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與非門電路圖，二輸入與非門電路的電路圖和工作原理

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-08-31 08:31:18 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，二輸入與非門電路的電路圖和工作原理
2，二輸入與非門電路的電路圖和工作原理
3，用與非門實(shí)現(xiàn)四位二進(jìn)制碼轉(zhuǎn)化為四位循環(huán)碼電路圖
4，三輸入的與非門電路圖
5，與非門電路圖原理
6，ttl與非門工作原理與解析

1，二輸入與非門電路的電路圖和工作原理

A和B先與運(yùn)算，然后非：Y=非（A*B);

二輸入與非門電路的電路圖和工作原理

2，二輸入與非門電路的電路圖和工作原理

A和B先與運(yùn)算，然后非：Y=非（A*B);

這是hd74ls10p三輸入與非門芯片的內(nèi)部電路：

二輸入與非門電路的電路圖和工作原理

3，用與非門實(shí)現(xiàn)四位二進(jìn)制碼轉(zhuǎn)化為四位循環(huán)碼電路圖

狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖：0101－0110－0111－1000－1001－1010－1011－1100－0101連接圖：輸入端D3D2D1D0接：0101，輸出端Q3Q2經(jīng)與非門后，輸出接輸入端LD，EP＝ET＝Rd＝1，

用與非門實(shí)現(xiàn)四位二進(jìn)制碼轉(zhuǎn)化為四位循環(huán)碼電路圖

4，三輸入的與非門電路圖

這是HD74LS10P三輸入與非門芯片的內(nèi)部電路：

不好意思,以前沒注意到,前面三個(gè)三極管的導(dǎo)通壓降大約在3*0.4=1.2v左右,大于后面那個(gè)8050 be極的導(dǎo)通電壓,所以在后面那個(gè)三極管前面應(yīng)該串一個(gè)二極管如1N4148,不然輸出會(huì)一直是低電平.

5，與非門電路圖原理

原發(fā)布者:電子通信愛好TTL門電路的外部特性，邏輯功能、電氣特性。CMOS門電路的外部特性，邏輯功能、電氣特性。2.1概述門電路——用以實(shí)現(xiàn)各種基本邏輯關(guān)系的電子電路正邏輯——用1表示高電平、用0表示低電平負(fù)邏輯——用0表示高電平、用1表示低電子的情況。2.2分立元件門電路2.2.1二極管的開關(guān)特性圖2.2.1二極管靜態(tài)開關(guān)電路及其等效電路(a)電路圖(b)輸入高電平時(shí)的等效電路(c)輸入低電平時(shí)的等效電路二、動(dòng)態(tài)開關(guān)特性在高速開關(guān)電路中，需要了解二極管導(dǎo)通與截止間的快速轉(zhuǎn)換過(guò)程。圖2.2.2二極管動(dòng)態(tài)開關(guān)特性(a)電路圖(b)輸入脈沖電壓波形(c)實(shí)際電流波形當(dāng)輸入電壓UI由正值UF躍變?yōu)樨?fù)值UR的瞬間，VD并不能立刻截止，而是在外加反向電壓UR作用下，產(chǎn)生了很大的反向電流IR，這時(shí)iD＝IR≈-UR／R，經(jīng)一段時(shí)間trr后二極管VD才進(jìn)人截止?fàn)顟B(tài)，如圖3.2.3(c)所示。通常將trr稱作反向恢復(fù)時(shí)間。產(chǎn)生trr的主要原因是由于二極管在正向?qū)〞r(shí)，P區(qū)的多數(shù)載流子空穴大量流入N區(qū)，N區(qū)的多數(shù)載流子電子大量流入P區(qū)，在P區(qū)和N區(qū)中分別存儲(chǔ)了大量的電子和空穴，統(tǒng)稱為存儲(chǔ)電荷。當(dāng)UI由UF躍變?yōu)樨?fù)值UR時(shí)，上述存儲(chǔ)電荷不會(huì)立刻消失，在反向電壓的作用下形成了較大的反向電流IR，隨著存儲(chǔ)電荷的不斷消散，反向電流也隨之減少，最終二極管VD轉(zhuǎn)為截止。當(dāng)二極管VD由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通時(shí)，在P區(qū)和N

1）先溫習(xí)三極管構(gòu)成，在基極看去，基極與發(fā)射極，基極與集電極表現(xiàn)為兩個(gè)二極管；2）當(dāng)A、B都為高電平時(shí)，發(fā)射結(jié)為截止，而T1基極與集電極之間的二極管，和T2、T3的發(fā)射結(jié)（三個(gè)二極管）正向串聯(lián)，通過(guò)R1接上電源就會(huì)導(dǎo)通，所以此時(shí)T1基極電壓Vb1=2.1V。T2基極電壓 Vb2=1.4V，T3基極電壓 Vb3=0.7V，T3導(dǎo)通使輸出端Y輸出低電平；3）當(dāng)A、B其中一個(gè)為低電平時(shí)，T1發(fā)射結(jié)導(dǎo)通，使基極電壓 Vb1=0.7V，這個(gè)電壓不足以讓后級(jí)的發(fā)射結(jié)導(dǎo)通，所以T2、T3就截止，T4導(dǎo)通使Y輸出高電平；從邏輯表現(xiàn)上，就實(shí)現(xiàn)了與非門功能。

6，ttl與非門工作原理與解析

　　TTL非門的電路組成及工作原理，反相器　　2008-06-12 00:02:58 作者：來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 　　瀏覽次數(shù)：0 文字大?。骸敬蟆俊局小俊拘　? 　　* 反相器 TTL非門的電路組成及工作原理: 典型TTL與非門電路電路組成 輸入級(jí)——晶體管T1和電阻Rb1構(gòu)成。 中間級(jí)——晶體管T2和電阻Rc2、Re2構(gòu)成。 輸出級(jí)——晶體管T3、T4、D和電阻Rc4構(gòu)成， ... 　　反相器　　TTL非門的電路組成及工作原理: 　　典型TTL與非門電路電路組成 　　輸入級(jí)——晶體管T1和電阻Rb1構(gòu)成。 　　中間級(jí)——晶體管T2和電阻Rc2、Re2構(gòu)成。 　　輸出級(jí)——晶體管T3、T4、D和電阻Rc4構(gòu)成，推拉式結(jié)構(gòu)，在正常工作時(shí)，T4和T3總是一個(gè)截止，另一個(gè)飽和。　　工作原理: 　　當(dāng)輸入Vi=3.6V(高電平) 　　Vb1=3.6+0.7=4.3V 足以使T1(bc結(jié))T2(be結(jié))T3 (be結(jié))同時(shí)導(dǎo)通, 一但導(dǎo)通Vb1=0.7+0.7+0.7=2.1V(固定值),此時(shí)V1發(fā)射結(jié)必截止(倒置放大狀態(tài))。　　Vc2=Vces+Vbe2=0.2+0.7=0.9V 不足以T4和D同時(shí)導(dǎo)通, 　　T4和D均截止。　　V0=0.2V (低電平) 　　* 　　o 當(dāng)輸入Vi=0.2V(低電平) 　　Vb1=0.2+0.7=0.9V不足以使T1(bc結(jié))T2(be結(jié))T3 (be結(jié))同時(shí)導(dǎo)通, 　　T2 T3均截止, 同時(shí)Vcc---Rc2----T4---D---負(fù)載形成通路, 　　T4和D均導(dǎo)通。　　V0=Vcc-VRc2(可略)-Vbe4-VD=5-0.7-0.7 =3.6(高電平) 　　結(jié)論:輸入高,輸出低;輸入低,輸出高(非邏輯) 　　TTL反相器各自特點(diǎn) 　　?TTL優(yōu)勢(shì)：　　?1、工作速度快 ?2、帶負(fù)載能力強(qiáng) ?3、傳輸特性好　　TTL反相器的電壓傳輸特性　　電壓傳輸特性是指輸出電壓跟隨輸入電壓變化的關(guān)系曲線，即UO=f(uI)函數(shù)關(guān)系。如圖2.3.2所示曲線大致分為四段： 　　AB段(截止區(qū))：當(dāng)UI≤0.6V時(shí)，T1工作在深飽和狀態(tài)，Uces1＜0.1V，Vbe2＜0.7V，故T2、 T3截止，D、T4均導(dǎo)通，輸出高電平UOH=3.6V。　　TTL反相器的電壓傳輸特性 BC段(線性區(qū))：當(dāng)0.6V≤UI＜1.3V時(shí)，0.7V≤Vb2＜1.4V， T2開始導(dǎo)通，T3尚未導(dǎo)通。此時(shí)T2處于放大狀態(tài)，其集電極電壓Vc2隨著UI的增加而下降，使輸出電壓UO也下降。CD段(轉(zhuǎn)折區(qū))：1.3V≤UI＜1.4V，當(dāng)UI略大于1.3V時(shí)， T2 T3均導(dǎo)通， T3進(jìn)入飽和狀態(tài)，輸出電壓UO迅速下降。　　DE段(飽和區(qū))：當(dāng)UI≥1.4V時(shí)，隨著UI增加 T1進(jìn)入倒置工作狀態(tài)，D截止，T4截止，T2、T3飽和，因而輸出低電平UOL=0.3V。　　CMOS反相器　　1、電路結(jié)構(gòu)及工作原理 　　CMOS反相器電路如圖2.7-1(a) (b)所示它由兩個(gè)增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成，其中V1為NMOS管，稱驅(qū)動(dòng)管，V2為PMOS管，稱負(fù)載管。 NMOS管的柵源開啟電壓UTN為正值，PMOS管的柵源開啟電壓是負(fù)值，其數(shù)值范圍在2~5V之間。為了使電路能正常工作，要求電源電壓UDD＞ (UTN+|UTP|)。UDD可在3~18V之間工作，其適用范圍較寬。　　工作原理: 　　(1)當(dāng)UI=UIL=0V時(shí)，UGS1=0，因此V1管截止，而此時(shí)|UGS2|＞|UTP|，所以V2導(dǎo)通，且導(dǎo)通內(nèi)阻很低，所以UO=UOH≈UDD，即輸出為高電平. 　　(2)當(dāng)UI=UIH=UDD時(shí)，UGS1=UDD＞UTN，V1導(dǎo)通，而UGS2=0＜|UTP|，因此V2截止。此時(shí)UO=UOL≈0，即輸出為低電平。可見，CMOS反相器實(shí)現(xiàn)了邏輯非的功能. 　　CMOS反相器的主要特性 　　CMOS反相器的電壓傳輸特性如圖2.7-2所示。　　CMOS 反相器的電流傳輸特性2.7-3圖 2.7-2 CMOS反相器的電壓傳輸特性　　在AB段由于V1截止，阻抗很高，所以流過(guò)V1和V2的漏電流幾乎為0。在CD段V2截止，阻抗很高，所以流過(guò)V1和V2的漏電流也幾乎為0。只有在BC段，V1和V2均導(dǎo)通時(shí)才有電流iD流過(guò)V1和V2，并且在UI=1/2UDD附近，iD最大。

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