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空間電荷區(qū)，請問 YLouis 關(guān)於空間電荷區(qū)耗盡層勢壘區(qū)三者的進(jìn)

來源：整理時(shí)間：2024-11-05 13:41:26 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，請問 YLouis 關(guān)於空間電荷區(qū)耗盡層勢壘區(qū)三者的進(jìn)
2，半導(dǎo)體物理中空間電荷區(qū)耗盡層勢壘區(qū)三者的含義一
3，模擬電子技術(shù)中空間電荷區(qū)會不會導(dǎo)電啊謝謝
4，空間電荷區(qū)的基本概念
5，為什么會形成空間電荷區(qū)
6，空間電荷區(qū)是由電子空穴還是由正負(fù)離子構(gòu)成的空間電荷區(qū)為何又

1，請問 YLouis 關(guān)於空間電荷區(qū)耗盡層勢壘區(qū)三者的進(jìn)

不是書寫錯(cuò)了。這三個(gè)區(qū)域在定義上是完全不同的，但是在某些條件下對應(yīng)同一區(qū)域。書不是斷章取義地讀的。比如空間電荷區(qū)，也有可能是勢阱的。另外空間電荷區(qū)有可能是耗盡層，但也有可能不是。

請問 YLouis 關(guān)於空間電荷區(qū)耗盡層勢壘區(qū)三者的進(jìn)

2，半導(dǎo)體物理中空間電荷區(qū)耗盡層勢壘區(qū)三者的含義一

顯然不一樣。這些區(qū)域都存在于兩半導(dǎo)體或者半導(dǎo)體-金屬接觸的地方，空間電荷區(qū)指載流子濃度超過原載流子濃度的區(qū)域，而耗盡層則相反。勢壘區(qū)指由于不同費(fèi)米面的半導(dǎo)體之間或者半導(dǎo)體-金屬之間由于接觸而引起載流子重新分配后形成勢壘的區(qū)域。

半導(dǎo)體物理中空間電荷區(qū)耗盡層勢壘區(qū)三者的含義一

3，模擬電子技術(shù)中空間電荷區(qū)會不會導(dǎo)電啊謝謝

pn結(jié)中的空間電荷區(qū)是自由電子填充空穴形成的，屬于絕緣性質(zhì)。不會導(dǎo)電。在p正n負(fù)的正向電壓作用下，空間電荷區(qū)會變窄。正向電壓較大，空間電荷區(qū)減小到0時(shí)，pn結(jié)就導(dǎo)通了。在p負(fù)n正的反向電壓作用下，空間電荷區(qū)會變寬。反向電壓很大時(shí)，pn結(jié)就會被擊穿。如贊成拙說，打算了解詳情，請參看元增民《模擬電子技術(shù)》，中國電力出版社2009

模擬電子技術(shù)中空間電荷區(qū)會不會導(dǎo)電啊謝謝

4，空間電荷區(qū)的基本概念

空間電荷區(qū)也稱耗盡層，在PN結(jié)中，由于自由電子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和內(nèi)電場導(dǎo)致的漂移運(yùn)動(dòng)，使PN結(jié)中間的部位(P區(qū)和N區(qū)交界面)產(chǎn)生一個(gè)很薄的電荷區(qū),它就是空間電荷區(qū)。

空間電荷區(qū)也稱耗盡層.在pn結(jié)中,由于自由電子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和內(nèi)電場導(dǎo)致的漂移運(yùn)動(dòng),使pn結(jié)中間的部位(p區(qū)和n區(qū)交界面)產(chǎn)生一個(gè)很薄的電荷區(qū),它就是空間電荷區(qū).向左轉(zhuǎn)|向右轉(zhuǎn)

5，為什么會形成空間電荷區(qū)

把在pn結(jié)附近的電離施主和電離受主所帶電荷稱為空間電百荷。它們所存在的區(qū)域稱為空間電荷區(qū)。（電離施主和電離受主就是離子）在pn結(jié)的空間度電荷區(qū)中能帶發(fā)生彎曲，這是空間電荷區(qū)中電勢能變化的結(jié)果。因能帶彎曲，電子從勢能低的n區(qū)向勢能高的p區(qū)運(yùn)動(dòng)時(shí)，必須克服這一勢能“高坡"，才能達(dá)到p區(qū)；同理，空穴也必須克服這一勢能“高坡"，才能從p區(qū)到達(dá)n區(qū)，這一勢能“高坡，通常稱為pn結(jié)的勢壘，故知空間電荷區(qū)也叫勢壘區(qū)。勢壘區(qū)中勢能比n區(qū)導(dǎo)帶底高0．1eV處，價(jià)帶空穴濃度為p區(qū)多數(shù)載流子的10^道-10倍，而該處的導(dǎo)帶電子濃度為n區(qū)多數(shù)載流子的1/50。一般室溫附近，對于絕版大部分勢壘區(qū)，其中雜質(zhì)雖然都已電離，但載流子濃度比起n區(qū)和p區(qū)的多數(shù)載流子濃度小得多，好像已經(jīng)耗盡了。所以通常也稱勢壘區(qū)為耗盡層，即認(rèn)為其中載流子濃度很小，可以忽權(quán)略，空間電荷密度就等于電離雜質(zhì)濃度。向左轉(zhuǎn)|向右轉(zhuǎn)參考資料：《半導(dǎo)體物理》劉恩科第七版

參考資料《半導(dǎo)體物理與器件》第四版趙毅強(qiáng)、姚素英等譯1、起初來，在冶金結(jié)所處的位置，電子和空穴的濃度都有一個(gè)很大的濃度梯度；2、由于存在濃度梯度，N區(qū)的多子電子向P區(qū)擴(kuò)散，留下帶正電的施主離子；P區(qū)的多子空穴向N區(qū)擴(kuò)散，留下帶負(fù)電自的受主離子；3、N區(qū)和P區(qū)的凈正電荷和凈負(fù)電荷（即2中所講百的施主離子和受主離子）在冶金結(jié)附近感應(yīng)出一個(gè)度內(nèi)建電場，對擴(kuò)散的載流子產(chǎn)生一個(gè)電場力（方向與擴(kuò)散力相反）；4、當(dāng)電場力與擴(kuò)散力相等時(shí)，達(dá)到一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡，冶金結(jié)附近形成空間電荷區(qū)。如圖：

6，空間電荷區(qū)是由電子空穴還是由正負(fù)離子構(gòu)成的空間電荷區(qū)為何又

電子和空穴構(gòu)成的?？臻g電荷，在pn結(jié)中，電子和空穴帶有相反的電荷，它們在擴(kuò)散過程中要產(chǎn)生復(fù)合（中和），結(jié)果使P區(qū)和N區(qū)中原來的電中性被破壞。空間電荷區(qū)指載流子濃度超過原載流子濃度的區(qū)域。空間電荷指流子濃度超過原載流子濃度。在PN結(jié)中，由于自由電子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和內(nèi)電場導(dǎo)致的漂移運(yùn)動(dòng)，使PN結(jié)中間的部位(P區(qū)和N區(qū)交界面)產(chǎn)生一個(gè)很薄的電荷區(qū)，所以空間電荷區(qū)為何又稱為耗盡層。擴(kuò)展資料空間電荷區(qū)的變化當(dāng)p-n結(jié)上加有正向電壓時(shí)，所產(chǎn)生電場的方向即與內(nèi)建電場的方向相反，互相抵消，使得空間電荷區(qū)中的總電場有所降低，從而其中的正、負(fù)空間電荷也就有所減少，結(jié)果，空間電荷區(qū)的厚度也就減小了。相反，當(dāng)p-n結(jié)上加有反向電壓時(shí)，所產(chǎn)生電場的方向即與內(nèi)建電場的方向一致，互相增強(qiáng)，使得空間電荷區(qū)中的總電場有所提高，從而也就使得空間電荷區(qū)中的電荷增多、厚度增大了。p-n結(jié)的單向?qū)щ娦院蛿U(kuò)散電容效應(yīng)，也就是勢壘高度隨著電壓而發(fā)生變化所產(chǎn)生的一種效應(yīng)；而勢壘電容是勢壘區(qū)的厚度（空間電荷區(qū)的寬度）隨著電壓而發(fā)生變化所產(chǎn)生的一種效應(yīng)。由于勢壘厚度的變化（即空間電荷區(qū)的變化）是p-n結(jié)兩邊多數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)所致，因此相應(yīng)的勢壘電容在很高的頻率下也會起作用，往往是決定器件截止頻率的重要因素。如果所加的正向電壓過高（例如超過1V）時(shí)，內(nèi)建電場就完全被抵消了，空間電荷區(qū)也就不存在了，厚度變?yōu)?，這時(shí)p-n結(jié)也就失效了。當(dāng)然，若在回路（例如開關(guān)電路）中接有適當(dāng)?shù)碾娮瑁拗屏穗娏?，雖然p-n結(jié)不會損壞，但是通過的電流已經(jīng)不再是受到勢壘限制的那樣隨著電壓而指數(shù)式上升的電流了。因此，只要是能夠正常進(jìn)行整流、檢波等工作的p-n結(jié)，其中就必將具有一定厚度的空間電荷區(qū)參考資料來源：搜狗百科-空間電荷區(qū)參考資料來源：搜狗百科-空間電荷

空間電荷區(qū)是由不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子構(gòu)成，由于p區(qū)中的空穴擴(kuò)散到n區(qū)，n區(qū)中自由電子擴(kuò)散到p區(qū)并且與空穴復(fù)合，形成了空間電荷區(qū)，同時(shí)建立了內(nèi)電場。內(nèi)電場會阻礙多子的擴(kuò)散，也會促進(jìn)交界處的少子產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)。由于空間電荷區(qū)中的載流子幾乎被消耗殆盡，所以又稱為耗盡區(qū)，pn結(jié)內(nèi)電場阻止多子擴(kuò)散，所以又稱阻擋層或勢壘區(qū)。

把在pn結(jié)附近的電離施主和電離受主所帶電荷稱為空間電荷。它們所存在的區(qū)域稱為空間電荷區(qū)。（電離施主和電離受主就是離子）在pn結(jié)的空間電荷區(qū)中能帶發(fā)生彎曲，這是空間電荷區(qū)中電勢能變化的結(jié)果。因能帶彎曲，電子從勢能低的n區(qū)向勢能高的p區(qū)運(yùn)動(dòng)時(shí)，必須克服這一勢能“高坡"，才能達(dá)到p區(qū)；同理，空穴也必須克服這一勢能“高坡"，才能從p區(qū)到達(dá)n區(qū)，這一勢能“高坡，通常稱為pn結(jié)的勢壘，故空間電荷區(qū)也叫勢壘區(qū)。勢壘區(qū)中勢能比n區(qū)導(dǎo)帶底高0．1eV處，價(jià)帶空穴濃度為p區(qū)多數(shù)載流子的10^-10倍，而該處的導(dǎo)帶電子濃度為n區(qū)多數(shù)載流子的1/50。一般室溫附近，對于絕大部分勢壘區(qū)，其中雜質(zhì)雖然都已電離，但載流子濃度比起n區(qū)和p區(qū)的多數(shù)載流子濃度小得多，好像已經(jīng)耗盡了。所以通常也稱勢壘區(qū)為耗盡層，即認(rèn)為其中載流子濃度很小，可以忽略，空間電荷密度就等于電離雜質(zhì)濃度。參考資料：《半導(dǎo)體物理》劉恩科第七版

不同的結(jié)形成不同。

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