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Dram芯片,DRAM和SRAM的主要差別是什么為什么DRAM芯片的地址一般要分

來源:整理 時(shí)間:2023-08-17 13:14:41 編輯:智能門戶 手機(jī)版

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1,DRAM和SRAM的主要差別是什么為什么DRAM芯片的地址一般要分

DRAM和SRAM分別是抄動(dòng)態(tài)RAM和靜態(tài)RAM。顧名思義,靜態(tài)RAM的數(shù)據(jù)更新之后能夠自保持,而動(dòng)態(tài)RAM的數(shù)據(jù)需要不斷動(dòng)態(tài)刷新才能自保持。DRAM一般知容量大,內(nèi)部存儲(chǔ)單元多采用行+列結(jié)構(gòu),為了避免地址口線數(shù)量過多,因此進(jìn)行隨機(jī)操作時(shí)多需要道分兩次傳輸。知足吧,NAND Flash的地址需要4、5次發(fā)送/接收呢。

DRAM和SRAM的主要差別是什么為什么DRAM芯片的地址一般要分

2,DRAM存儲(chǔ)器的中文含義是

RAM一般分為兩大類型:SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。SRAM的讀取速度相當(dāng)快,它訪問數(shù)據(jù)的周期約為1030ns,由于它的造價(jià)高昴,主要用作計(jì)算機(jī)中的高速緩存存儲(chǔ)器(Cache)。DRAM雖然讀取速度較慢,但它的造價(jià)低廉,集成度高,宜于作為系統(tǒng)所需的大容量“主存”,所以DRAM主要制造成計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存條――這種不可缺少的硬件。目前,市面上主要有使用DRAM芯片制成的普通內(nèi)存條、使用EDO DRAM芯片制成的EDO內(nèi)存條以及使用SDRAM芯片制成的SDRAM內(nèi)存條。
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。
只讀存儲(chǔ)器

DRAM存儲(chǔ)器的中文含義是

3,NAND FLASH和DRAM芯片有什么區(qū)別

FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存,它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦出可編程(EEPROM)的性能,還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢(shì)),U盤和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器。在過去的20年里,嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM(EPROM)作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備,然而近年來Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系統(tǒng)中的地位,用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用(U盤)。 DRAM分為很多種,常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,這里介紹其中的一種DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱作DDR SDRAM,這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存,而且它有著成本優(yōu)勢(shì)

NAND FLASH和DRAM芯片有什么區(qū)別

4,DRAM芯片與 NAND芯片有什么區(qū)別

NAND是閃存芯片,掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)消失DRAM用于內(nèi)存,掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,速度快
flash存儲(chǔ)器又稱閃存,它結(jié)合了rom和ram的長處,不僅具備電子可擦出可編程(eeprom)的性能,還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)(nvram的優(yōu)勢(shì)),u盤和mp3里用的就是這種存儲(chǔ)器。在過去的20年里,嵌入式系統(tǒng)一直使用rom(eprom)作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備,然而近年來flash全面代替了rom(eprom)在嵌入式系統(tǒng)中的地位,用作存儲(chǔ)bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用(u盤)。 dram分為很多種,常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等,這里介紹其中的一種ddr ram。ddr ram(date-rate ram)也稱作ddr sdram,這種改進(jìn)型的ram和sdram是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存,而且它有著成本優(yōu)勢(shì)

5,DRAM和NAND芯片是指什么

是基成在硬盤上 類似內(nèi)存的東西 他可以大大改善開機(jī)的速度 能讓開機(jī)予讀去的內(nèi)容可以保存在那上面 然后下次開機(jī)的時(shí)候可以直接讀去 減少了硬盤尋道的時(shí)間 大大縮短了開機(jī)速度
flash存儲(chǔ)器又稱閃存,它結(jié)合了rom和ram的長處,不僅具備電子可擦出可編程(eeprom)的性能,還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)(nvram的優(yōu)勢(shì)),u盤和mp3里用的就是這種存儲(chǔ)器。在過去的20年里,嵌入式系統(tǒng)一直使用rom(eprom)作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備,然而近年來flash全面代替了rom(eprom)在嵌入式系統(tǒng)中的地位,用作存儲(chǔ)bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用(u盤)。 dram分為很多種,常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等,這里介紹其中的一種ddr ram。ddr ram(date-rate ram)也稱作ddr sdram,這種改進(jìn)型的ram和sdram是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存,而且它有著成本優(yōu)勢(shì)

6,筆記本中六只引腳的芯片工作原理

應(yīng)該是“升壓充電泵穩(wěn)壓器”集成塊。為了減輕重量及縮小體積,盡量減少電池的數(shù)量,當(dāng)電路工作電壓高于電池電壓時(shí),采用升壓式充電泵或升壓式DC/DC轉(zhuǎn)換穩(wěn)壓器。升壓充電泵穩(wěn)壓器內(nèi)部的電路包括振蕩器、誤差放大器、邏輯控制電路、電子開關(guān)等。外部電路由分壓器、電壓比較器、基準(zhǔn)電壓源組成。另外,還有監(jiān)測(cè)升壓輸出的電路,這部分由分壓器和電壓比較器組成,這部分的輸出控制振蕩電路的工作,即控制升壓式充電泵的工作或停止。如果確認(rèn)是這個(gè)芯片壞了,看一哈片子上的型號(hào),買一個(gè)換上就OK啦。不過電壓比較器、升壓監(jiān)測(cè)電路、基準(zhǔn)電壓源、分壓器哪個(gè)有問題都會(huì)導(dǎo)致插上電池不工作,需仔細(xì)檢察確認(rèn)后再換芯片,有時(shí)可能就是某一個(gè)小電阻出了問題。
前面的介紹都相對(duì)比較簡(jiǎn)單、抽象。下面我們會(huì)結(jié)合實(shí)際的RAM芯片進(jìn)行介紹。在談到這個(gè)問題的時(shí)候,我們會(huì)涉及到一個(gè)比較重要的技術(shù):封裝。你應(yīng)該聽說過諸如30線SIMMS、72線SIMMS和168線DIMMS或者RIMMs其中的一個(gè)或者幾個(gè)術(shù)語吧。如果要解釋這些術(shù)語之間的不同,就應(yīng)該了解RAM的封裝技術(shù)。   SRAM芯片:  早期的SRAM芯片采用了20線雙列直插(DIP:Dual Inline Package)封裝技術(shù),它們之所以具有這么多的針腳,是因?yàn)樗鼈儽仨殻好總€(gè)地址信號(hào)都需要一根信號(hào)線;一根數(shù)據(jù)輸入線和一根數(shù)據(jù)輸出線部分控制線(Write Enable, Chip Select);線和電源線  上圖顯示的是SRAM芯片,但是并不是下面示意圖中的SRAM芯片,下面的是一個(gè)16K x 1-bit SRAM芯片的針腳功能示意圖:  A0-A13是地址輸入信號(hào)引腳,CS是芯片選擇引腳。在一個(gè)實(shí)際的系統(tǒng)中,一定具有很多片SRAM芯片,所以需要選擇究竟從那一片SRAM芯片中寫入或者讀取數(shù)據(jù)。WE是寫入啟用引腳(如上表,在CS、WE上面的線我沒有寫入,表示低電平有效或者是邏輯0時(shí)有效):當(dāng)SRAM得到一個(gè)地址之后,它需要知道進(jìn)行什么操作,究竟是寫入還是讀取,WE就是告訴SRAM要寫入數(shù)據(jù)。Vcc是供電引腳。Din是數(shù)據(jù)輸入引腳。Dout是數(shù)據(jù)輸出引腳。GND是接地引腳  Output:  Enable(OE):有的SRAM芯片中也有這個(gè)引腳,但是上面的圖中并沒有。這個(gè)引腳同WE引腳的功能是相對(duì)的,它是讓SRAM知道要進(jìn)行讀取操作而不是寫入操作。從Dout引腳讀取1bit數(shù)據(jù)需要以下的步驟:SRAM讀取操作:1)通過地址總線把要讀取的bit的地址傳送到相應(yīng)的讀取地址引腳(這個(gè)時(shí)候/WE引腳應(yīng)該沒有激活,所以SRAM知道它不應(yīng)該執(zhí)行寫入操作)。2)激活/CS選擇該SRAM芯片。3)激活/OE引腳讓SRAM知道是讀取操作。第三步之后,要讀取的數(shù)據(jù)就會(huì)從DOut引腳傳輸?shù)綌?shù)據(jù)總線。怎么過程非常的簡(jiǎn)單吧?同樣,寫入1bit數(shù)據(jù)的過程也是非常的簡(jiǎn)單的。SRAM寫入操作:1)通過地址總線確定要寫入信息的位置(確定/OE引腳沒有被激活)。2)通過數(shù)據(jù)總線將要寫入的數(shù)據(jù)傳輸?shù)紻out引腳。3)激活/CS引腳選擇SRAM芯片。4)激活/WE引腳通知SRAM知道要盡心寫入操作。  經(jīng)過上面的四個(gè)步驟之后,需要寫入的數(shù)據(jù)就已經(jīng)放在了需要寫入的地方。DRAM芯片介紹  現(xiàn)在我們知道了在一個(gè)簡(jiǎn)單的SRAM芯片中進(jìn)行讀寫操作的步驟了了,然后我們來了解一下普通的DRAM芯片的工作情況。DRAM相對(duì)于SRAM來說更加復(fù)雜,因?yàn)樵贒RAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新,這也是它們之間最大的不同。下面讓我們看看DRAM芯片的針腳的作用。  最早、最簡(jiǎn)單也是最重要的一款DRAM芯片是Intel在1979年發(fā)布的2188,這款芯片是16Kx1 DRAM 18線DIP封裝?!?6K x 1”的部分意思告訴我們這款芯片可以存儲(chǔ)16384個(gè)bit數(shù)據(jù),在同一個(gè)時(shí)期可以同時(shí)進(jìn)行1bit的讀取或者寫入操作。(很抱歉找不到這款芯片的實(shí)物圖片,只好自己簡(jiǎn)單的畫了一個(gè)示意圖)。  上面的示意圖可以看出,DRAM和SRAM之間有著明顯的不同。首先你會(huì)看到地址引腳從14根變?yōu)?根,那么這顆16K DRAM是如何完成同16K SRAM一樣的工作的呢?答案很簡(jiǎn)單,DRAM通過DRAM接口把地址一分為二,然后利用兩個(gè)連續(xù)的時(shí)鐘周期傳輸?shù)刂窋?shù)據(jù)。這樣就達(dá)到了使用一半的針腳實(shí)現(xiàn)同SGRAM同樣的功能的目的,這種技術(shù)被稱為多路技術(shù)(multiplexing)?! ∧敲礊槭裁春脺p少地址引腳呢?這樣做有什么好處呢?前面我們?cè)?jīng)介紹過,存儲(chǔ)1bit的數(shù)據(jù)SRAM需要4-6個(gè)晶體管但是DRAM僅僅需要1個(gè)晶體管,那么這樣同樣容量的SRAM的體積比DRAM大至少4倍。這樣就意味著你沒有足夠空間安放同樣數(shù)量的引腳(因?yàn)獒樐_并沒有因此減少4倍)。當(dāng)然為了安裝同樣數(shù)量的針腳,也可以把芯片的體積加大,但是這樣就提高芯片的生產(chǎn)成本和功耗,所以減少針腳數(shù)目也是必要的,對(duì)于現(xiàn)在的大容量DRAM芯片,多路尋址技術(shù)已經(jīng)是必不可少的了?! ‘?dāng)然多路尋址技術(shù)也使得讀寫的過程更加復(fù)雜了,這樣在設(shè)計(jì)的時(shí)候不僅僅DRAM芯片更加復(fù)雜了,DRAM接口也要更加復(fù)雜,在我們介紹DRAM讀寫過程之前,請(qǐng)大家看一張DRAM芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖:  在上面的示意圖中,你可以看到在DRAM結(jié)構(gòu)中相對(duì)于SRAM多了兩個(gè)部分:由/RAS (Row Address Strobe:行地址脈沖選通器)引腳控制的行地址門閂線路(Row Address Latch)和由/CAS(Column Address Strobe:列地址脈沖選通器)引腳控制的列地址門閂線路(Column Address Latch)。DRAM讀取過程:1)通過地址總線將行地址傳輸?shù)降刂芬_。2)/RAS引腳被激活,這樣行地址被傳送到行地址門閂線路中。3)行地址解碼器根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)選擇相應(yīng)的行?! ?)/WE引腳被確定不被激活,所以DRAM知道它不會(huì)進(jìn)行寫入操作。5)列地址通過地址總線傳輸?shù)降刂芬_。6)/CAS引腳被激活,這樣列地址被傳送到行地址門閂線路中。7)/CAS引腳同樣還具有/OE引腳的功能,所以這個(gè)時(shí)候Dout引腳知道需要向外輸出數(shù)據(jù)?! ?)/RAS和/CAS都不被激活,這樣就可以進(jìn)行下一個(gè)周期的數(shù)據(jù)操作了。其實(shí)DRAM的寫入的過程和讀取過程是基本一樣的,所以如果你真的理解了上面的過程就能知道寫入過程了,所以這里我就不贅述了。(只要把第4步改為/WE引腳被激活就可以了)。
文章TAG:芯片dram主要差別Dram芯片

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