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刻蝕，請(qǐng)問激光刻蝕的原理及應(yīng)用謝謝

來源：整理時(shí)間：2023-08-21 09:03:58 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，請(qǐng)問激光刻蝕的原理及應(yīng)用謝謝
2，光刻和刻蝕有什么區(qū)別
3，買了Pcb板自己可以刻蝕嗎具體方法是什么
4，什么叫反應(yīng)離子束刻蝕
5，想了解一下化學(xué)刻蝕技術(shù)在紡織面料上應(yīng)用的相關(guān)知識(shí)有知道的能否
6，什么是反應(yīng)離子刻蝕

1，請(qǐng)問激光刻蝕的原理及應(yīng)用謝謝

激光利用高能量，極短脈沖的激光，使物質(zhì)瞬間被汽化，不傷及周圍物質(zhì)，并可精確的控制作用深度。因此，使刻蝕精確。

請(qǐng)問激光刻蝕的原理及應(yīng)用謝謝

2，光刻和刻蝕有什么區(qū)別

這兩個(gè)詞是半導(dǎo)體工藝中的重要步驟，需要配合剖面圖講解，最好自己找本半導(dǎo)體工藝的書看。 “光刻”是指在涂滿光刻膠的晶圓（或者叫硅片）上蓋上事先做好的光刻板，然后用紫外線隔著光刻板對(duì)晶圓進(jìn)行一定時(shí)間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質(zhì)，易于腐蝕。 “刻蝕”是光刻后，用腐蝕液將變質(zhì)的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導(dǎo)體器件及其連接的圖形。然后用另一種腐蝕液對(duì)晶圓腐蝕，形成半導(dǎo)體器件及其電路。建有流水線的商家有，海力士，華潤等等。有興趣可以網(wǎng)上的半導(dǎo)體技術(shù)交流論壇看看。

光刻和刻蝕有什么區(qū)別

3，買了Pcb板自己可以刻蝕嗎具體方法是什么

如果只是作一套，腐蝕的方法太復(fù)雜（腐蝕用的三氯化鐵）。用刀刻的方法簡(jiǎn)單，我常用這種方法。鋼鋸條用鉗子掰成斜面，用水磨石磨鋒利作刻刀，布線圖用復(fù)寫紙畫到敷銅板上。打眼。注意必須先打眼（先刻后打眼的缺點(diǎn)是銅皮容易脫落），再用刀刻好，用細(xì)砂紙磨光，涂松香水，焊元件。

v型不可以，因?yàn)樵谖g刻的過程中你需要將不需要蝕刻的銅保護(hù)起來，而保護(hù)的無非是干膜/濕膜/鍍錫等的抗蝕刻劑，而蝕刻藥水會(huì)使破壞縱向，即是所謂的側(cè)蝕，所以不管銅厚多少怎樣，都不能蝕刻出v型來~

你裝的CAMCAD有沒有許可證，就是license,如果有打開原文件，一般為CAD文件，直接點(diǎn)擊Export，選擇GERBER就行了

買了Pcb板自己可以刻蝕嗎具體方法是什么

4，什么叫反應(yīng)離子束刻蝕

離子束刻蝕離子束刻蝕以離子束為刻飾手段達(dá)到刻飾目的的技術(shù)，其分辨率限制于粒子進(jìn)入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。離子束最小直徑約10nm，離子束刻蝕的結(jié)構(gòu)最小可能不會(huì)小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達(dá)100nm以下，最少的達(dá)到10nm，獲得最小線寬12nm的加工結(jié)果。相比電子與固體相互作用，離子在固體中的散射效應(yīng)較小，并能以較快的直寫速度進(jìn)行小于50nm的刻飾，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術(shù)的另一優(yōu)點(diǎn)是在計(jì)算機(jī)控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接制造各種納米器件結(jié)構(gòu)。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。

雖然我很聰明，但這么說真的難到我了

5，想了解一下化學(xué)刻蝕技術(shù)在紡織面料上應(yīng)用的相關(guān)知識(shí)有知道的能否

一般化學(xué)刻蝕技術(shù)在紡織方面主要是指利用其它的先進(jìn)技術(shù)，在纖維表面、或者在紡織品染色、紡織面料的印花方面，起到輕便、效果良好等作用?，F(xiàn)在，最常用的表面刻蝕技術(shù)是低溫等離子體加工技術(shù)。這種等離子體刻蝕技術(shù)的原理是利用儀器產(chǎn)生的等離子等轟擊紡織材料的表面，使其表層結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，這種刻蝕作用屬于濺射刻蝕，一般產(chǎn)生的效果較好，，且不會(huì)對(duì)纖維或織物的其他性能造成大的影響。例如利用等離子體對(duì)牦牛絨、兔絨進(jìn)行表面刻蝕，使其手感、掉毛率得到改善。除了等離子體法，還有紫外線照射法、超聲波法等等。如果想要具體了解，你可以下載一些這方面的文獻(xiàn)。

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6，什么是反應(yīng)離子刻蝕

這種刻蝕過程同時(shí)兼有物理和化學(xué)兩種作用。輝光放電在零點(diǎn)幾到幾十帕的低真空下進(jìn)行。硅片處于陰極電位，放電時(shí)的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場(chǎng)加速，垂直入射到硅片表面上,以較大的動(dòng)量進(jìn)行物理刻蝕,同時(shí)它們還與薄膜表面發(fā)生強(qiáng)烈的化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生化學(xué)刻蝕作用。選擇合適的氣體組分，不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度，還可以使活性基團(tuán)的壽命短，這就有效地抑制了因這些基團(tuán)在薄膜表面附近的擴(kuò)散所能造成的側(cè)向反應(yīng)，大大提高了刻蝕的各向異性特性。反應(yīng)離子刻蝕是超大規(guī)模集成電路工藝中很有發(fā)展前景的一種刻蝕方法。

當(dāng)然不古老，等離子體學(xué)科出現(xiàn)發(fā)展才不過百年，半導(dǎo)體集成電路出現(xiàn)才多少年，最早刻蝕半導(dǎo)體都是用化學(xué)方法，最近十幾年才發(fā)明出等離子體刻蝕機(jī)，現(xiàn)在基本都是等離子體刻蝕了。

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5，想了解一下化學(xué)刻蝕技術(shù)在紡織面料上應(yīng)用的相關(guān)知識(shí)有知道的能否

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