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sic是什么材料，sic粉是什么東西

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-08-18 08:31:41 編輯：智能門戶 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，sic粉是什么東西

不知道你要哪個(gè)意思1（化學(xué)方面）sic 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料在電阻爐內(nèi)經(jīng)高溫冶煉而成。目前我國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。2（一種考試）：崗位任職合格證書Station IncumbencyCertification
有沒(méi)有采用氫氟酸硝酸體系處理sic中的si粉的？ 效果怎么樣？那個(gè)黑色膨化狀態(tài)的浮硅是怎么解決的。

sic粉是什么東西

2，求助SiC 耐火材料

SiC是碳化硅的意思。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過(guò)一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的首選窯具材料之一碳化硅具有耐腐蝕、耐高溫、強(qiáng)度大、導(dǎo)熱性能良好、抗沖擊等特性，碳化硅一方面可用于各種冶煉爐襯、高溫爐窯構(gòu)件、碳化硅板、襯板、支撐件、匣缽、碳化硅坩堝等。另一方面可用于有色金屬冶煉工業(yè)的高溫間接加熱材料，如豎罐蒸餾爐、精餾爐塔盤、鋁電解槽、銅熔化爐內(nèi)襯、鋅粉爐用弧型板、熱電偶保護(hù)管等；用于制作耐磨、耐蝕、耐高溫等高級(jí)碳化硅陶瓷材料；常見(jiàn)的含有SiC的耐火材料 有碳化硅磚 碳化硅抗結(jié)皮澆注料 碳化硅耐磨澆注料 等
sic 是碳化硅 其他的不知道

求助SiC 耐火材料

3，碳化硅的分子式是什么啊

SiC2
碳化硅（SiC），又名金剛砂，為原子晶體，其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石大致相同，整個(gè)晶體是一個(gè)巨大的分子，它是一種共價(jià)型的碳化物，立體形狀為碳和硅四面均為對(duì)方包圍。純SiC為無(wú)色晶體，工業(yè)制造的SiC由于含有雜質(zhì)而呈暗色。SiC其硬度如金剛石，它的化學(xué)反應(yīng)性很小，即使在高溫，它也不被氯或硫侵蝕，也不與強(qiáng)酸作用，甚至發(fā)煙硝酸和氫氟酸的混合物也不能侵蝕它，因而碳化硅成為優(yōu)良的磨蝕劑和良好的耐火材料。
SiC是最簡(jiǎn)式 即是最簡(jiǎn)式，也是化學(xué)式，SiC中Si和共用四對(duì)電子
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物, 碳化硅陶瓷材料具有高比強(qiáng)度高比模量高硬度、耐化學(xué)腐蝕以及抗輻射性能好等諸多優(yōu)點(diǎn),是一種比較有前途的空間結(jié)構(gòu)材料。
SiC
它的分子結(jié)構(gòu)應(yīng)該和金剛石類似，碳元素和硅元素的比例為1:1，分子式可以簡(jiǎn)化寫成SiC.

碳化硅的分子式是什么啊

4，碳化硅是什么東西 干什么用的

碳化硅是一種磨料.砂輪是用磨料和結(jié)合劑樹脂等制成的中央有通孔的圓形固結(jié)磨具.砂輪是磨具中用量最大、使用面最廣的一種,使用時(shí)高速旋轉(zhuǎn),可對(duì)金屬或非金屬工件的外圓、內(nèi)圓、平面和各種型面等進(jìn)行粗磨、半精磨和精磨以及開槽和切斷等.砂輪種類繁多.磨料是制造砂輪的主要原料,它擔(dān)負(fù)著切削工作.　　碳化硅磨料：　　(一)黑色碳化硅含 95% 以上的碳化硅.呈黑色或深藍(lán)色,有光澤.硬度比白剛玉高,性脆而鋒利,導(dǎo) 熱性和導(dǎo)電性良好磨削鑄鐵.黃銅、鋁、耐火材料及非金屬材料　(二)綠色碳化硅含 97% 以上的碳化硅.呈綠色,硬度和脆性比 TH 更高,導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性好磨削硬質(zhì)合金、光學(xué)玻璃、寶石、玉石、陶瓷、珩磨發(fā)動(dòng)機(jī)氣缸套等
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑為原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅主要有四大應(yīng)用領(lǐng)域，即：功能陶瓷、高級(jí)耐火材料、磨料及冶金原料。
碳化硅是一種原料。它的作用有很多，主要是作為磨料來(lái)用的，比如光伏行業(yè)線切割，研磨行業(yè)，耐火材料，甚至美容行業(yè)的化妝品里面也會(huì)需要到。用途還是挺廣泛的。
碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑為原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅主要有四大應(yīng)用領(lǐng)域，即：功能陶瓷、高級(jí)耐火材料、磨料及冶金原料。
磨具！
碳化硅微粉主要用于3-12英寸的單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體的線切割。是太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)的工程性加工材料。

5，sic晶須增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是什么

金屬材料（此處為鋁）的塑性很好，但相對(duì)于無(wú)機(jī)非金屬來(lái)說(shuō)，強(qiáng)度較低，耐磨性差。因此，增強(qiáng)是金屬材料研究的一個(gè)重要方向。SiC晶須（無(wú)極非金屬材料）素有“晶須之王”的美譽(yù)，彈性模量和硬度都很大。SiC晶須增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料，可以分別結(jié)合二者的優(yōu)勢(shì)，即塑性和強(qiáng)度，從而得到單一材料所不具有的性能。
金屬材料（此處為鋁）的塑性很好，但相對(duì)于無(wú)機(jī)非金屬來(lái)說(shuō)，強(qiáng)度較低，耐磨性差。因此，增強(qiáng)是金屬材料研究的一個(gè)重要方向。SiC晶須（無(wú)極非金屬材料）素有“晶須之王”的美譽(yù)，彈性模量和硬度都很大。SiC晶須增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料，可以分別結(jié)合二者的優(yōu)勢(shì)，即塑性和強(qiáng)度，從而得到單一材料所不具有的性能。再看看別人怎么說(shuō)的。
小擠壓+ 軋制，成功地制備出具有良好超塑性行為的SiC晶須增強(qiáng)LY12鋁基復(fù)合材料,采用透射電鏡、差示掃描量熱計(jì)等現(xiàn)代分析手段,結(jié)合傳統(tǒng)超 塑性理論,深入研究了其超塑性變形的機(jī)制。研究表明,增強(qiáng)相分布均勻,基體晶粒細(xì)小(1μm);在溫度為788～808K、初始應(yīng)變速率為3.3×10~ (-3)～3.3×10~(-2)s~(-1)的拉伸條件下,超塑延伸率為200%～370%;超塑變形的機(jī)制為傳統(tǒng)的晶界擴(kuò)散機(jī)制和微量液相共同協(xié)調(diào)的 晶界滑動(dòng)與界面滑動(dòng)。
復(fù)合材料就是兩種或以上不同物理，化學(xué)性能的材料通過(guò)界面結(jié)合而成，具有更加優(yōu)良性能的材料鋁基，就是以鋁合金為基體
復(fù)合材料就是兩種或以上不同物理，化學(xué)性能的材料通過(guò)界面結(jié)合而成，具有更加優(yōu)良性能的材料鋁基，就是以鋁合金為基體，主要成分晶須是單晶生長(zhǎng)而成的短纖維，直徑一般小于3微米晶須強(qiáng)化是一種強(qiáng)化方式所以說(shuō)，就是以鋁合金為基礎(chǔ)，采用sic晶須強(qiáng)化的復(fù)合材料，有很多種

6，解釋電力電子器件si產(chǎn)品和sic的區(qū)別

SI器件和SIC器件的比較兩者主要是性能不同。SiC是什么?碳化硅(SiC)是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或 β-SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目;另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α-SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能。相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)：作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，SiC對(duì)功率半導(dǎo)體可以說(shuō)是一個(gè)沖擊。這種材料不但擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱穩(wěn)定性好，還具有載流子飽和漂移速度高、熱導(dǎo)率高等特點(diǎn)。具體來(lái)看，其導(dǎo)熱性能是Si材料的3倍以上;在相同反壓下，SiC材料的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度比Si高10倍，而內(nèi)阻僅是Si片的百分之一。SiC器件的工作溫度可以達(dá)到600℃，而一般的Si器件最多能堅(jiān)持到150℃。因?yàn)檫@些特性，SiC可以用來(lái)制造各種耐高溫的高頻大功率器件，應(yīng)用于Si 器件難以勝任的場(chǎng)合。以SiC肖特基二極管為例，它是速度最快的高壓肖特基二極管，無(wú)需反向恢復(fù)充電，可大幅降低開關(guān)損耗、提高開關(guān)頻率，適用于比采用硅技術(shù)的肖特基二極管高得多的操作電壓范圍，例如，600V SiC肖特基二極管可以用在SMPS中，300V SiC肖特基二極管可以用作48~60V快速輸出開關(guān)電源的整流二極管，而1，200V SiC肖特基二極管與硅IGBT組合后可以作為理想的續(xù)流二極管。采用硅材料的MOSFET在提高器件阻斷電壓時(shí)，必須加寬器件的漂移區(qū)，這會(huì)使其內(nèi)阻迅速增大，壓降增高，損耗增大。阻斷電壓范圍在1，200~1，800V的硅MOSFET不僅體積大，而且價(jià)格昂貴。IGBT雖然在高壓應(yīng)用時(shí)可降低導(dǎo)通功耗，但若開關(guān)頻率增加時(shí)，開關(guān)功耗亦隨之增大。因此IGBT在高頻開關(guān)電源上亦有其本身的限制。而用SiC做襯底的MOSFET，可輕易做到1，000～2，000伏的MOSFET，其開關(guān)特性(結(jié)電容值，開關(guān)損耗，開關(guān)波型等)則與100多伏的硅MOSFET相若，導(dǎo)通電阻更可低至毫歐值。在高壓開關(guān)電源應(yīng)用上，完全可取代硅IGBT并可提高系統(tǒng)的整體效率以及開關(guān)頻率。價(jià)格差異：?jiǎn)尉蚐i器件和SiC器件的價(jià)差來(lái)看，確實(shí)有較大的差異，但如果從SiC器件帶來(lái)的系統(tǒng)性能提升來(lái)看，將會(huì)發(fā)現(xiàn)其帶來(lái)的總體效益遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)兩類器件的價(jià)差。在SiC特別適合的高壓應(yīng)用中，如果充分發(fā)揮SiC器件的特性，這一整體優(yōu)勢(shì)表現(xiàn)得非常明顯。
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