yīng)產(chǎn)生的條件機理及應(yīng)用問

所謂巨磁阻效應(yīng)，是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現(xiàn)象。巨磁阻是一種量子力學(xué)效應(yīng)，它產(chǎn)生于層狀的磁性薄膜結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當(dāng)鐵磁層的磁矩相互平行時，載流子與自旋有關(guān)的散射最小，材料有最小的電阻。當(dāng)鐵磁層的磁矩為反平行時，與自旋有關(guān)的散射最強，材料的電阻最大。巨磁阻效應(yīng)（Giant Magnetoresistance）是一種量子力學(xué)和凝聚態(tài)物理學(xué)現(xiàn)象，磁阻效應(yīng)的一種，可以在磁性材料和非磁性材料相間的薄膜層（幾個納米厚）結(jié)構(gòu)中觀察到。這種結(jié)構(gòu)物質(zhì)的電阻值與鐵磁性材料薄膜層的磁化方向有關(guān)，兩層磁性材料磁化方向相反情況下的電阻值，明顯大于磁化方向相同時的電阻值，電阻在很弱的外加磁場下具有很大的變化量。巨磁阻效應(yīng)被成功地運用在硬盤生產(chǎn)上，具有重要的商業(yè)應(yīng)用價值。巨磁阻效應(yīng)自從被發(fā)現(xiàn)以來就被用于開發(fā)研制用于硬磁盤的體積小而靈敏的數(shù)據(jù)讀出頭（Read Head）。這使得存儲單字節(jié)數(shù)據(jù)所需的磁性材料尺寸大為減少，從而使得磁盤的存儲能力得到大幅度的提高。第一個商業(yè)化生產(chǎn)的數(shù)據(jù)讀取探頭是由IBM公司于1997年投放市場的，到目前為止，巨磁阻技術(shù)已經(jīng)成為全世界幾乎所有電腦、數(shù)碼相機、MP3播放器的標(biāo)準技術(shù)。來自劍橋大學(xué)的一位物理學(xué)家Tony Bland介紹說：“這些材料一開始看起來非常玄妙，但是最后發(fā)現(xiàn)它們有非常巨大的應(yīng)用價值。它們?yōu)樯a(chǎn)商業(yè)化的大容量信息存儲器鋪平了道路。同時它們也為進一步探索新物理——比如隧穿磁阻效應(yīng)（TMR: Tunneling Magnetoresistance）、自旋電子學(xué)（Spintronics）以及新的傳感器技術(shù)——奠定了基礎(chǔ)。但是大家應(yīng)該注意到的是：巨磁阻效應(yīng)已經(jīng)是一種非常成熟的舊技術(shù)了，目前人們感興趣的問題是如何將隧穿磁阻效應(yīng)開發(fā)為未來的新技術(shù)寵兒。http://baike.baidu.com/view/1193389.htm

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2，GMR磁頭的盤片密度可以達到每平方英寸多少GB

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4，什么是巨磁電阻

5，2014莆田科學(xué)家們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻GMR效應(yīng)它是指某些

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gmr，GMR英文全稱是 巨磁電阻效應(yīng)

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1，GMR英文全稱是 巨磁電阻效應(yīng)

2，GMR磁頭的盤片密度可以達到每平方英寸多少GB

3，巨磁電阻GMR效應(yīng)是指某些材料的電阻值隨外磁場減小而增大的

4，什么是巨磁電阻

5，2014莆田科學(xué)家們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻GMR效應(yīng)它是指某些

6，什么是巨磁電阻效應(yīng)GMR效應(yīng)產(chǎn)生的條件機理及應(yīng)用 問

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5，2014莆田科學(xué)家們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻GMR效應(yīng)它是指某些

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