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微源半導(dǎo)體，myogenic tone是什么

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-08-27 02:33:49 編輯：智能門(mén)戶 手機(jī)版

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1，myogenic tone是什么

肌源性緊張
ic就是集成電路(integrated circuit]) 集成電路是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，這樣，整個(gè)電路的體積大大縮小，且引出線和焊接點(diǎn)的數(shù)目也大為減少，從而使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。 集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點(diǎn)少，壽命長(zhǎng)，可靠性高，性能好等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)成本低，便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設(shè)備如收錄機(jī)、電視機(jī)、計(jì)算機(jī)等方面得到廣泛的應(yīng)用，同時(shí)在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應(yīng)用。用集成電路來(lái)裝配電子設(shè)備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時(shí)間也可大大提高。 它在電路中用字母“ic”表示。

myogenic tone是什么

3，65nm工藝的元件和90nm工藝的元件有哪些區(qū)別

低功耗省電節(jié)能超頻后穩(wěn)定性更好些~！
1906年，世界第一枚電子器件劃時(shí)代而生。此后百年間，隨著晶體管與集成電路的成功開(kāi)發(fā)，人類開(kāi)始步入速度驚人的芯片時(shí)代。 　　我們知道，能夠帶來(lái)突破性性能與尺寸的新體系結(jié)構(gòu)，需要在更小的體積內(nèi)放入更多的晶體管數(shù)目，需要更高級(jí)的芯片制程工藝。 　　從第一顆處理器到90納米處理器，乃至65納米處理器都是如此。英特爾把這種以兩年為周期的芯片與微體系結(jié)構(gòu)快速發(fā)展步調(diào)稱為“Tick-tock”戰(zhàn)略。當(dāng)硅制程技術(shù)“Tick”與微體系結(jié)構(gòu)“Tock”交替發(fā)展到65納米階段時(shí)，進(jìn)一步突破遇到了難以逾越的瓶頸。 　　我們知道，一般的晶體管可分為低電阻層、多晶硅柵極和二氧化硅電介層。其中，二氧化硅電介層在65納米時(shí)代已降低至相當(dāng)于五層原子的厚度，再進(jìn)一步縮小則會(huì)遭遇電介層的漏電而達(dá)到極限。 　　但是，對(duì)業(yè)界影響深遠(yuǎn)的摩爾定律并沒(méi)有因此而失去效力。經(jīng)歷千萬(wàn)次的試驗(yàn)，英特爾將一種熔沸點(diǎn)和強(qiáng)度都極高且抗腐蝕性的新型金屬鉿(Hf)運(yùn)用到芯片處理技術(shù)當(dāng)中，創(chuàng)造出英特爾45納米高Ｋ金屬柵極硅制程技術(shù)層，替換二氧化硅電介層。 　　英特爾45納米高Ｋ技術(shù)能將晶體管間的切換功耗降低近30%，將晶體管切換速度提高20%，而減少柵極漏電10倍以上，源極向漏極漏電5倍以上。這就為芯片帶來(lái)更低的功耗和更持久的電池使用時(shí)間，并擁有更多的晶體管數(shù)目以及更小尺寸。 　　2007年，英特爾發(fā)布第一款基于45納米的四核英特爾至強(qiáng)處理器以及英特爾酷睿2至尊四核處理器，帶領(lǐng)世界跨入45納米全新時(shí)代。 　　難以置信的偉大突破！請(qǐng)繼續(xù)探索45納米世界，發(fā)現(xiàn)更多驚奇。
提高CPU工作主頻主要受到生產(chǎn)工藝的限制。由于CPU是在半導(dǎo)體硅片上制造的，在硅片上的元件之間需要導(dǎo)線進(jìn)行聯(lián)接，由于在高頻狀態(tài)下要求導(dǎo)線越細(xì)越短越好，這樣才能減小導(dǎo)線分布電容等雜散干擾以保證CPU運(yùn)算正確。因此制造工藝的限制，是CPU主頻發(fā)展的最大障礙之一。 還有就是低功耗
65nm的超頻比90nm的好

65nm工藝的元件和90nm工藝的元件有哪些區(qū)別

4，enmos是什么東西

一種用于電場(chǎng)測(cè)試的N型差分式電場(chǎng)微傳感器，其特征在于由n溝道電場(chǎng)傳感器(ENMOS1)、n溝道耗盡型金屬氧化物半導(dǎo)體管(ENMOS2)、P型金屬氧化物半導(dǎo)體管電流鏡及N型金屬氧化物半導(dǎo)體管(NMOS5)組成，P型金屬氧化物半導(dǎo)體管電流鏡由2個(gè)P型金屬氧化物半導(dǎo)體管(PMOS3、PMOS4)組成，2個(gè)P 型金屬氧化物半導(dǎo)體管(PMOS3、PMOS4)的源極相連接并與電源(Vdd)相連接，其柵極互連并與其中一個(gè)P型金屬氧化物半導(dǎo)體管(PMOS3)的漏極連接且該P(yáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體管(PMOS3)的漏極與n溝道電場(chǎng)傳感器(ENMOS1)的漏極連接，上述另一個(gè)P型金屬氧化物半導(dǎo)體管(PMOS4)的漏極與n溝道耗盡型MOS 管(ENMOS2)的漏極連接且該節(jié)點(diǎn)作為輸出端(Vout)，n溝道電場(chǎng)傳感器 (ENMOS1)的源極與n溝道耗盡型MOS管(ENMOS2)的源極連接并與N型金屬氧化物半導(dǎo)體管(NMOS5)的漏極連接，N型金屬氧化物半導(dǎo)體管(NMOS5) 的源極接地(Vss)，N型金屬氧化物半導(dǎo)體管(NMOS5)的柵極接偏置電壓(Vb)。 該產(chǎn)品已在2005年申請(qǐng)專利。謝謝，希望我的回答能幫到你
microsoft office specialist的英文開(kāi)頭字母縮寫(xiě) 微軟辦公軟件使用的國(guó)際認(rèn)證：國(guó)際權(quán)威職業(yè)化辦公認(rèn)證 是certiport這個(gè)國(guó)際著名的從事計(jì)算機(jī)應(yīng)用能力認(rèn)證的專業(yè)機(jī)構(gòu)與microsoft總部共同推出的微軟辦公軟件的實(shí)際運(yùn)用能力的考核，這是微軟辦公軟件office專家應(yīng)用認(rèn)證，為microsoft 唯一所認(rèn)可的office 軟件國(guó)際級(jí)的專業(yè)認(rèn)證。 microsoft office specialist鼓勵(lì)每個(gè)人掌握microsoft 主要辦公軟件的功能及使用技巧，滿足現(xiàn)代職場(chǎng)中工作能力的要求。同時(shí)，microsoft office specialist 也能夠滿足企業(yè)的需要，幫助企業(yè)提升員工的工作效率，節(jié)省企業(yè)人力資源成本。 microsoft office specialist認(rèn)證的目的是協(xié)助企業(yè)、個(gè)人確立microsoft office各軟件之知識(shí)應(yīng)用與實(shí)際操作能力的專業(yè)程度，包括如word、excel、powerpoint、access以及 outlook 等軟件的實(shí)際應(yīng)用能力。國(guó)外許多實(shí)例已證實(shí)，到2004年12月份, 已經(jīng)有250萬(wàn)人參加microsoft office specialist 國(guó)際認(rèn)證的教育訓(xùn)練與測(cè)驗(yàn)，證明他們透過(guò)microsoft office specialist徹底了解、運(yùn)用microsoft office辦公室應(yīng)用軟件的功能性，能增進(jìn)他們的生產(chǎn)力，進(jìn)而達(dá)到提升企業(yè)與個(gè)人的競(jìng)爭(zhēng)力。 如何增加自己的價(jià)值，使自己在眾多的求職者中能夠脫穎而出，已經(jīng)成為每個(gè)求職者的共同關(guān)注的問(wèn)題。與此同時(shí)，信息界也吹起了一陣“認(rèn)證風(fēng)潮”，許多人紛紛又回到計(jì)算機(jī)補(bǔ)習(xí)班中惡補(bǔ)一番，無(wú)非是想替自己的信息技術(shù)能力加點(diǎn)分。 所謂的“認(rèn)證”就是指在某種領(lǐng)域的技術(shù)或操作能力。借由認(rèn)證來(lái)確保使用者都具備有一定的水準(zhǔn)，并且通過(guò)考試制度給予肯定。目前在全球it領(lǐng)域中，主要的認(rèn)證可以分為幾種：cisco、linux、microsoft、oracle、sun、等。由于世界各國(guó)政府及民間對(duì)認(rèn)證的大力推廣，使得“國(guó)際性認(rèn)證”除了替自己專業(yè)能力加分以外，您同時(shí)也可以獲得 “可通行世界的專業(yè)證

5，轉(zhuǎn)帖DLP技術(shù)簡(jiǎn)介

1.更清晰 DLP技術(shù)使圖像隨著窗口的刷新而更加清晰，它通過(guò)增強(qiáng)黑白對(duì)比度、描繪邊界線和分離單個(gè)顏色而將圖像中的缺陷抹去。你的眼睛是不會(huì)欺騙你的，你可以盡情享受這種視覺(jué)效果。 DMD是由超過(guò)五十萬(wàn)塊的微小鏡面組成，而一個(gè)鏡面則代表一個(gè)像素，一個(gè)鏡面之下有一個(gè)合葉裝置。這種結(jié)構(gòu)可以對(duì)輸入進(jìn)來(lái)的數(shù)字信號(hào)做出每秒開(kāi)關(guān)超過(guò)五千次的響應(yīng)，以產(chǎn)生像素。DMD鏡器件這一非凡的快速開(kāi)關(guān)速度與被稱為雙脈沖寬度調(diào)制的一種精確的圖像顏色和灰度復(fù)制技術(shù)相結(jié)合，產(chǎn)生的是透明似水晶的令人嘆為觀止的圖像。 2.更細(xì)致 如果你坐在會(huì)議室的最后一排，你依然可以清晰的看到熒幕上的圖像。而且無(wú)論從中間還是邊上，你都看不到聲名狼藉的“紗門(mén)”效果——在模擬放映技術(shù)中存在于像素之間的惱人縫隙。無(wú)論你的座位在哪里，圖像總是非常清晰，而且最大化地填充屏幕。 DMD鏡片體積微小，每一側(cè)邊的長(zhǎng)度為16微米，相鄰鏡頭之間的縫隙小于1微米。鏡頭是方形的，所以每一個(gè)鏡片顯示的內(nèi)容要比實(shí)際圖像更多“沙門(mén)效果相對(duì)比的是DLP投影機(jī)的無(wú)縫效果。當(dāng)一個(gè)圖像的尺寸增加時(shí)，LCD投影機(jī)圖像中的縫隙將變得更大。 DMD鏡面的大小和形狀決定了這一切。每個(gè)鏡片90%的面積動(dòng)態(tài)地反射光線以生成一個(gè)投影圖像，由于一個(gè)鏡頭與另一個(gè)鏡頭之間是如此的接近，所以圖像看起來(lái)沒(méi)有縫隙。再加上當(dāng)分辨率在增加時(shí)大小及間距仍保持一致，因此無(wú)論分辨率如何變化，圖像始終能夠保持很高的清晰度。 3.更明亮 你愿意在觀看投影的時(shí)候同時(shí)擁有光明嗎？觀眾在做筆記的時(shí)候希望保持亮度或打開(kāi)窗簾，與傳統(tǒng)的模擬投影機(jī)相比，DLP投影機(jī)將更多的光線打到屏幕上，這樣，圖像的演示效果在光亮中將同在黑暗中一樣好。 DLP技術(shù)有效的解決了這個(gè)問(wèn)題。DMD的強(qiáng)反射表面通過(guò)消除光路上的障礙以及將更多的光線反射到屏幕上，而最大化地利用了投影機(jī)的光源。DLP技術(shù)依據(jù)圖像的內(nèi)容對(duì)圖像進(jìn)行反射，DLP的光源有兩種工作方式，或者通過(guò)一個(gè)透鏡打到屏幕上，或者直接進(jìn)入一個(gè)吸光器。相比較的是，LCD技術(shù)則是偏振光在圖像到達(dá)屏幕之前必須通過(guò)大量的附加光學(xué)元件。 更為有利的是，基于DLP技術(shù)的投影機(jī)的亮度是隨著分辨率的增加而增加的。在如XGA和SXGA等更高分辨率的情況下，DMD提供更多的反射面積，如此一來(lái)就可以更為有效地利用燈光的亮度。 4.更逼真 隨著其它顯示技術(shù)及攝影技術(shù)的出現(xiàn)，DLP使得那些無(wú)生命的圖像擁有了逼真的色彩。數(shù)字色彩的再現(xiàn)保證了圖像與真實(shí)物質(zhì)的還原性，而且沒(méi)有發(fā)亮的斑點(diǎn)或其它投影機(jī)典型的沖失現(xiàn)象。 DLP不僅僅是簡(jiǎn)單地投影圖像，它還對(duì)它們進(jìn)行了復(fù)制。在它的處理過(guò)程中，首先將源圖像數(shù)字化為8到10位每色的灰度圖像。然后，這些二進(jìn)制圖像輸入進(jìn)DMD，在那里它們與來(lái)自光源并經(jīng)過(guò)仔細(xì)過(guò)濾的彩色光相結(jié)合。這些圖像離開(kāi)DMD后就成像到屏幕上，保持了源圖像所有的光亮和微妙之處。DLP獨(dú)一無(wú)二的色彩過(guò)濾過(guò)程控制了投影圖像的色彩純度，此技術(shù)的數(shù)字化控制支持無(wú)限次的色彩復(fù)制，并確保了原始圖像栩栩如生地再現(xiàn)。 5.更可靠 惡劣條件下的測(cè)試強(qiáng)有力地保證了DLP技術(shù)的可靠性，TI的工程師在每一種可以想象的情況下對(duì)DMD進(jìn)行了測(cè)試。他們?cè)?jīng)將它放在熱、冷、振動(dòng)、爆炸、潮濕以及許許多多其它苛刻的條件下進(jìn)行檢測(cè)，從而用戶可以確信DMD以及其它組成DLP技術(shù)的所有元件在相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)可以保持高可靠性。 DMD不僅通過(guò)了所有的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體資格測(cè)試，而且還證明了在模擬操作環(huán)境中，它的生命期超過(guò)10萬(wàn)個(gè)小時(shí)。測(cè)試證明，DMD可以進(jìn)行超過(guò)1.7萬(wàn)千億次循環(huán)無(wú)故障運(yùn)行，這相當(dāng)于投影機(jī)的實(shí)際使用時(shí)間超過(guò)1995年。其它測(cè)試結(jié)果顯示，DMD在超過(guò)11萬(wàn)個(gè)電力周期和1萬(wàn)1千個(gè)溫度周期下無(wú)故障，以確保在需求較大的應(yīng)用領(lǐng)域中提供30年以上的可靠運(yùn)行期。TI為其它DLP的組件提供了類似的保證。 6.更便攜 重量不足10磅并能夠在屏幕上投影1千流明亮度的基于DLP的超便攜投影機(jī)為減重量，但不是肌肉這一說(shuō)法賦予了全新的含義。與包含大型、笨重光學(xué)器件的傳統(tǒng)模擬投影系統(tǒng)不同，DLP的數(shù)字化設(shè)計(jì)使一個(gè)小型的、結(jié)構(gòu)更為緊湊的光學(xué)系統(tǒng)就可以產(chǎn)生重大的視覺(jué)沖擊效果。 TI的開(kāi)發(fā)人員和合作伙伴幫助超重的投影機(jī)進(jìn)行了減肥，他們將DLP的電子元件壓縮了一半，而同時(shí)，其表現(xiàn)比第一代系統(tǒng)亮度更高、對(duì)比度更強(qiáng)。使用一個(gè)單片DMD就可以實(shí)現(xiàn)大小、重量和亮度的統(tǒng)一，這將使用戶可以得到一個(gè)更小、更亮、更易于攜帶而且足以提供出色圖像質(zhì)量的系統(tǒng)。
1.更清晰 DLP技術(shù)使圖像隨著窗口的刷新而更加清晰，它通過(guò)增強(qiáng)黑白對(duì)比度、描繪邊界線和分離單個(gè)顏色而將圖像中的缺陷抹去。你的眼睛是不會(huì)欺騙你的，你可以盡情享受這種視覺(jué)效果。 DMD是由超過(guò)五十萬(wàn)塊的微小鏡面組成，而一個(gè)鏡面則代表一個(gè)像素，一個(gè)鏡面之下有一個(gè)合葉裝置。這種結(jié)構(gòu)可以對(duì)輸入進(jìn)來(lái)的數(shù)字信號(hào)做出每秒開(kāi)關(guān)超過(guò)五千次的響應(yīng)，以產(chǎn)生像素。DMD鏡器件這一非凡的快速開(kāi)關(guān)速度與被稱為雙脈沖寬度調(diào)制的一種精確的圖像顏色和灰度復(fù)制技術(shù)相結(jié)合，產(chǎn)生的是透明似水晶的令人嘆為觀止的圖像。 2.更細(xì)致 如果你坐在會(huì)議室的最后一排，你依然可以清晰的看到熒幕上的圖像。而且無(wú)論從中間還是邊上，你都看不到聲名狼藉的“紗門(mén)”效果——在模擬放映技術(shù)中存在于像素之間的惱人縫隙。無(wú)論你的座位在哪里，圖像總是非常清晰，而且最大化地填充屏幕。 DMD鏡片體積微小，每一側(cè)邊的長(zhǎng)度為16微米，相鄰鏡頭之間的縫隙小于1微米。鏡頭是方形的，所以每一個(gè)鏡片顯示的內(nèi)容要比實(shí)際圖像更多“沙門(mén)效果相對(duì)比的是DLP投影機(jī)的無(wú)縫效果。當(dāng)一個(gè)圖像的尺寸增加時(shí)，LCD投影機(jī)圖像中的縫隙將變得更大。 DMD鏡面的大小和形狀決定了這一切。每個(gè)鏡片90%的面積動(dòng)態(tài)地反射光線以生成一個(gè)投影圖像，由于一個(gè)鏡頭與另一個(gè)鏡頭之間是如此的接近，所以圖像看起來(lái)沒(méi)有縫隙。再加上當(dāng)分辨率在增加時(shí)大小及間距仍保持一致，因此無(wú)論分辨率如何變化，圖像始終能夠保持很高的清晰度。 3.更明亮 你愿意在觀看投影的時(shí)候同時(shí)擁有光明嗎？觀眾在做筆記的時(shí)候希望保持亮度或打開(kāi)窗簾，與傳統(tǒng)的模擬投影機(jī)相比，DLP投影機(jī)將更多的光線打到屏幕上，這樣，圖像的演示效果在光亮中將同在黑暗中一樣好。 DLP技術(shù)有效的解決了這個(gè)問(wèn)題。DMD的強(qiáng)反射表面通過(guò)消除光路上的障礙以及將更多的光線反射到屏幕上，而最大化地利用了投影機(jī)的光源。DLP技術(shù)依據(jù)圖像的內(nèi)容對(duì)圖像進(jìn)行反射，DLP的光源有兩種工作方式，或者通過(guò)一個(gè)透鏡打到屏幕上，或者直接進(jìn)入一個(gè)吸光器。相比較的是，LCD技術(shù)則是偏振光在圖像到達(dá)屏幕之前必須通過(guò)大量的附加光學(xué)元件。 更為有利的是，基于DLP技術(shù)的投影機(jī)的亮度是隨著分辨率的增加而增加的。在如XGA和SXGA等更高分辨率的情況下，DMD提供更多的反射面積，如此一來(lái)就可以更為有效地利用燈光的亮度。 4.更逼真 隨著其它顯示技術(shù)及攝影技術(shù)的出現(xiàn)，DLP使得那些無(wú)生命的圖像擁有了逼真的色彩。數(shù)字色彩的再現(xiàn)保證了圖像與真實(shí)物質(zhì)的還原性，而且沒(méi)有發(fā)亮的斑點(diǎn)或其它投影機(jī)典型的沖失現(xiàn)象。 DLP不僅僅是簡(jiǎn)單地投影圖像，它還對(duì)它們進(jìn)行了復(fù)制。在它的處理過(guò)程中，首先將源圖像數(shù)字化為8到10位每色的灰度圖像。然后，這些二進(jìn)制圖像輸入進(jìn)DMD，在那里它們與來(lái)自光源并經(jīng)過(guò)仔細(xì)過(guò)濾的彩色光相結(jié)合。這些圖像離開(kāi)DMD后就成像到屏幕上，保持了源圖像所有的光亮和微妙之處。DLP獨(dú)一無(wú)二的色彩過(guò)濾過(guò)程控制了投影圖像的色彩純度，此技術(shù)的數(shù)字化控制支持無(wú)限次的色彩復(fù)制，并確保了原始圖像栩栩如生地再現(xiàn)。 5.更可靠 惡劣條件下的測(cè)試強(qiáng)有力地保證了DLP技術(shù)的可靠性，TI的工程師在每一種可以想象的情況下對(duì)DMD進(jìn)行了測(cè)試。他們?cè)?jīng)將它放在熱、冷、振動(dòng)、爆炸、潮濕以及許許多多其它苛刻的條件下進(jìn)行檢測(cè)，從而用戶可以確信DMD以及其它組成DLP技術(shù)的所有元件在相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)可以保持高可靠性。 DMD不僅通過(guò)了所有的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體資格測(cè)試，而且還證明了在模擬操作環(huán)境中，它的生命期超過(guò)10萬(wàn)個(gè)小時(shí)。測(cè)試證明，DMD可以進(jìn)行超過(guò)1.7萬(wàn)千億次循環(huán)無(wú)故障運(yùn)行，這相當(dāng)于投影機(jī)的實(shí)際使用時(shí)間超過(guò)1995年。其它測(cè)試結(jié)果顯示，DMD在超過(guò)11萬(wàn)個(gè)電力周期和1萬(wàn)1千個(gè)溫度周期下無(wú)故障，以確保在需求較大的應(yīng)用領(lǐng)域中提供30年以上的可靠運(yùn)行期。TI為其它DLP的組件提供了類似的保證。 6.更便攜 重量不足10磅并能夠在屏幕上投影1千流明亮度的基于DLP的超便攜投影機(jī)為減重量，但不是肌肉這一說(shuō)法賦予了全新的含義。與包含大型、笨重光學(xué)器件的傳統(tǒng)模擬投影系統(tǒng)不同，DLP的數(shù)字化設(shè)計(jì)使一個(gè)小型的、結(jié)構(gòu)更為緊湊的光學(xué)系統(tǒng)就可以產(chǎn)生重大的視覺(jué)沖擊效果。 TI的開(kāi)發(fā)人員和合作伙伴幫助超重的投影機(jī)進(jìn)行了減肥，他們將DLP的電子元件壓縮了一半，而同時(shí)，其表現(xiàn)比第一代系統(tǒng)亮度更高、對(duì)比度更強(qiáng)。使用一個(gè)單片DMD就可以實(shí)現(xiàn)大小、重量和亮度的統(tǒng)一，這將使用戶可以得到一個(gè)更小、更亮、更易于攜帶而且足以提供出色圖像質(zhì)量的系統(tǒng)。

6，mos晶體管的工作原理

原發(fā)布者:王立偉24第三章場(chǎng)效應(yīng)管放大器3.1場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管3.2場(chǎng)效應(yīng)管放大電路效應(yīng)管放大器的靜態(tài)偏置效應(yīng)管放大器的交流小信號(hào)模型效應(yīng)管放大電路3.1場(chǎng)效應(yīng)管BJT是一種電流控制元件(iB~iC)，工作時(shí)，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行，所以被稱為雙極型器件。場(chǎng)效應(yīng)管（FieldEffectTransistor簡(jiǎn)稱FET）是一種電壓控制器件(uGS~iD)，工作時(shí)，只有一種載流子參與導(dǎo)電，因此它是單極型器件。FET因其制造工藝簡(jiǎn)單，功耗小，溫度特性好，輸入電阻極高等優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛應(yīng)用。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管增強(qiáng)型耗盡型FET分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管N溝道P溝道N溝道P溝道N溝道P溝道一.絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductorFET)，簡(jiǎn)稱MOSFET。分為：g漏極d源極s柵極增強(qiáng)型N溝道、P溝道耗盡型N溝道、P溝道1.N溝道增強(qiáng)型MOS管（1）結(jié)構(gòu)4個(gè)電極：漏極D，源極S，柵極G和襯底B。gN+N+P襯底-ds襯底b-符號(hào)：b（2）工作原理①柵源電壓uGS的控制作用當(dāng)uGS=0V時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的二極管，在d、s之間加上電壓也不會(huì)形成電流，即管子截止。當(dāng)uGS＞0V時(shí)→縱向電場(chǎng)→將靠近柵極下方的空穴向下排斥→耗盡層。再增加uGS→縱向電場(chǎng)↑-s-sVDDVDDVGGg-g--ddid二氧化硅二氧化硅→將P區(qū)少子電子聚集到P區(qū)表面→形成導(dǎo)電溝道，如果此時(shí)加有漏源電壓，就
MOS場(chǎng)效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。還有一種MOS晶體管，叫做MOS柵極控制晶閘管，是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。它采用集成電路工藝，在普通晶閘管結(jié)構(gòu)中制作大量MOS器件，通過(guò)MOS器件的通斷來(lái)控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷。 不知道是不是你要的？
MOS場(chǎng)效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。還有一種MOS晶體管，叫做MOS柵極控制晶閘管，是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。它采用集成電路工藝，在普通晶閘管結(jié)構(gòu)中制作大量MOS器件，通過(guò)MOS器件的通斷來(lái)控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷。 不知道是不是你要的。
N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特性曲線與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一樣,其輸出特性曲線也可分為可變電阻區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)幾部分。轉(zhuǎn)移特性曲線由于場(chǎng)效應(yīng)管作放大器件使用時(shí)是工作在飽和區(qū)(恒流區(qū)),此時(shí)iD幾乎不隨vDS而變化,即不同的vDS所對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線幾乎是重合的,所以可用vDS大于某一數(shù)值(vDS＞vGS-VT)后的一條轉(zhuǎn)移特性曲線代替飽和區(qū)的所有轉(zhuǎn)移特性曲線.MOS管的主要參數(shù)與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管基本相同，只是增強(qiáng)型MOS管中不用夾斷電壓VP ，而用開(kāi)啟電壓VT表征管子的特性。N溝道耗盡型MOS管結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強(qiáng)型MOS管基本相似。區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時(shí)，漏－源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生增強(qiáng)型MOS管要在vGS≥VT時(shí)才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。原因：制造N溝道耗盡型MOS管時(shí)，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子)，因此即使vGS=0時(shí)，在這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)作用下，漏－源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vDS，就有電流iD。如果加上正的vGS，柵極與N溝道間的電場(chǎng)將在溝道中吸引來(lái)更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小，iD增大。反之vGS為負(fù)時(shí)，溝道中感應(yīng)的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大，iD減小。當(dāng)vGS負(fù)向增加到某一數(shù)值時(shí)，導(dǎo)電溝道消失，iD趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。溝道消失時(shí)的柵－源電壓稱為夾斷電壓，仍用VP表示。與N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相同，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負(fù)值，但是，前者只能在vGS<0的情況下工作。而后者在vGS=0，vGS>0，VP<vGS<0的情況下均能實(shí)現(xiàn)對(duì)iD的控制，而且仍能保持柵-源極間有很大的絕緣電阻,使柵極電流為零。這是耗盡型MOS管的一個(gè)重要特點(diǎn)。電流方程：在飽和區(qū)內(nèi)，耗盡型MOS管的電流方程與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電流方程相同。使用場(chǎng)效應(yīng)管的注意事項(xiàng) 1．從場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)上看，其源極和漏極是對(duì)稱的，因此源極和漏極可以互換。但有些場(chǎng)效應(yīng)管在制造時(shí)已將襯底引線與源極連在一起，這種場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極就不能互換了。2．場(chǎng)效應(yīng)管各極間電壓的極性應(yīng)正確接入，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵-源電壓vGS的極性不能接反。3．當(dāng)MOS管的襯底引線單獨(dú)引出時(shí)，應(yīng)將其接到電路中的電位最低點(diǎn)（對(duì)N溝道MOS管而言）或電位最高點(diǎn)（對(duì)P溝道MOS管而言），以保證溝道與襯底間的PN結(jié)處于反向偏置，使襯底與溝道及各電極隔離。4．MOS管的柵極是絕緣的，感應(yīng)電荷不易泄放，而且絕緣層很薄，極易擊穿。所以柵極不能開(kāi)路，存放時(shí)應(yīng)將各電極短路。焊接時(shí)，電烙鐵必須可靠接地，或者斷電利用烙鐵余熱焊接，并注意對(duì)交流電場(chǎng)的屏蔽。場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的性能比較 1．場(chǎng)效應(yīng)管的源極s、柵極g、漏極d分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。 2．場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。3．場(chǎng)效應(yīng)管柵極幾乎不取電流；而三極管工作時(shí)基極總要吸取一定的電流。因此場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4．場(chǎng)效應(yīng)管只有多子參與導(dǎo)電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電，因少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場(chǎng)效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。5．場(chǎng)效應(yīng)管在源極未與襯底連在一起時(shí)，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí)，其特性差異很大，b值將減小很多。6．場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。7．場(chǎng)效應(yīng)管和三極管均可組成各種放大電路和開(kāi)關(guān)電路，但由于前者制造工藝簡(jiǎn)單，且具有耗電少，熱穩(wěn)定性好，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，因而被廣泛用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。CMOS工作原理 什么是CMOS-IC？ 金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。CMOS集成電路的性能特點(diǎn) 微功耗—CMOS電路的單門(mén)靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級(jí)。 高噪聲容限—CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。 寬工作電壓范圍—CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18伏。 高邏輯擺幅—CMOS電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電為VDD，邏輯“0”為VSS。 高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大于108Ω,一般可達(dá)1010Ω。 高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大于50。 低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大于5PF。 寬工作溫度范圍—陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍為- 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS電路為 – 40 0C ~ 85 0C。 http://baike.baidu.com/view/22318.html?wtp=tt
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