碳化硅芯片，碳化硅晶片是用晶體切割而成的嗎

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-09-05 23:53:33 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，碳化硅晶片是用晶體切割而成的嗎
2，碳化硅半導(dǎo)體有什么用回答具體一點(diǎn)舉例說(shuō)下應(yīng)用于什么機(jī)器之
3，請(qǐng)高手介紹一下碳化硅在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的應(yīng)用以及它的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)和不
4，碳化硅大功率器件是什么東西呢
5，碳化硅可以做CPU嗎
6，碳化硅晶片的介紹

1，碳化硅晶片是用晶體切割而成的嗎

是的，可以用數(shù)控機(jī)床切割薄片，正常金剛石線切割機(jī)切出來(lái)的效果很好，表面光滑，厚薄統(tǒng)一

是的金剛鉆

碳化硅晶片是用晶體切割而成的嗎

2，碳化硅半導(dǎo)體有什么用回答具體一點(diǎn)舉例說(shuō)下應(yīng)用于什么機(jī)器之

碳化硅半導(dǎo)體主要用來(lái)做二極管，用于高性能LED，國(guó)防軍工的微波發(fā)生器等。損耗小，導(dǎo)熱性好是它的主要優(yōu)勢(shì)。

雖然我很聰明，但這么說(shuō)真的難到我了

碳化硅半導(dǎo)體有什么用回答具體一點(diǎn)舉例說(shuō)下應(yīng)用于什么機(jī)器之

3，請(qǐng)高手介紹一下碳化硅在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的應(yīng)用以及它的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)和不

碳化硅單晶體可以制作晶體管（二極管和三極管）。因?yàn)樘蓟璧慕麕挾却?，故做成的器件能耐高壓和高溫，是一種很好的大功率器件的材料。缺點(diǎn)是其單晶的制造比較困難，器件工藝也不成熟，而且在器件中的歐姆接觸難以做好（因?yàn)槭菍捊麕О雽?dǎo)體,重?fù)诫s難以起作用）。碳化硅的硬度很大（僅次于金剛石），可用作為磨料。碳化硅的熔點(diǎn)高，能夠耐高溫（比一般的陶瓷還好），所以作為高溫保護(hù)膜是較好的。

你好！碳化硅耐熱，耐高溫。現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)大飛機(jī)不是叫嚷著要用碳化硅么。一般都是納米級(jí)高米碳化硅了如有疑問(wèn)，請(qǐng)追問(wèn)。

請(qǐng)高手介紹一下碳化硅在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的應(yīng)用以及它的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)和不

4，碳化硅大功率器件是什么東西呢

SIC大功率器件在半導(dǎo)體方面主要有SIC二極管，SIC MOSFET 和帶SIC二極管的IGBT。 SIC材料由于有是高帶隙材料，所以他的耐壓高，而導(dǎo)通阻抗很低。所以是高功率，高頻率，高電壓，高溫器件首選。其中SIC MOSFET的主要特點(diǎn)是耐壓高，單體很容易能做到1700V，而不需要用IGBT，由于是多子導(dǎo)通器件沒(méi)有電流托尾現(xiàn)象，在開(kāi)關(guān)的過(guò)程中幾乎沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗，所以頻率可以做得很高。目前主要制約應(yīng)用的地方就是生產(chǎn)工藝不成熟，價(jià)格高。目前用得最多就是SIC二極管和MOSFET，主要的生產(chǎn)晶元的廠家有CREE和羅姆。

5，碳化硅可以做CPU嗎

氧化硅還可以的

有這材料。你也做不出CPU

你好！不行，目前技術(shù)只能用硅單質(zhì)或碳單質(zhì)制造CPU如有疑問(wèn)，請(qǐng)追問(wèn)。

為何不可，碳化硅可以用作半導(dǎo)體材料，能夠制作晶體管，自然能用來(lái)做CPU，關(guān)鍵是它相比硅沒(méi)人家合適啊，硅基晶體管價(jià)格便宜，易于集成，集成度高，用在低功率數(shù)字電路里非常好，你花大價(jià)錢用碳化硅來(lái)做，性能還不如硅，自然不會(huì)用。在高頻大功率的模擬電路（射頻前端功率放大器）場(chǎng)合，就不用硅，用砷化鎵之類的工藝，它頻率高，功率容量大，但價(jià)格昂貴。不過(guò)現(xiàn)在的研究也在將硅基器件發(fā)展到高頻大功率的模擬場(chǎng)合，為的就是降低成本，提高集成度，像IBM的鍺硅工藝。http://amuseum.cdstm.cn/AMuseum/ic/index_03_03_03_01.html

6，碳化硅晶片的介紹

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高化學(xué)穩(wěn)定性、抗輻射的性能，具有與氮化鎵(GaN)相近的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，不僅是制作高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)的理想襯底材料，也是制作高溫、高頻、高功率以及抗輻射電子器件的理想材料。碳化硅晶片的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢(shì)。

碳化硅晶片的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢(shì)。國(guó)內(nèi)獨(dú)家碳化硅單晶供應(yīng)商，在研發(fā)、技術(shù)、市場(chǎng)開(kāi)發(fā)及商業(yè)運(yùn)作等方面處絕對(duì)領(lǐng)先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大寶石級(jí)SiC2晶體生長(zhǎng)核心技術(shù)工藝，達(dá)到國(guó)際2001年先進(jìn)水平。

天科合達(dá)是國(guó)內(nèi)最早從事碳化硅研究和生產(chǎn)的企業(yè)。北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2006年9月，專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅晶片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司依托于中國(guó)科學(xué)院物理所十余年在碳化硅領(lǐng)域的研究成果優(yōu)勢(shì)。是亞太地區(qū)碳化硅晶片制造的先行者。相關(guān)專利技術(shù)已被國(guó)內(nèi)和國(guó)際授權(quán)。打破了國(guó)外碳化硅行業(yè)的壟斷局面。