請(qǐng)問YLouis關(guān)於空間電荷區(qū)耗盡層勢(shì)壘區(qū)三者的進(jìn)2,半導(dǎo)體物理中空間電荷區(qū)耗盡層勢(shì)壘區(qū)三者的含義一3,模擬電子技術(shù)中空間電荷區(qū)會(huì)不會(huì)導(dǎo)電啊謝謝4,空間電荷區(qū)的基本概念5,為什么會(huì)形成空間電荷區(qū)6,空間電荷區(qū)是由電子空穴還是由正負(fù)離子構(gòu)成的空間電荷區(qū)為何又1,請(qǐng)問YLouis關(guān)於空間電荷區(qū)耗盡層勢(shì)壘區(qū)三者的進(jìn)不是書寫錯(cuò)了。這三個(gè)區(qū)域在定義上是完全不同的,但是在某些條件下對(duì)應(yīng)同一區(qū)域。書不是斷章取義地讀的。比如空間電荷區(qū),也有可能是勢(shì)阱的。另外空間電荷區(qū)有可能是耗盡層,但也有可能不是。2,半導(dǎo)體物理中空...
更新時(shí)間:2024-11-05標(biāo)簽: 空間空間電荷請(qǐng)問關(guān)於空間電荷區(qū)YLouis關(guān)於空間電荷區(qū)耗盡層勢(shì)壘區(qū)三者的進(jìn) 全文閱讀