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源極，漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-08-15 13:55:10 編輯：智能門(mén)戶(hù) 手機(jī)版

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1，漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極

場(chǎng)效應(yīng)管的漏極，相當(dāng)于晶體三極管的集電極。源極相當(dāng)于發(fā)射劑。柵極相當(dāng)于基極。
柵極相當(dāng)于三極管的基極，再看看別人怎么說(shuō)的。

漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極

2，源極 柵極 漏極是什么

場(chǎng)效晶體管:Field Effect Transistor 源極:Source 漏極:Drain 柵極:Gate
源極:Source 漏極:Drain 柵極:Gate
你說(shuō)的是場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)級(jí)別嗎

源極 柵極 漏極是什么

3，請(qǐng)問(wèn)mos管柵極源極漏極的由來(lái)

gate相當(dāng)于一個(gè)門(mén)（開(kāi)關(guān)）VG大于VT管子導(dǎo)通，源就是電子來(lái)源的地方，漏就是電子消失（漏掉）的地方。
柵英文Grid 不是gate。柵：阻攔物的意思
其怪?!怎么命名是行業(yè)術(shù)語(yǔ).難道真有必要究根問(wèn)底嗎?
gate應(yīng)該翻譯成門(mén)極 都叫亂了……源和漏是原理決定的 仔細(xì)看一看工作原理就明白了

請(qǐng)問(wèn)mos管柵極源極漏極的由來(lái)

4，場(chǎng)效應(yīng)管源極刪極有方向嗎哪個(gè)接正哪個(gè)接負(fù)

您好，讓我來(lái)回答你的問(wèn)題！ 場(chǎng)效應(yīng)管，分別有三個(gè)極，柵極、漏極、源極。其工作原理是通過(guò)給柵極和源極一定的壓差使得漏極和源極導(dǎo)通，是一種電壓控制電流的器件。 場(chǎng)效應(yīng)管分為P管和N管，就N管而言，你需要給柵極加一定的正電壓（柵源耐壓范圍內(nèi)的電壓），給源極加一個(gè)小于柵極的電壓，當(dāng)柵源壓差大于導(dǎo)通電壓（Vth）后，場(chǎng)效應(yīng)管就開(kāi)始導(dǎo)通了，實(shí)際應(yīng)用中，經(jīng)常把源極接在GND上，方便管子的開(kāi)啟關(guān)斷。 而P管導(dǎo)通的條件與N管相反，所以：柵極和源極是有方向的，哪個(gè)接正哪個(gè)接負(fù)要視管子的管型而定！

5，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極g源極s和漏極d分別是哪三個(gè)單詞的縮寫(xiě)

柵極(Gate)漏極(Drain)源極(Source)再看看別人怎么說(shuō)的。
柵極(Gate)；漏極(Drain)；源極(Source)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
柵極(Gate)漏極(Drain)源極(Source)

6，場(chǎng)效應(yīng)管源極和漏極的本質(zhì)區(qū)別是什么

漏極相當(dāng)于雙極型晶體管的C極，源極相當(dāng)于e極，柵極相當(dāng)b極，但二者的控制原理不一樣，場(chǎng)效應(yīng)管為壓控器件，晶體管為流控器件.當(dāng)柵源電壓大于開(kāi)啟電壓時(shí)，漏源之間導(dǎo)通，電流由漏極流向源極.也就是說(shuō)漏極是接正電壓的，源極接地.
低頻的結(jié)型管可以互換。這個(gè)跟結(jié)型管的結(jié)構(gòu)有關(guān)，普通的結(jié)型管結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，從g腳看過(guò)去完全就是個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的pn結(jié)，它的箭頭只表示pn結(jié)的極性，在電路結(jié)構(gòu)和電氣符號(hào)上都沒(méi)有標(biāo)記出漏極和源極的差別。而高頻結(jié)型管在半導(dǎo)體制造時(shí)，源極和漏極形狀有本質(zhì)差別，特別是兩個(gè)fet級(jí)聯(lián)時(shí)，漏源就有差別了。mosfet漏極和源極無(wú)論符號(hào)還是結(jié)構(gòu)都有差別，不能互換。建議你去看一下科學(xué)出版社，晶體管電路設(shè)計(jì)（下），鈴木雅臣的書(shū)，p15-16頁(yè)有很明確的說(shuō)明。一樓不要亂說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管在很多特性、使用方法上跟三極管bjt還是有很大差別的。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管本質(zhì)上沒(méi)有多大的區(qū)別，而絕緣柵極的場(chǎng)效應(yīng)管是有區(qū)別的，耐壓的原因，接反了，管子不耐壓就會(huì)壞，還有的內(nèi)部有保護(hù)二極管或電阻什么的。
文章TAG：源極漏極源極柵極相當(dāng)于三極管的哪極

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