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cmos門電路，ttl門電路和cmos門電路有什么區(qū)別

來源：整理時(shí)間：2023-08-25 16:24:47 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，ttl門電路和cmos門電路有什么區(qū)別
2，CMOS門電路的最突出的特點(diǎn)是什么
3，CMOS邏輯門電路工作在什么狀態(tài)
4，為什么要在CMOS邏輯門電路輸入和輸出端加保護(hù)和緩沖電路
5，什么是CMOS電路
6，CMOS門電路輸入高電平低電平的電壓有沒有什么規(guī)定啊

1，ttl門電路和cmos門電路有什么區(qū)別

TTL是由晶體管構(gòu)成的邏輯電路,這里所謂的TTL信號是一個(gè)電平標(biāo)準(zhǔn).由于器件的電壓不同,TTL電路和CMOS電路定義的高低電平電壓以及電流不一樣.所謂的需要加TTL信號就是可以以TTL標(biāo)準(zhǔn)的高或低電平信號來觸發(fā)它.

ttl門電路和cmos門電路有什么區(qū)別

2，CMOS門電路的最突出的特點(diǎn)是什么

與TTL相比，CMOS的輸入阻抗高，使其扇出能力比TTL強(qiáng)。此外，其閾值電壓與電源電壓有正比關(guān)系，比如低電平閾值0.3VDD，高電平閾值0.7VDD。 TTL輸入端可以開路，相當(dāng)于輸入高電平，而CMOS輸入端不允許開路，否則可能會造成電路不穩(wěn)定甚至損壞，一般需要上拉或下拉電阻。

CMOS門電路的最突出的特點(diǎn)是什么

3，CMOS邏輯門電路工作在什么狀態(tài)

開關(guān)狀態(tài)

ttl門電路的輸入端懸空時(shí)相當(dāng)于高電平輸入輸入端接有電阻時(shí)其電阻阻值大于1.4k時(shí)該端也相當(dāng)于高電平電阻值小于0.8k時(shí)該端才是低電平。而cmos邏輯門電路輸入端不管是接大電阻還是接小電阻該端都相當(dāng)于低電平即地電位。按照這個(gè)原則判斷很清晰了

CMOS邏輯門電路工作在什么狀態(tài)

4，為什么要在CMOS邏輯門電路輸入和輸出端加保護(hù)和緩沖電路

cmos是絕緣柵，屬于“高阻”，只要感應(yīng)幾個(gè)正電荷就是高電平，感應(yīng)幾個(gè)負(fù)電荷就是低電平，所以不能開路。 ttl輸入是三極管的pn結(jié)，而且是有電流流出來的（你可以把它想象成一個(gè)上拉電阻），如果開路，這個(gè)電流流不動，滯留在輸入口成為高電平。如果不信，可以用電壓（電流表）跨接在開路的輸入端與地線之間，就會檢到這個(gè)流出來的電流。

《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)（第2版）學(xué)習(xí)指導(dǎo)與解題指南》另外，CMOS門電路輸出的低電平也受輸入端數(shù)目的影響。輸入端數(shù)越多，則串聯(lián)的NMOS管越多，輸出的低電平電壓也越高。為了避免經(jīng)過多次串、并聯(lián)后帶來的電平平移和對輸出特性的影響，實(shí)際的CMOS門電路常常引入反相器作為每個(gè)輸入端和輸出端的緩沖器，大大改善了CMOS門電路的電氣特性（比如電壓傳輸特性、輸入特性、輸出特性、動態(tài)特性等）。

coms邏輯門電路，對靜電比較敏感，不容易抗干擾，對驅(qū)動電壓和功率有一定的要求，在前面增加緩沖電路，和保護(hù)電路，可以保證不會有操作，及穩(wěn)定性

5，什么是CMOS電路

簡單的說CMOS電路就是廣義的大規(guī)模集成電路。

功耗 TTL門電路的空載功耗與CMOS門的靜態(tài)功耗相比，是較大的，約為數(shù)十毫瓦（mw）而后者僅約為幾十納(10-9)瓦；在輸出電位發(fā)生跳變時(shí)（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS門電路都會產(chǎn)生數(shù)值較大的尖峰電流，引起較大的動態(tài)功耗。速度通常以為TTL門的速度高于“CMOS門電路。影響 TTL門電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻阻數(shù)值。電阻數(shù)值越大，工作速度越低。管子的開關(guān)時(shí)間越長，門的工作速度越低。門的速度主要體現(xiàn)在輸出波形相對于輸入波形上有“傳輸延時(shí)”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱為“速度-功耗積”，做為器件性能的一個(gè)重要指標(biāo)，其值越小，表明器件的性能越好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）。與TTL門電路的情況不同，影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部，即負(fù)載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門的傳輸延時(shí)約為幾十納秒。謝謝

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor，本意是指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 mos電路分飛pmos和nmos 但兩者都有某種缺陷，于是設(shè)計(jì)了讓兩者互補(bǔ)的電路模式，成為COMS

6，CMOS門電路輸入高電平低電平的電壓有沒有什么規(guī)定啊

CMOS門電路的高低電平這樣定義：小于0.3VDD為低電平，大于0.7VDD為高電平，中間的非法，但有可能被判別為高。CMOS電平標(biāo)準(zhǔn)有5VCMOS，3.3VCMOS即LVCMOS33，2.5VCMOS即LVCMOS25，還有1.8V的。CMOS電路為互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫，由絕緣場效應(yīng)晶體管組成，由于只有一種載流子，因而為一種單極型晶體管集成電路，其基本結(jié)構(gòu)為一個(gè)N溝道MOS管和一個(gè)P溝道MOS管。一般額定電壓10%一下算為低電平，85%以上算為高電平，除此之外還有脈沖寬度的要求，比如一個(gè)非常窄的脈沖，雖然電壓比較高，但是也不能被判定為高電平的。擴(kuò)展資料：MCS-51單片機(jī)的邏輯部件，包括一個(gè)8位CPU及片內(nèi)振蕩器、 80514B掩膜ROM、87514KBEPROM、8031無ROM、特殊功能寄存器SFR128BRAM、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器T0及T1、并行I/O接口：P0、P1、P2、P3；串行接口：TXD、RXD；中斷系統(tǒng)：INT0，INT1。單片機(jī)也被稱為單片微控器，屬于一種集成式電路芯片。在單片機(jī)中主要包含CPU、只讀存儲器ROM和隨機(jī)存儲器RAM等，多樣化數(shù)據(jù)采集與控制系統(tǒng)能夠讓單片機(jī)完成各項(xiàng)復(fù)雜的運(yùn)算，無論為對運(yùn)算符號進(jìn)行控制，還是對系統(tǒng)下達(dá)運(yùn)算指令都能通過單片機(jī)完成。參考資料來源：百度百科-CMOS電路參考資料來源：百度百科-單片機(jī)

規(guī)定如下：CMOS門電路主要參數(shù)的定義同TTL電路，下面主要說明CMOS電路主要參數(shù)的特點(diǎn)。（1）輸出高電平VOH與輸出低電平VOL。CMOS門電路VOH的理論值為電源電壓VDD，VOH（min）=0.9VDD；VOL的理論值為0V，VOL（max）=0.01VDD。所以CMOS門電路的邏輯擺幅（即高低電平之差）較大，接近電源電壓VDD值。（2）閾值電壓Vth。從CMOS非門電壓傳輸特性曲線中看出，輸出高低電平的過渡區(qū)很陡，閾值電壓Vth約為VDD/2。（3）抗干擾容限。CMOS非門的關(guān)門電平VOFF為0.45VDD，開門電平VON為0.55VDD。因此，其高、低電平噪聲容限均達(dá)0.45VDD。其他CMOS門電路的噪聲容限一般也大于0.3VDD，電源電壓VDD越大，其抗干擾能力越強(qiáng)。（4）傳輸延遲與功耗。CMOS電路的功耗很小，一般小于1 mW/門，但傳輸延遲較大，一般為幾十ns/門，且與電源電壓有關(guān)，電源電壓越高，CMOS電路的傳輸延遲越小，功耗越大。前面提到74HC高速CMOS系列的工作速度己與TTL系列相當(dāng)。（5）扇出系數(shù)。因CMOS電路有極高的輸入阻抗，故其扇出系數(shù)很大，一般額定扇出系數(shù)可達(dá)50。但必須指出的是，扇出系數(shù)是指驅(qū)動CMOS電路的個(gè)數(shù)，若就灌電流負(fù)載能力和拉電流負(fù)載能力而言，CMOS電路遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于TTL電路。擴(kuò)展資料：CMOS允許輸入最低電壓是-0.5V，超出范圍就可能損壞芯片。可以在輸入端接一個(gè)下拉電阻，輸入的-5V串聯(lián)一個(gè)二極管后再接到CMOS輸入端，二極管負(fù)極接到輸入端上，這樣，只能加正電壓，而加-5V時(shí)，二極管截止，這時(shí)輸入就是0。與TTL相比，CMOS的輸入阻抗高，使其扇出能力比TTL強(qiáng)。此外，其閾值電壓與電源電壓有正比關(guān)系，比如低電平閾值0.3VDD，高電平閾值0.7VDD。TTL輸入端可以開路，相當(dāng)于輸入高電平，而CMOS輸入端不允許開路。參考資料來源：百度百科-CMOS邏輯電路

當(dāng)然有的啊～具體可以看器件資料，樓上的說的是5V規(guī)格的，這種規(guī)格用的比較多，也有3.3V，15V等等一些規(guī)格的，一般額定電壓10%一下算是低電平，85%以上算是高電平（具體以器件資料為準(zhǔn)），除此之外還有脈沖寬度的要求，比如一個(gè)非常窄的脈沖，雖然電壓比較高，但是也不能被判定為高電平的。

與芯片類型有關(guān)74hcxx輸入高低電平分界在0.3-0.7vdd之間，如果電源電壓為5v，分界在1.5v到3.5v都算合格。所以低于1.5v肯定是輸入低電平，高于3.5v肯定是輸入高電平，而1.5v到3.5v則不能確定。所以ttl芯片不能直接驅(qū)動高速cmos，而高速cmos可以直接驅(qū)動ttl。74hctxx則另有規(guī)定，與ttl電平兼容，與74hcxx不同。各種單片機(jī)輸入高低電平與此又稍有不同

當(dāng)然有，就是所謂的CMOS電平，要求高電平在4.5V以上，低電平在0.5V以下。