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光刻工藝，簡述光刻的工藝過程步驟

來源：整理時間：2023-08-29 09:43:28 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，簡述光刻的工藝過程步驟
2，什么是光刻技術(shù)
3，打印機(jī)的光刻工藝是什么意思
4，光刻工藝的原理是什么
5，光刻曝光技術(shù)的主要流程及每個步驟的意義
6，光刻技術(shù)的原理是什么

1，簡述光刻的工藝過程步驟

1. wafer 表面處理； 2. 旋涂光刻膠（包括抗反射層） 3. 前烘； 4. 曝光； 5. 后烘； 6. 顯影，有的需要在顯影前進(jìn)行堅膜； 7. 刻蝕

簡述光刻的工藝過程步驟

2，什么是光刻技術(shù)

http://www.cnieee.com/wdj/gk/200903/4107.html

　光刻技術(shù)：集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù). 光刻技術(shù)主要用于集成電路的制造。一些芯片器件。

光盤刻錄

就是利用激光技術(shù)制作。

什么是光刻技術(shù)

3，打印機(jī)的光刻工藝是什么意思

發(fā)錯了地方：））我把你的問題看錯了，重新回答你：一，噴墨打印頭的光刻技術(shù)，打印頭是一種特殊的材質(zhì)，采用激光雕刻的技術(shù)，加工出打印噴孔，打印頭的精細(xì)程度更好。更加省墨。二，如果你問的還不是這個問題，那就是現(xiàn)在有一款打印機(jī)是和光盤記錄機(jī)集成了，現(xiàn)在這種產(chǎn)品已經(jīng)見過報道，但是說實(shí)話，市場上我還沒有看到。而且我認(rèn)為意義也不大。

需要更換粉盒了。不建議自己加粉，因?yàn)榱淤|(zhì)墨粉影響打印品質(zhì)量、影響打印機(jī)壽命，灌粉過程中有墨粉泄漏還會影響身體健康。而且，用戶自行拆機(jī)會影響到廠家保修的。如果要更換墨粉，可以看看oki的，墨粉都是經(jīng)過獨(dú)特改良的，更適應(yīng)機(jī)器，打印效果是劣質(zhì)墨粉遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能比的。建議直接買原裝正品硒鼓，硒鼓不僅決定了打印質(zhì)量的好壞，還決定了使用者在使用過程中需要花費(fèi)的金錢多少。在激光打印機(jī)中，70%以上的成像部件集中在硒鼓中，打印質(zhì)量的好壞實(shí)際上在很大程度上是由硒鼓決定的。

打印機(jī)的光刻工藝是什么意思

4，光刻工藝的原理是什么

光刻工藝是利用類似照相制版的原理，在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上面刻蝕精細(xì)圖形的表面加工技術(shù)。也就是使用可見光和紫外光線把電路圖案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再經(jīng)過蝕刻工藝去除無用部分，所剩就是電路本身了。光刻工藝的流程中有制版、硅片氧化、涂膠、曝光、顯影、腐蝕、去膠等。光刻是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的關(guān)鍵工藝。自20世紀(jì)60年代以來，都是用帶有圖形的掩膜覆蓋在被加工的半導(dǎo)體芯片表面，制作出半導(dǎo)體器件的不同工作區(qū)。隨著集成電路所包含的器件越來越多，要求單個器件尺寸及其間隔越來越小，所以常以光刻所能分辨的最小線條寬度來標(biāo)志集成電路的工藝水平。國際上較先進(jìn)的集成電路生產(chǎn)線是1微米線，即光刻的分辨線寬為1微米。日本兩家公司成功地應(yīng)用加速器所產(chǎn)生的同步輻射X射線進(jìn)行投影式光刻，制成了線寬為0.1微米的微細(xì)布線，使光刻技術(shù)達(dá)到新的水平。

光刻機(jī)制造，原理簡單，難點(diǎn)卻很多

5，光刻曝光技術(shù)的主要流程及每個步驟的意義

毛毛你好傻

光刻工藝主要步驟1. 基片前處理為確保光刻膠能和晶圓表面很好粘貼，形成平滑且結(jié)合得很好的膜，必須進(jìn)行表面準(zhǔn)備，保持表面干燥且干凈，2. 涂光刻膠涂膠的目標(biāo)是在晶圓表面建立薄的、均勻的，并且沒有缺陷的光刻膠膜。3. 前烘(軟烘焙)前烘的目的是去除膠層內(nèi)的溶劑，提高光刻膠與襯底的粘附力及膠膜的機(jī)械擦傷能力。4. 對準(zhǔn)和曝光(A＆E) 保證器件和電路正常工作的決定性因素是圖形的準(zhǔn)確對準(zhǔn)，以及光刻膠上精確的圖形尺寸的形成。所以，涂好光刻膠后，第一步是把所需圖形在晶圓表面上準(zhǔn)確定位或?qū)?zhǔn)。第二步是通過曝光將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層上。5. 顯影顯影是指把掩膜版圖案復(fù)制到光刻膠上。6. 后烘(堅膜)經(jīng)顯影以后的膠膜發(fā)生了軟化、膨脹，膠膜與硅片表面粘附力下降。為了保證下一道刻蝕工序能順利進(jìn)行，使光刻膠和晶圓表面更好地粘結(jié)，必須繼續(xù)蒸發(fā)溶劑以固化光刻膠。 7. 刻蝕刻蝕是通過光刻膠暴露區(qū)域來去掉晶圓最表層的工藝，主要目標(biāo)是將光刻掩膜版上的圖案精確地轉(zhuǎn)移到晶圓表面。8. 去除光刻膠刻蝕之后，圖案成為晶圓最表層永久的一部分。作為刻蝕阻擋層的光刻膠層不再需要了，必須從表面去掉。

顯影是把沒固化的料洗掉，它的圖案是不是掩模板的圖案和你用的正膠與負(fù)膠有光

毛毛你好傻希望對你有所幫助，望采納。

6，光刻技術(shù)的原理是什么

芯片納米光刻機(jī)究竟是什么，原理是怎樣的呢？今天算長見識了

光刻技術(shù)的原理集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數(shù)量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)?！　」饪碳夹g(shù)是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，這其中包含有很多步驟與流程。首先要在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，隨后讓強(qiáng)光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源區(qū)和漏區(qū))光刻膠會發(fā)生變質(zhì)，而構(gòu)筑柵區(qū)的地方不會被照射到，所以光刻膠會仍舊粘連在上面。接下來就是用腐蝕性液體清洗硅片，變質(zhì)的光刻膠被除去，露出下面的硅片，而柵區(qū)在光刻膠的保護(hù)下不會受到影響。隨后就是粒子沉積、掩膜、刻線等操作，直到最后形成成品晶片（WAFER）。

概述RDJ-I正型光刻膠是液晶顯示器用正性光刻膠，可同時適用于TN/STN/FTN LCD、VFD制作，具有高感度，高粘附性，高分辨率，良好的涂布性能等優(yōu)點(diǎn)。RDJ-I正型光刻膠采用環(huán)保溶劑。RDJ-I正型光刻膠一般規(guī)格有30mpa.s，40mpa.s，50 mpa.s，使用時可根據(jù)需要稀釋成不同固含量和粘度。技術(shù)指標(biāo)如下表：顏色磚紅色粘度(25℃,VT-04E/F) 20-50 mpa.s基板 ITO玻璃(30Ω)涂膜厚度 1.3—1.8um前烤 100x90sec(熱板)曝光 60-100mj/cm2顯影 0.8% KOHx60sec后烤熱板120℃×120sec蝕刻 HNO3:HCl:H2O=4：23：73@40℃剝離 4%NaOH@50℃×120sec貯存期限（25℃以下暗處貯存） 6個月操作工藝參數(shù)：1．涂布：23℃，輥涂，膜厚1.1-1.8μm；2．前烤：100℃x90sec(熱板)，烤道100℃3—5分鐘；3．曝光：90mj/cm2；4．顯影：23℃，0.4% NaOH，1min，噴淋或浸漬；5．后烤：熱板120℃×120sec，烤120℃,3-5分鐘；6．蝕刻：45℃，F(xiàn)eCl3/HCl或HNO3/ HCl；7．剝離：23℃ 4-6% NaOH

集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數(shù)量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。兩種工藝：①光復(fù)印工藝②刻蝕工藝