我公司現(xiàn)有臺晶體管特性圖示儀要測量場效應(yīng)管的參數(shù)測電流和電壓2,mos管的rdson的測試條件為什么是id設(shè)為一半3,求助低壓mosfetRDSON測試問題4,irf3205的RDSon靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻8m是什么意識多少歐姆啊是5,如何用TektronixCurveTracer576正確測量Rdson6,如何計算Rdson1,我公司現(xiàn)有臺晶體管特性圖示儀要測量場效應(yīng)管的參數(shù)測電流和電壓伏安特性曲線起始點的斜率就表征了導(dǎo)通電阻,斜率越大,電阻越小。2,mos管的rdson的測試條件為什么是id設(shè)為一半測...
更新時間:2023-08-26標(biāo)簽: 公司現(xiàn)有晶體管特性rdson 全文閱讀