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dmos，CMOSDMOS可控硅線圈繼電器固態(tài)繼電器這些都可以控制

來源：整理 時間：2023-08-24 06:37:03 編輯：智能門戶 手機版

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1，CMOSDMOS可控硅線圈繼電器固態(tài)繼電器這些都可以控制

從負載使用上來說有很大區(qū)別。MOS一般作為直流負載開關(guān)可控硅、固態(tài)繼電器作為交流負載開關(guān)線圈繼電器因為是觸點式，一般理解為交直流通用。然電子類的開關(guān)又有共通性，如MOS配合整流橋也可用交流開關(guān)，固態(tài)繼電器配合整流橋能做直流開關(guān)。
支持一下感覺挺不錯的

CMOSDMOS可控硅線圈繼電器固態(tài)繼電器這些都可以控制

2，highside dmos 是什么意思

DMOS(雙擴散MOS)晶體管hige-side 高端高端DMOS晶體管

highside dmos 是什么意思

3，按Del沒顯示DMOS設(shè)置怎么解決

我想問一下，你的電腦是什么牌子？還有開機的時候你可以換 Tab鍵，會顯示進入DMOS界面提示。如果你的電腦不是按Del鍵的。你可以試一下。這四個按鍵一個是F1 F2 F10 F12 你都試一下。應(yīng)該有一個可以進。因為主板不能同，引起進入DMOS按鍵不一樣。
不同的主板，不同的bios，有不同的介面和選項。 通常起動順序的設(shè)置都是在bios的第二頁，你可找到hdd，cdrom，等字樣，償試改變它們的順序（如果你對e很懂的話就跳過吧）。 部分主板開機時按f11，f12或f3等會進入單獨的起動順序設(shè)置頁面！

按Del沒顯示DMOS設(shè)置怎么解決

4，驅(qū)動芯片推大管音質(zhì)好嗎

好。驅(qū)動芯片是集成有CMOS控制電路和DMOS功率器件的芯片。由于該芯片經(jīng)過精心的制作和反復(fù)的調(diào)試，使其推大管的音質(zhì)非常好。音質(zhì)是指經(jīng)傳輸、處理后音頻信號的保真度。

5，DMOS與CMOS的區(qū)別

DMOS與CMOS的區(qū)別為：裝的內(nèi)容不同、材料不同、優(yōu)點不同。一、裝的內(nèi)容不同1、DMOS：DMOS里面裝有系統(tǒng)的重要信息和設(shè)置系統(tǒng)參數(shù)的設(shè)置程序。2、CMOS：CMOS里面裝的是關(guān)于系統(tǒng)配置的具體參數(shù)，其內(nèi)容可通過設(shè)置程序進行讀寫。二、材料不同1、DMOS：DMOS是由成百上千的單一結(jié)構(gòu)的DMOS 單元所組成的半導(dǎo)體場效應(yīng)管。2、CMOS：CMOS是電腦主板上的一塊可讀寫的RAM芯片。三、優(yōu)點不同1、DMOS：DMOS有高電流驅(qū)動能力、低Rds導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓等。2、CMOS：CMOS允許的電源電壓范圍寬，方便電源電路的設(shè)計；邏輯擺幅大，使電路抗干擾能力強；靜態(tài)功耗低。參考資料來源：百度百科——dmos百度百科——CMOS
DMOS與CMOS器件結(jié)構(gòu)類似，也有源、漏、柵等電極，但是漏端擊穿電壓高。DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管VDMOSFET（vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管LDMOSFET（lateral double-dif fused MOSFET）。DMOS器件是由成百上千的單一結(jié)構(gòu)的DMOS 單元所組成的。這些單元的數(shù)目是根據(jù)一個芯片所需要的驅(qū)動能力所決定的，DMOS的性能直接決定了芯片的驅(qū)動能力和芯片面積。對于一個由多個基本單元結(jié)構(gòu)組成的LDMOS器件，其中一個最主要的考察參數(shù)是導(dǎo)通電阻，用R ds（on）表示。導(dǎo)通電阻是指在器件工作時，從漏到源的電阻。對于 LDMOS器件應(yīng)盡可能減小導(dǎo)通電阻，就是BCD(Bipolar-CMOS-DMOS，雙極—互補金屬氧化物半導(dǎo)體—雙重擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝流程所追求的目標。當(dāng)導(dǎo)通電阻很小時，器件就會提供一個很好的開關(guān)特性，因為漏源之間小的導(dǎo)通電阻，會有較大的輸出電流，從而可以具有更強的驅(qū)動能力。DMOS的主要技術(shù)指標有：導(dǎo)通電阻、閾值電壓、擊穿電壓等。在功率應(yīng)用中，由于DMOS技術(shù)采用垂直器件結(jié)構(gòu)(如垂直NPN雙極晶體管)，因此具有很多優(yōu)點，包括高電流驅(qū)動能力、低Rds導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓等。
同問。。。

6，請問有誰知道DOMS晶體管中DMOS的全稱呢能不能再介紹一下DMOS晶體管的

DOMS的全稱是Double-diffused Metal Oxide Semiconductor.DMOS工藝：DMOS(雙擴散MOS)晶體管是針對大電流、高電壓而優(yōu)化設(shè)計的。為了提高擊穿電壓而將這類元件設(shè)計成長溝道結(jié)構(gòu)。將幾個單元并聯(lián)來實現(xiàn)大電流(低的導(dǎo)通電阻)和高能量密度。DMOS工藝比邏輯工藝具有更厚的柵極氧化層，這樣可以制造出更堅固的器件。如果這些基本的工藝以邏輯方式組合起來，可以得到下列不同的組合工藝，根據(jù)它們的專有特性可以適用于特定的應(yīng)用領(lǐng)域。

7，如何清除dmos

"萬能"密碼法 有些BIOS可以使用"萬能"密碼，如果BIOS支持，此法可奏效： (1) AMI BIOS"萬能"密碼為： 你可以試一試下面的幾個單詞：AMI，BIOS，PASSWORD，HEWITT RAND，AMI？SW，AMI_SW， LKWPETER，A.M.I。 (2) AWARD BIOS"萬能"密碼： 你可以試一試下面的幾個單詞：AWARD_SW，j262，HLT，SER，SKY_FOX，BIOSTAR，ALFAROME， lkwpeter，j256，AWARD?SW，LKWPPETER，Syxz，aLLy，589589，589721，awkard（注意大 小寫）。 （按：萬用密碼，就是BIOS程式上面的Back Door，通常廠商用來方便自己的工程人員 使用，所以萬用密碼可以無論你設(shè)什麼密碼，都能進入BIOS重新設(shè)定。 各家各時期的萬用 密碼皆不同，所以有時候此法并不能奏效，當(dāng)然下面還有很多方法，可以分別試用） CMOS放電法 打開機箱，找到主板上的電池，將其與主板的連接斷開（就是取下電池嘍），此 時CMOS將因斷電而失去內(nèi)部儲存的一切信息。再將電池接通，合上機箱開機，由于CMOS已是 一片空白，它將不再要求你輸入密碼，此時進入BIOS設(shè)置程序，選擇主菜單中的"LOAD BIOS DEFAULT"（裝入BIOS缺省值）或"LOAD SETUP DEFAULT"（裝入設(shè)置程序缺省值）即可，前 者以最安全的方式啟動計算機，后者能使你的計算機發(fā)揮出較高的性能。 跳線短接法 如果電池被焊死在主板上（別因為不可能，我就看到過好幾個?。簿褪钦f不 能進行上面的操作，那又該怎么辦？不要緊，我們還可以使用"跳線短接法"的方法對CMOS放 電（建議一般用戶使用此法），具體操作如下： 在電池附近有一個跳線開關(guān)（可參考主板說明書），一般情況下，在跳線旁邊注有RESET CMOS、CLEAN CMOS、CMOS CLOSE或CMOS RAM RESET等字樣，跳線開關(guān)一般為四腳，有的在1、 2兩腳上有一個跳接器，此時將其拔下接到2、4腳上即可放電；有的所有腳上都沒有跳接器， 此時將2腳于充電電容短接即可放電。 另外應(yīng)該注意，幾乎所有的主板都有清除CMOS的跳線和相關(guān)設(shè)置，但應(yīng)廠商不能而各有 所異，例如有的主板的CMOS清除設(shè)備并不是我們長見的跳線，而是很小的焊接錫點，一般都 要用鑷子，小心地將其短路，就可成功清除CMOS密碼！ （版主點評：此法關(guān)鍵之處在于找到相應(yīng)的跳線（如果沒有主板說明書，則難度就更大 了），其后操作就沒有什么了，根據(jù)版主的經(jīng)驗，此法應(yīng)該為最能奏效的方法了。（就是每 此打開機箱太麻煩了:D) 改變硬件配置法 關(guān)閉計算機，打開機箱，將硬盤或軟盤數(shù)據(jù)線從主板上拔下，重啟計算機， BIOS自檢時出錯，系統(tǒng)會要求重新設(shè)置BIOS，此時COMS中的密碼已被清除。 手工放電法 對于早期的BIOS如386型計算機，主板上沒有COMS放電跳線，那么可以用一根瘰疬 的金屬線來回劃過COMS芯片（COMS芯片在主板的位置可參考主板說明書），可達到給CMOS芯片 放電的效果，從而清除密碼。應(yīng)注意：此法比較危險，建議一般用戶不要用此法，以免造成硬 傷害。 打開機箱，找到主板上的電池，將其與主板的連接斷開（就是取下電池嘍），此時CMOS將因斷電而失去內(nèi)部儲存的一切信息。再將電池接通，合上機箱開機，由于CMOS已是一片空白，它將不再要求你輸入密碼，此時進入BIOS設(shè)置程序，選擇主菜單中的"LOAD BIOS DEFAULT"（裝入BIOS缺省值）或"LOAD SETUP DEFAULT"（裝入設(shè)置程序缺省值）即可，前者以最安全的方式啟動計算機，后者能使你的計算機發(fā)揮出較高的性能。 妙用DEBUG清除CMOS密碼 如果你忘記了進入CMOS設(shè)置程序的密碼，除了可以在主板上使用跳線短接清除的方法外，還可以使用軟件清除的方法，下面就來介紹如何在DOS下清除CMOS密碼的方法。 在DOS中提供了一個編輯器，就是DEBUG，這是一個非常實用的工具，啟動方法是，在DOS命令提示符狀態(tài)下輸入命令：DEBUG、此時即可進入DEBUG編輯界面。 在命令符狀態(tài)下輸入命令后，重新啟動電腦即可清除CMOS密碼，下面給出五個清除CMOS密碼的命令行。 方法一 -o 70 16 -o 71 16 -q 方法二 -o 70 11 -o 71 ff -q 方法三 -o 70 10 -o 71 10 -q 方法四 -o 70 23 -o 71 34 -q 方法五 -o 70 10 -o 71 ff -q 方法六 -o 70 90 -o 71 91 -q

8，DMOS與CMOS的區(qū)別

DMOS與CMOS的區(qū)別為：裝的內(nèi)容不同、材料不同、優(yōu)點不同。一、裝的內(nèi)容不同1、DMOS：DMOS里面裝有系統(tǒng)的重要信息和設(shè)置系統(tǒng)參數(shù)的設(shè)置程序。2、CMOS：CMOS里面裝的是關(guān)于系統(tǒng)配置的具體參數(shù)，其內(nèi)容可通過設(shè)置程序進行讀寫。二、材料不同1、DMOS：DMOS是由成百上千的單一結(jié)構(gòu)的DMOS 單元所組成的半導(dǎo)體場效應(yīng)管。2、CMOS：CMOS是電腦主板上的一塊可讀寫的RAM芯片。三、優(yōu)點不同1、DMOS：DMOS有高電流驅(qū)動能力、低Rds導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓等。2、CMOS：CMOS允許的電源電壓范圍寬，方便電源電路的設(shè)計；邏輯擺幅大，使電路抗干擾能力強；靜態(tài)功耗低。參考資料來源：百度百科——dmos百度百科——CMOS

9，什么是IGBT單管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。 　　圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 　　IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。 　　IGBT 的工作特性包括靜態(tài)和動態(tài)兩類： 　　1 ．靜態(tài)特性 　　IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。 　　IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+ 緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。 　　IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)， Id 與Ugs呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。 　　IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示 　　Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 　　式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。 　　通態(tài)電流Ids 可用下式表示： 　　Ids=(1+Bpnp)Imos 　　式中Imos ——流過MOSFET 的電流。 　　由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。 　　2 ．動態(tài)特性 　　IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。 　　IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極- 發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進行觸發(fā)，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動電路提供的偏壓更高。 　　IGBT在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。因為MOSFET關(guān)斷后，PNP晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間，td(off)為關(guān)斷延遲時間，trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時間 　　t(off)=td(off)+trv十t(f) 　　式中，td(off)與trv之和又稱為存儲時間。 　　IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時不需要負柵壓來減少關(guān)斷時間，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。 　　正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求；高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上，目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來實現(xiàn)高壓應(yīng)用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實際應(yīng)用，日本東芝也已涉足該領(lǐng)域。與此同時，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術(shù)，主要采用1ｕm以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進展。 　　IGBT的發(fā)展歷史 　　1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)（P-N-P-N四層組成），其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。 　　80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS（雙擴散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體）工藝被采用到IGBT中來。[2]在那個時候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT（非穿通）型設(shè)計。后來，通過采用PT（穿通）型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個顯著改進，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進步，以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進展的[3]。幾年當(dāng)中，這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計規(guī)則從5微米先進到3微米。 　　90年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成（LSI）工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術(shù)實現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型芯片結(jié)構(gòu)。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時間之間折衷的更重要的改進。 　　硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變，先是采用非穿通（NPT）結(jié)構(gòu)，繼而變化成弱穿通（LPT）結(jié)構(gòu)，這就使安全工作區(qū)（SOA）得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類似的改善。 　　這次從穿通（PT）型技術(shù)先進到非穿通（NPT）型技術(shù)，是最基本的，也是很重大的概念變化。這就是：穿通（PT）技術(shù)會有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對少數(shù)載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞。另一方面，非穿通（NPT）技術(shù)則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率，不過其載流子注入系數(shù)卻比較低。進而言之，非穿通（NPT）技術(shù)又被軟穿通（LPT）技術(shù)所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”（SPT）或“電場截止”（FS）型技術(shù)，這使得“成本—性能”的綜合效果得到進一步改善。 　　1996年，CSTBT（載流子儲存的溝槽柵雙極晶體管）使第5代IGBT模塊得以實現(xiàn)[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片結(jié)構(gòu)，又采用了更先進的寬元胞間距的設(shè)計。目前，包括一種“反向阻斷型”（逆阻型）功能或一種“反向?qū)ㄐ汀保鎸?dǎo)型）功能的IGBT器件的新概念正在進行研究，以求得進一步優(yōu)化。 　　IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點。 　　現(xiàn)在,大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,現(xiàn)在已制造出集成化的IGBT專用驅(qū)動電路.其性能更好,整機的可靠性更高及體積更小。 　　根據(jù)前面描述的IGBT的工作原理，可以得到如圖所示的IGBT輸出特性。 　　（a）IGBT的輸出特性（n溝道增強型） （b）轉(zhuǎn)移特性IC=f(VCE) 　　IGBT的輸出特性與轉(zhuǎn)移特性

10，IGBT是什么

(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體
是場效應(yīng)功率管
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。 定義 IGBT結(jié)構(gòu)圖左邊所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。P+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。 [編輯本段]工作特性 靜態(tài)特性 IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。 IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+ 緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。 IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)， Id 與Ugs呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。 IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。 通態(tài)電流Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos 式中Imos ——流過MOSFET 的電流。 由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。 動態(tài)特性 IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。 IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極- 發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進行觸發(fā)，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動電路提供的偏壓更高。 IGBT在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍Ｒ驗镸OSFET關(guān)斷后，PNP晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間，td(off)為關(guān)斷延遲時間，trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時間 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)與trv之和又稱為存儲時間。 IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時不需要負柵壓來減少關(guān)斷時間，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。 正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求；高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上，目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來實現(xiàn)高壓應(yīng)用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實際應(yīng)用，日本東芝也已涉足該領(lǐng)域。與此同時，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進展。 [編輯本段]發(fā)展歷史 1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)（P-N-P-N四層組成），其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。 80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS（雙擴散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體）工藝被采用到IGBT中來。[2]在那個時候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT（非穿通）型設(shè)計。后來，通過采用PT（穿通）型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個顯著改進，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進步，以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進展的[3]。幾年當(dāng)中，這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計規(guī)則從5微米先進到3微米。 90年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成（LSI）工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術(shù)實現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型芯片結(jié)構(gòu)。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時間之間折衷的更重要的改進。 硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變，先是采用非穿通（NPT）結(jié)構(gòu)，繼而變化成弱穿通（LPT）結(jié)構(gòu)，這就使安全工作區(qū)（SOA）得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類似的改善。 這次從穿通（PT）型技術(shù)先進到非穿通（NPT）型技術(shù)，是最基本的，也是很重大的概念變化。這就是：穿通（PT）技術(shù)會有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對少數(shù)載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞。另一方面，非穿通（NPT）技術(shù)則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率，不過其載流子注入系數(shù)卻比較低。進而言之，非穿通（NPT）技術(shù)又被軟穿通（LPT）技術(shù)所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”（SPT）或“電場截止”（FS）型技術(shù)，這使得“成本—性能”的綜合效果得到進一步改善。 1996年，CSTBT（載流子儲存的溝槽柵雙極晶體管）使第5代IGBT模塊得以實現(xiàn)[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片結(jié)構(gòu)，又采用了更先進的寬元胞間距的設(shè)計。目前，包括一種“反向阻斷型”（逆阻型）功能或一種“反向?qū)ㄐ汀保鎸?dǎo)型）功能的IGBT器件的新概念正在進行研究，以求得進一步優(yōu)化。 IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點。 現(xiàn)在,大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,現(xiàn)在已制造出集成化的IGBT專用驅(qū)動電路.其性能更好,整機的可靠性更高及體積更小。 [編輯本段]輸出特性與轉(zhuǎn)移特性 IGBT與MOSFET的對比MOSEFT全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。缺點：擊穿電壓低，工作電流小。 IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。 [編輯本段]模塊簡介 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。 若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。 [編輯本段]等效電路 IGBT模塊的選擇 IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負載電流。特別是用作高頻開關(guān)時，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應(yīng)該降等使用。 使用中的注意事項 由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點： 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸； 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。 此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。 在使用IGBT的場合，當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。 在安裝或更換IGBT模塊時，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。 保管時的注意事項 一般保存IGBT模塊的場所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機加濕; 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合； 在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方； 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物； 裝IGBT模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。 IGBT模塊由于具有多種優(yōu)良的特性，使它得到了快速的發(fā)展和普及，已應(yīng)用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能，了解選擇及使用時的注意事項對實際中的應(yīng)用是十分必要的。
文章TAG：dmosCMOSDMOS可控硅線圈繼電器固態(tài)繼電器這些都可以控制

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