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半導(dǎo)體工藝流程，誰(shuí)幫我找下半導(dǎo)體二極管的基本工藝流程呀謝謝嘍

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-08-24 13:17:26 編輯：智能門(mén)戶 手機(jī)版

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1，誰(shuí)幫我找下半導(dǎo)體二極管的基本工藝流程呀謝謝嘍

單向?qū)щ娦?，有一個(gè)PN結(jié)

誰(shuí)幫我找下半導(dǎo)體二極管的基本工藝流程呀謝謝嘍

2，半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

切片——磨片——拋光——清洗——外延——氧化——光刻——擴(kuò)散——....合金——測(cè)試——壓焊——封裝——成品測(cè)試

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

3，硅集成電路制造工藝主要由哪幾個(gè)工序組成

每本書(shū)講的不太一樣。一般來(lái)說(shuō) 增層（氧化）、刻蝕、摻雜、熱處理。工藝細(xì)節(jié)可以搜索半導(dǎo)體工藝制造流程。
搜一下：硅集成電路制造工藝主要由哪幾個(gè)工序組成

硅集成電路制造工藝主要由哪幾個(gè)工序組成

4，半導(dǎo)體的生產(chǎn)流程

流片、封裝和測(cè)試三大工序，當(dāng)然每個(gè)大工序里面還有幾十個(gè)小的工序，你需要詳細(xì)了解就要買(mǎi)書(shū)看了。具體還要看是哪種電路，模擬和數(shù)字不太一樣，根據(jù)可靠性要求不同每道工序又會(huì)有差別等等。
切片——磨片——拋光——清洗——外延——氧化——光刻——擴(kuò)散——....合金——測(cè)試——壓焊——封裝——成品測(cè)試

5，半導(dǎo)體封裝的簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。塑封之后，還要進(jìn)行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、電鍍（Plating）以及打印等工藝。典型的封裝工藝流程為：劃片 裝片 鍵合 塑封 去飛邊 電鍍 打印 切筋和成型 外觀檢查 成品測(cè)試 包裝出貨。
有兩種類(lèi)型，一種是idm的，還有一種是代工的。代工的比較好評(píng)價(jià)它的業(yè)績(jī)和效益，如果是整體的比如intel，在中國(guó)也有封裝測(cè)試工廠，但是它只能評(píng)價(jià)成本，卻不知道效益和業(yè)績(jī)。對(duì)代工的，上海有很多家，比如gem，chipak等等都是國(guó)外的公司。中國(guó)大陸自己的民營(yíng)的有南通富士通，長(zhǎng)電科技等等。希望對(duì)你有幫助，如果有需要，可以發(fā)消息給我，我對(duì)國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體工廠略知一二。

6，請(qǐng)寫(xiě)出半導(dǎo)體硅片加工從頭到尾的各個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)哪道工序用金剛石砂

從多晶硅到單晶硅棒再到切(硅)片這一段是用不到金剛石砂輪的!我們公司就是從事光伏產(chǎn)品的制造! 從多晶硅-單晶硅-切片都做的! 目前超過(guò)98％的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用CZ法占了約85％，其他部份則是由浮融法FZ生長(zhǎng)法。CZ法生長(zhǎng)出的單晶硅，用在生產(chǎn)低功率的集成電路元件。而FZ法生長(zhǎng)出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半導(dǎo)體工業(yè)采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片強(qiáng)化的優(yōu)點(diǎn)。另外一個(gè)原因是CZ法比FZ法更容易生產(chǎn)出大尺寸的單晶硅棒。 目前國(guó)內(nèi)主要采用CZ法 CZ法主要設(shè)備：CZ生長(zhǎng)爐 CZ法生長(zhǎng)爐的組成元件可分成四部分 （1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁 （2）晶棒及坩堝拉升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉(zhuǎn)元件 （3）氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統(tǒng)及壓力控制閥 （4）控制系統(tǒng)：包括偵測(cè)感應(yīng)器及電腦控制系統(tǒng) 加工工藝： 加料→熔化→縮頸生長(zhǎng)→放肩生長(zhǎng)→等徑生長(zhǎng)→尾部生長(zhǎng) （1）加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類(lèi)依電阻的N或P型而定。雜質(zhì)種類(lèi)有硼，磷，銻，砷。 （2）熔化：加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長(zhǎng)晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開(kāi)石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。 （3）縮頸生長(zhǎng)：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場(chǎng)接觸時(shí)的熱應(yīng)力，會(huì)使籽晶產(chǎn)生位錯(cuò)，這些位錯(cuò)必須利用縮勁生長(zhǎng)使之消失掉。縮頸生長(zhǎng)是將籽晶快速向上提升，使長(zhǎng)出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由于位錯(cuò)線與生長(zhǎng)軸成一個(gè)交角，只要縮頸夠長(zhǎng)，位錯(cuò)便能長(zhǎng)出晶體表面，產(chǎn)生零位錯(cuò)的晶體。 （4）放肩生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。 （5）等徑生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間，這段直徑固定的部分即稱(chēng)為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。 （6）尾部生長(zhǎng)：在長(zhǎng)完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開(kāi)，那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯(cuò)與滑移線。于是為了避免此問(wèn)題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點(diǎn)而與液面分開(kāi)。這一過(guò)程稱(chēng)之為尾部生長(zhǎng)。長(zhǎng)完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時(shí)間后取出，即完成一次生長(zhǎng)周期。 單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片 加工流程： 單晶生長(zhǎng)→切斷→外徑滾磨→平邊或V型槽處理→切片 倒角→研磨 腐蝕--拋光→清洗→包裝 切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長(zhǎng)度，切取試片測(cè)量單晶硅棒的電阻率含氧量。 切斷的設(shè)備：內(nèi)園切割機(jī)或外園切割機(jī) 切斷用主要進(jìn)口材料：刀片 外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過(guò)外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。 外徑滾磨的設(shè)備：磨床 平邊或V型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結(jié)晶方向平邊或V型。 處理的設(shè)備：磨床及X－RAY繞射儀。 切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。 切片的設(shè)備：內(nèi)園切割機(jī)或線切割機(jī) 倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。 倒角的主要設(shè)備：倒角機(jī) 研磨：指通過(guò)研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過(guò)程可以處理的規(guī)格。 研磨的設(shè)備：研磨機(jī)（雙面研磨） 主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。 腐蝕：指經(jīng)切片及研磨等機(jī)械加工后，晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。 腐蝕的方式：（A）酸性腐蝕，是最普遍被采用的。酸性腐蝕液由硝酸（HNO3），氫氟酸（HF），及一些緩沖酸（CH3COCH，H3PO4）組成。 （B）堿性腐蝕，堿性腐蝕液由KOH或NaOH加純水組成。 拋光：指單晶硅片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。 拋光的設(shè)備：多片式拋光機(jī)，單片式拋光機(jī)。 拋光的方式：粗拋：主要作用去除損傷層，一般去除量約在10－20um； 精拋：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下 主要原料：拋光液由具有SiO2的微細(xì)懸硅酸膠及NaOH（或KOH或NH4OH）組成，分為粗拋漿和精拋漿。 清洗：在單晶硅片加工過(guò)程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光后的最終清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。 清洗的方式：主要是傳統(tǒng)的RCA濕式化學(xué)洗凈技術(shù)。 主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL （3）損耗產(chǎn)生的原因 A.多晶硅--單晶硅棒 多晶硅加工成單晶硅棒過(guò)程中：如產(chǎn)生損耗是重?fù)綀宓琢?、頭尾料則無(wú)法再利用，只能當(dāng)成冶金行業(yè)如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產(chǎn)生損耗是非重?fù)綀宓琢?、頭尾料可利用制成低檔次的硅產(chǎn)品，此部分應(yīng)按邊角料征稅。 重?fù)搅鲜侵笇⒍嗑Ч柙霞敖咏柡土康碾s質(zhì)（種類(lèi)有硼，磷，銻，砷。雜質(zhì)的種類(lèi)依電阻的N或P型）放入石英坩堝內(nèi)溶化而成的料。 重?fù)搅现饕糜谏a(chǎn)低電阻率（電阻率＜0.011歐姆／厘米）的硅片。 損耗：?jiǎn)尉Ю仆戤吅蟮膱宓琢霞s15％。 單晶硅棒整形過(guò)程中的頭尾料約20％。 單晶整形過(guò)程中（外徑磨削工序）由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過(guò)外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約10％-13％。 希望能對(duì)你有幫助!
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