邏輯門電路符號(hào)圖，數(shù)字電路問題幫我看看這個(gè)邏輯門符號(hào)是代表什么意思

來源：整理時(shí)間：2023-08-25 13:29:04 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，數(shù)字電路問題幫我看看這個(gè)邏輯門符號(hào)是代表什么意思
2，門系列電路有幾種
3，與或非門符號(hào)國際的
4，門電路詳細(xì)解說與用途

1，數(shù)字電路問題幫我看看這個(gè)邏輯門符號(hào)是代表什么意思

為了線路簡潔明了，作圖時(shí)可以靈活些，尤其是集成電路內(nèi)部邏輯圖，這樣的畫法很多，小圓圈代表低電平有效，或者信號(hào)取反。本圖與門符號(hào)性質(zhì)不變，輸入、輸出低電平有效，是負(fù)邏輯與門。真值表和正邏輯或門一致，意義不同。數(shù)字集成電路越來越復(fù)雜，分析電路不要去分辨是正邏輯還是負(fù)邏輯系統(tǒng)，記住真值表、功能表的有效電平和邏輯關(guān)系即可。

因?yàn)槟惝嫷膬蓚€(gè)輸入的電平相同，經(jīng)過異或門輸出高電平。然后，經(jīng)過非門輸出低電平。所以只要兩個(gè)輸入的電平相同，輸出即為0。即f＝ab×ab

數(shù)字電路問題幫我看看這個(gè)邏輯門符號(hào)是代表什么意思

2，門系列電路有幾種

最基本的邏輯門有：“與”門，“或”門和“非”門，還有“與非”門，符號(hào)圖如下：與”門， P=ABC ，“或”門， P=A+B+C ，“非”門， P= A “與非”門 P= ABC “與非”：真值表 “或”門真值表。

門電路”是數(shù)字電路的一種邏輯電路：它規(guī)定各個(gè)輸入信號(hào)之間滿足某種邏輯關(guān)系時(shí)，才有信號(hào)輸出，通常有下列三種門電路：與門、或門、非門（反相器）。從邏輯關(guān)系看，門電路的輸入端或輸出端只有兩種狀態(tài)，無信號(hào)以“0”表示，有信號(hào)以“1”表示。也可以這樣規(guī)定：低電平為“0”，高電平為“1”，稱為正邏輯。反之，如果規(guī)定高電平為“0”，低電平為“1”稱為負(fù)邏輯，然而，高與低是相對的，所以在實(shí)際電路中要選說明采用什么邏輯，才有實(shí)際意義，例如，負(fù)與門對“1”來說，具有“與”的關(guān)系，但對“0”來說，卻有“或”的關(guān)系，即負(fù)與門也就是正或門；同理，負(fù)或門對“1”來說，具有“或”的關(guān)系，但對“0”來說具有“與”的關(guān)系，即負(fù)或門也就是正與門。其他的門電路還有觸發(fā)器等建議你看一下數(shù)字邏輯電路或者數(shù)字電子技術(shù)方面的書籍

門系列電路有幾種

3，與或非門符號(hào)國際的

上圖便是與門，或門和非門的符號(hào)。1. 與門：又稱"與電路"、邏輯"積"、邏輯"與"電路。是執(zhí)行"與"運(yùn)算的基本邏輯門電路。有多個(gè)輸入端，一個(gè)輸出端。當(dāng)所有的輸入同時(shí)為高電平時(shí)，輸出才為高電平，否則輸出為低電平。2. 或門：又稱或電路。如果幾個(gè)條件中，只要有一個(gè)條件得到滿足，某事件就會(huì)發(fā)生，這種關(guān)系叫做“或”邏輯關(guān)系。具有“或”邏輯關(guān)系的電路叫做或門?；蜷T有多個(gè)輸入端，一個(gè)輸出端，多輸入或門可由多個(gè)2輸入或門構(gòu)成。只要輸入中有一個(gè)為高電平時(shí)，輸出就為高電平。只有當(dāng)所有的輸入全為低電平時(shí)，輸出才為低電平。3. 非門：又稱反相器，是邏輯電路的重要基本單元，有輸入和輸出兩個(gè)端，輸出端的圓圈代表反相的意思。4. 集成電路：與門是基本的邏輯門，因此在TTL和CMOS集成電路中都是可以使用的。標(biāo)準(zhǔn)的74系列CMOS集成電路有74X08、74X09(OC)，包含四個(gè)獨(dú)立的2輸入與門。74X11，包含三個(gè)獨(dú)立的3輸入與門。74X21，包含兩個(gè)獨(dú)立的4輸入與門。CD4000系列集成電路有:CD4081，包含四個(gè)2輸入端與門;CD4082，包含兩個(gè)4輸入端與門。

國際標(biāo)準(zhǔn)里面沒有單獨(dú)的與或非門，而是有與門和或門組成的。只有國標(biāo)里面有單獨(dú)的與或非門符號(hào)。前面的一個(gè)為國標(biāo)符號(hào)，后面的一個(gè)為國際符號(hào)

與門、或非門邏輯符號(hào)如下圖附件為原圖。請下載。以上圖片及附件來自百度百科。

與或非門符號(hào)國際的

4，門電路詳細(xì)解說與用途

第五節(jié) CMOS邏輯門電路http://www.fjtu.com.cn/fjnu/courseware/0321/course/_source/web/lesson/char2/j6.htm 看看把 CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之后，所開發(fā)出的第二種廣泛應(yīng)用的數(shù)字集成器件，從發(fā)展趨勢來看，由于制造工藝的改進(jìn)，CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為占主導(dǎo)地位的邏輯器件。CMOS電路的工作速度可與TTL相比較，而它的功耗和抗干擾能力則遠(yuǎn)優(yōu)于TTL。此外，幾乎所有的超大規(guī)模存儲(chǔ)器件，以及PLD器件都采用CMOS藝制造，且費(fèi)用較低。早期生產(chǎn)的CMOS門電路為4000系列，隨后發(fā)展為4000B系列。當(dāng)前與TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。下面首先討論CMOS反相器，然后介紹其他CMO邏輯門電路。MOS管結(jié)構(gòu)圖MOS管主要參數(shù)：1.開啟電壓VT ·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓； ·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V； ·通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。3. 漏源擊穿電壓BVDS ·在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS ·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿（2）漏源極間的穿通擊穿 ·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID4. 柵源擊穿電壓BVGS ·在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。5. 低頻跨導(dǎo)gm ·在VDS為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo) ·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù) ·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)6. 導(dǎo)通電阻RON ·導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對ID的影響，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù) ·在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間 ·由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似 ·對一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)7. 極間電容 ·三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS ·CGS和CGD約為1～3pF ·CDS約在0.1～1pF之間8. 低頻噪聲系數(shù)NF ·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的 ·由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化 ·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB） ·這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小 ·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù) ·場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小一、CMOS反相器由本書模擬部分已知，MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強(qiáng)型兩類。由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱為互補(bǔ)MOS或CMOS電路。下圖表示CMOS反相器電路，由兩只增強(qiáng)型MOSFET組成，其中一個(gè)為N溝道結(jié)構(gòu)，另一個(gè)為P溝道結(jié)構(gòu)。為了電路能正常工作，要求電源電壓VDD大于兩個(gè)管子的開啟電壓的絕對值之和，即VDD＞(VTN＋|VTP|) 。1.工作原理首先考慮兩種極限情況：當(dāng)vI處于邏輯0時(shí) ，相應(yīng)的電壓近似為0V；而當(dāng)vI處于邏輯1時(shí)，相應(yīng)的電壓近似為VDD。假設(shè)在兩種情況下N溝道管 TN為工作管P溝道管TP為負(fù)載管。但是，由于電路是互補(bǔ)對稱的，這種假設(shè)可以是任意的，相反的情況亦將導(dǎo)致相同的結(jié)果。下圖分析了當(dāng)vI=VDD時(shí)的工作情況。在TN的輸出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSN=vO)上，疊加一條負(fù)載線，它是負(fù)載管TP在 vSGP=0V時(shí)的輸出特性iD－vSD。由于vSGP＜VT（VTN=|VTP|=VT），負(fù)載曲線幾乎是一條與橫軸重合的水平線。兩條曲線的交點(diǎn)即工作點(diǎn)。顯然，這時(shí)的輸出電壓vOL≈0V（典型值＜10mV ，而通過兩管的電流接近于零。這就是說，電路的功耗很?。ㄎ⑼吡考墸? 下圖分析了另一種極限情況，此時(shí)對應(yīng)于vI＝0V。此時(shí)工作管TN在vGSN＝0的情況下運(yùn)用，其輸出特性iD－vDS幾乎與橫軸重合，負(fù)載曲線是負(fù)載管TP在vsGP＝VDD時(shí)的輸出特性iD－vDS。由圖可知，工作點(diǎn)決定了VO＝VOH≈VDD；通過兩器件的電流接近零值 ?？梢娚鲜鰞煞N極限情況下的功耗都很低。由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的邏輯單元，其輸出電壓接近于零或+VDD，而功耗幾乎為零。2.傳輸特性下圖為CMOS反相器的傳輸特性圖。圖中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=2V。由于 VDD＞（VTN＋|VTP|），因此，當(dāng)VDD-|VTP|>vI>VTN 時(shí),TN和TP兩管同時(shí)導(dǎo)通?？紤]到電路是互補(bǔ)對稱的，一器件可將另一器件視為它的漏極負(fù)載。還應(yīng)注意到，器件在放大區(qū)（飽和區(qū)）呈現(xiàn)恒流特性，兩器件之一可當(dāng)作高阻值的負(fù)載。因此，在過渡區(qū)域，傳輸特性變化比較急劇。兩管在VI=VDD/2處轉(zhuǎn)換狀態(tài)。3.工作速度 CMOS反相器在電容負(fù)載情況下，它的開通時(shí)間與關(guān)閉時(shí)間是相等的，這是因?yàn)殡娐肪哂谢パa(bǔ)對稱的性質(zhì)。下圖表示當(dāng)vI=0V時(shí) ，TN截止，TP導(dǎo)通，由VDD通過TP向負(fù)載電容CL充電的情況。由于CMOS反相器中，兩管的gm值均設(shè)計(jì)得較大，其導(dǎo)通電阻較小，充電回路的時(shí)間常數(shù)較小。類似地，亦可分析電容CL的放電過程。CMOS反相器的平均傳輸延遲時(shí)間約為10ns。二、CMOS門電路1.與非門電路下圖是2輸入端CMOS與非門電路，其中包括兩個(gè)串聯(lián)的N溝道增強(qiáng)型MOS管和兩個(gè)并聯(lián)的P溝道增強(qiáng)型MOS管。每個(gè)輸入端連到一個(gè)N溝道和一個(gè)P溝道MOS管的柵極。當(dāng)輸入端A、B中只要有一個(gè)為低電平時(shí)，就會(huì)使與它相連的NMOS管截止，與它相連的PMOS管導(dǎo)通，輸出為高電平；僅當(dāng)A、B全為高電平時(shí)，才會(huì)使兩個(gè)串聯(lián)的NMOS管都導(dǎo)通，使兩個(gè)并聯(lián)的PMOS管都截止，輸出為低電平。因此，這種電路具有與非的邏輯功能，即 n個(gè)輸入端的與非門必須有n個(gè)NMOS管串聯(lián)和n個(gè)PMOS管并聯(lián)。2.或非門電路下圖是2輸入端CMOS或非門電路。其中包括兩個(gè)并聯(lián)的N溝道增強(qiáng)型MOS管和兩個(gè)串聯(lián)的P溝道增強(qiáng)型MOS管。當(dāng)輸入端A、B中只要有一個(gè)為高電平時(shí)，就會(huì)使與它相連的NMOS管導(dǎo)通，與它相連的PMOS管截止，輸出為低電平；僅當(dāng)A、B全為低電平時(shí)，兩個(gè)并聯(lián)NMOS管都截止，兩個(gè)串聯(lián)的PMOS管都導(dǎo)通，輸出為高電平。因此，這種電路具有或非的邏輯功能，其邏輯表達(dá)式為顯然，n個(gè)輸入端的或非門必須有n個(gè)NMOS管并聯(lián)和n個(gè)PMOS管并聯(lián)。比較CMOS與非門和或非門可知，與非門的工作管是彼此串聯(lián)的，其輸出電壓隨管子個(gè)數(shù)的增加而增加；或非門則相反，工作管彼此并聯(lián)，對輸出電壓不致有明顯的影響。因而或非門用得較多。3.異或門電路上圖為CMOS異或門電路。它由一級或非門和一級與或非門組成?；蚍情T的輸出。而與或非門的輸出L即為輸入A、B的異或如在異或門的后面增加一級反相器就構(gòu)成異或非門，由于具有的功能，因而稱為同或門。異成門和同或門的邏輯符號(hào)如下圖所示。三、BiCMOS門電路雙極型CMOS或BiCMOS的特點(diǎn)在于，利用了雙極型器件的速度快和MOSFET的功耗低兩方面的優(yōu)勢，因而這種邏輯門電路受到用戶的重視。1.BiCMOS反相器上圖表示基本的BiCMOS反相器電路，為了清楚起見，MOSFET用符號(hào)M表示BJT用T表示。T1和T2構(gòu)成推拉式輸出級。而Mp、MN、M1、M2所組成的輸入級與基本的CMOS反相器很相似。輸入信號(hào)vI同時(shí)作用于MP和MN的柵極。當(dāng)vI為高電壓時(shí)MN導(dǎo)通而MP截止；而當(dāng)vI為低電壓時(shí),情況則相反，Mp導(dǎo)通，MN截止。當(dāng)輸出端接有同類BiCMOS門電路時(shí)，輸出級能提供足夠大的電流為電容性負(fù)載充電。同理，已充電的電容負(fù)載也能迅速地通過T2放電。上述電路中T1和T2的基區(qū)存儲(chǔ)電荷亦可通過M1和M2釋放，以加快電路的開關(guān)速度。當(dāng)vI為高電壓時(shí)M1導(dǎo)通，T1基區(qū)的存儲(chǔ)電荷迅速消散。這種作用與TTL門電路的輸入級中T1類似。同理，當(dāng)vI為低電壓時(shí)，電源電壓VDD通過MP以激勵(lì)M2使M2導(dǎo)通，顯然T2基區(qū)的存儲(chǔ)電荷通過M2而消散。可見，門電路的開關(guān)速度可得到改善。2.BiCMOS門電路根據(jù)前述的CMOS門電路的結(jié)構(gòu)和工作原理，同樣可以用BiCMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)或非門和與非門。如果要實(shí)現(xiàn)或非邏輯關(guān)系，輸入信號(hào)用來驅(qū)動(dòng)并聯(lián)的N溝道MOSFET，而P溝道MOSFET則彼此串聯(lián)。正如下圖所示的2輸入端或非門。當(dāng)A和B均為低電平時(shí)，則兩個(gè)MOSFET MPA和MPB均導(dǎo)通，T1導(dǎo)通而MNA和MNB均截止，輸出L為高電平。與此同時(shí)，M1通過MPA和MpB被VDD所激勵(lì)，從而為T2的基區(qū)存儲(chǔ)電荷提供一條釋放通路。另一方面，當(dāng)兩輸入端A和B中之一為高電平時(shí) ，則MpA和MpB的通路被斷開，并且MNA或MNB導(dǎo)通，將使輸出端為低電平。同時(shí)，M1A或M1B為T1的基極存儲(chǔ)電荷提供一條釋放道路。因此，只要有一個(gè)輸入端接高電平，輸出即為低電平。四、CMOS傳輸門 MOSFET的輸出特性在原點(diǎn)附近呈線性對稱關(guān)系，因而它們常用作模擬開關(guān)。模擬開關(guān)廣泛地用于取樣——保持電路、斬波電路、模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路等。下面著重介紹CMOS傳輸門。所謂傳輸門（TG）就是一種傳輸模擬信號(hào)的模擬開關(guān)。CMOS傳輸門由一個(gè)P溝道和一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOSFET并聯(lián)而成，如上圖所示。TP和TN是結(jié)構(gòu)對稱的器件，它們的漏極和源極是可互換的。設(shè)它們的開啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號(hào)的變化范圍為-5V到+5V 。為使襯底與漏源極之間的PN結(jié)任何時(shí)刻都不致正偏，故TP的襯底接+5V電壓，而TN的襯底接-5V電壓。兩管的柵極由互補(bǔ)的信號(hào)電壓（+5V和-5V）來控制，分別用C和表示。傳輸門的工作情況如下：當(dāng)C端接低電壓-5V時(shí)TN的柵壓即為-5V，vI取-5V到+5V范圍內(nèi)的任意值時(shí)，TN均不導(dǎo)通。同時(shí),TP的柵壓為+5V，TP亦不導(dǎo)通。可見，當(dāng)C端接低電壓時(shí)，開關(guān)是斷開的。為使開關(guān)接通，可將C端接高電壓+5V。此時(shí)TN的柵壓為+5V ，vI在-5V到+3V的范圍內(nèi)，TN導(dǎo)通。同時(shí)TP的棚壓為-5V ，vI在-3V到+5V的范圍內(nèi)TP將導(dǎo)通。由上分析可知，當(dāng)vI＜-3V時(shí)，僅有TN導(dǎo)通，而當(dāng)vI＞+3V時(shí)，僅有TP導(dǎo)通當(dāng)vI在-3V到+3V的范圍內(nèi)，TN和TP兩管均導(dǎo)通。進(jìn)一步分析還可看到，一管導(dǎo)通的程度愈深，另一管的導(dǎo)通程度則相應(yīng)地減小。換句話說，當(dāng)一管的導(dǎo)通電阻減小，則另一管的導(dǎo)通電阻就增加。由于兩管系并聯(lián)運(yùn)行，可近似地認(rèn)為開關(guān)的導(dǎo)通電阻近似為一常數(shù)。這是CMOS傳輸出門的優(yōu)點(diǎn)。在正常工作時(shí)，模擬開關(guān)的導(dǎo)通電阻值約為數(shù)百歐，當(dāng)它與輸入阻抗為兆歐級的運(yùn)放串接時(shí)，可以忽略不計(jì)。 CMOS傳輸門除了作為傳輸模擬信號(hào)的開關(guān)之外，也可作為各種邏輯電路的基本單元電路。