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動態(tài)隨機(jī)存儲器，DDR SDRAM 什么意思

來源：整理 時(shí)間：2023-08-31 12:13:22 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，DDR SDRAM 什么意思

指的內(nèi)存...
一種內(nèi)存DDR SDRAM DDR SDRAM：嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。 SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。 與SDRAM相比：DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí)，存儲控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。 從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個(gè)針腳，主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。
內(nèi)存條隨機(jī)的

DDR SDRAM 什么意思

2，ROMRAM 兩個(gè)的概念和區(qū)別

ROM是只讀內(nèi)存（Read-Only Memory）的簡稱，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經(jīng)常變更資料的電子或電腦系統(tǒng)中，資料并且不會因?yàn)殡娫搓P(guān)閉而消失 RAM（隨機(jī)存取存儲器）RAM -random access memory 隨機(jī)存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時(shí)將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時(shí)間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機(jī)存儲器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器（Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。
｛內(nèi)存｝是對于計(jì)算機(jī)內(nèi)部的運(yùn)行資源的籠統(tǒng)稱呼。系統(tǒng)總線，各種板卡接口，以及內(nèi)存條等等都可以籠統(tǒng)稱為｛內(nèi)存｝，但主要的內(nèi)存資源有兩個(gè)分類，第一種稱為ROM，也就是“固態(tài)存儲器”，第二種稱為RAM，也就是｛隨機(jī)存儲器｝，至于它們的區(qū)別主要就是： ROM：可以永久保留信息，它內(nèi)部的信息只要寫入一般都無法更改，只能用于讀取，所以通常用來存放無需修改就能長期使用的信息，例如主板上的 RAM：它的存取速度比ROM快很多，但是只要切斷電源，它所保存的數(shù)據(jù)就會全部丟失，所以一般用于｛內(nèi)存條｝，供給中央處理器CPU臨時(shí)存放數(shù)據(jù)，計(jì)算機(jī)使用的內(nèi)存條按類型可以分為
rom是只讀存儲器，ram是隨機(jī)存取存儲器。然后他們的區(qū)別你應(yīng)該可以通過名字看出來吧。
首先ROM+RAM 電腦術(shù)語上有很多有很多解釋，不知道你具體指哪方面
rom、ram分別指的是手機(jī)的應(yīng)用內(nèi)存，和手機(jī)的儲存容量。
rom存的東西掉電不丟失相當(dāng)于電腦的硬盤，ram內(nèi)存的掉電丟失，相當(dāng)于電腦的內(nèi)存。

ROMRAM 兩個(gè)的概念和區(qū)別

3，SDRAM用在什么上

這都是內(nèi)存的規(guī)格，在內(nèi)存上用。不同的內(nèi)存是不一樣的，但有一點(diǎn)是一樣的，就是它們都是RAM。它們都是隨機(jī)訪問的。SDRAM:同步動態(tài)隨機(jī)存儲器DDR SDRAM是“Double Data Rate SDRAM”的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器”。與早期的SDRAM相比，DDR SDRAM內(nèi)存可在時(shí)鐘脈沖的上升和下降沿同時(shí)傳輸信號，這意味著在相同的工作頻率下，DDR SDRAM的理論傳輸速率為SDRAM的兩倍。例如：同為133MHz的工作頻率，SDRAM內(nèi)存可以實(shí)現(xiàn)1.06GB/s數(shù)據(jù)帶寬，而DDR SDRAM則達(dá)到了2.1GB/s，這種DDR SDRAM內(nèi)存便被稱為DDR 266或PC2100，前者代表等效工作頻率，后者表明了數(shù)據(jù)帶寬。 DDR2 SDRAM則在DDR SDRAM的基礎(chǔ)上再次進(jìn)行了改進(jìn)，它同樣可在時(shí)鐘脈沖的上升和下降沿同時(shí)傳輸信號，但采用了4bit數(shù)據(jù)預(yù)讀取方式，使得數(shù)據(jù)傳輸速率在DDR SDRAM的基礎(chǔ)上翻番。例如：同為133MHz工作頻率，DDR SDRAM可實(shí)現(xiàn)2.1GB/s數(shù)據(jù)帶寬，而DDR2 SDRAM則達(dá)到4.2GB/s，也被稱為DDR2 533或PC2 4200內(nèi)存
ｓｄｒａｍ內(nèi)存是較早的主機(jī)上用的內(nèi)存條，現(xiàn)在己經(jīng)看不到了。ｄｄｒ內(nèi)存也己遭淘汰，現(xiàn)在主流內(nèi)存是ｄｄｒ2 與ｄｄｒ3內(nèi)存。 sdram sdram:synchronous dynamic random access memory,同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，同步是指memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。 sdram從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代sdr sdram，第二代ddr sdram，第三代ddr2 sdram，第四代ddr3 sdram.(顯卡上的ddr已經(jīng)發(fā)展到ddr5

SDRAM用在什么上

4，ddr 是什么

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本
ddr內(nèi)存現(xiàn)在漸漸成為內(nèi)存市場中新的寵兒，因其合理的性價(jià)比從其誕生以來一直受到人們熱烈的期望，希望這一新的內(nèi)存產(chǎn)品全面提升系統(tǒng)的處理速度和帶寬，就連對rambus抱有無限希望的intel公司也向外界宣布將以最快的速度生產(chǎn)支持ddr內(nèi)存的新一代p4系統(tǒng)。不難看出，ddr真的是大勢所趨。 近來市場上已聞諸多廠商開始陸續(xù)推出自己的ddr內(nèi)存產(chǎn)品，國際上少數(shù)內(nèi)存生產(chǎn)商之一的金士頓公司（kingston）其實(shí)在去年年底就已完成了批量生產(chǎn)ddr內(nèi)存的生產(chǎn)線的建設(shè)，現(xiàn)在金士頓公司(kingston)已準(zhǔn)備開始向全球接受訂單開始大量供貨了。 那么究竟什么是ddr內(nèi)存呢？其技術(shù)優(yōu)勢又在何處呢？請讓我們先了解一下這樣新的事物。 ddr是double data rate sdram的縮寫（雙倍數(shù)據(jù)速率）。ddr sdram內(nèi)存技術(shù)是從主流的pc66，pc100，pc133 sdram技術(shù)發(fā)展而來。這一新技術(shù)使新一代的高性能計(jì)算機(jī)系統(tǒng)成為可能，包括臺式機(jī)、工作站、服務(wù)器、便攜式，也包括新的通信產(chǎn)品，如路由器。ddr內(nèi)存目前被廣泛應(yīng)用于高性能圖形適配器。 ddr dimms與sdram dimms的物理元數(shù)相同，但兩側(cè)的線數(shù)不同，ddr應(yīng)用184pins，而sdram則應(yīng)用168pins。因此，ddr內(nèi)存不向后兼容sdram，要求專為ddr設(shè)計(jì)的主板與系統(tǒng)。 ddr內(nèi)存技術(shù)是成熟的pc100和pc133sdram技術(shù)的革命性進(jìn)步。ddr內(nèi)存芯片由半導(dǎo)體制造商用現(xiàn)有的晶圓片，程序及測試設(shè)備生產(chǎn)，從而降低了內(nèi)存芯片的成本。kingston能夠利用其現(xiàn)有的制造與測試設(shè)備在全球范圍內(nèi)提供ddr模塊。 主要的技術(shù)及芯片公司，包括intel, amd, via technology, acer labs (ali), silicon integrated systems (sis), nvidia, ati,及serverworks都已宣布支持ddr內(nèi)存。主板及系統(tǒng)支持ddr內(nèi)存在2000的q4中已獲引進(jìn)，在2001年將被大量采用。 ddr dimm的規(guī)范由jedec定案。jedec是電子行業(yè)聯(lián)盟的半導(dǎo)體工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化組織。大約300家會員公司提交行業(yè)中每一環(huán)節(jié)的標(biāo)準(zhǔn)，積極合作來發(fā)展符合行業(yè)需求的標(biāo)準(zhǔn)體系。kingston是jedec的長期會員，并且是jedec的理事會成員。

5，DDR與DDR2的區(qū)別

.回答.....太長了 DDR2工作電壓低但 但電流增大 耗能減低 頻率極限增加但延時(shí)變長了 DDR2 533的性能還不如DDR400 只有頻率達(dá)到667時(shí)DDR2才高于DDR 400至于DDR DDR2 DDR3代表的只是DDR內(nèi)存的產(chǎn)品幾代數(shù)罷了現(xiàn)在最新是DDR4代產(chǎn)品
ddr和ddr2的區(qū)別嚴(yán)格的說ddr應(yīng)該叫ddr sdram，人們習(xí)慣稱為ddr，部分初學(xué)者也常看到ddr sdram，就認(rèn)為是sdram。ddr sdram是double data rate sdram的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。ddr內(nèi)存是在sdram內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用sdram生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通sdram的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)ddr內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。 sdram在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而ddr內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。ddr內(nèi)存可以在與sdram相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。 與sdram相比：ddr運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行，又保持與cpu完全同步；ddr使用了dll(delay locked loop，延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí)，存儲控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。ddl本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高sdram的速度，它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)sdra的兩倍。 從外形體積上ddr與sdram相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但ddr為184針腳，比sdram多出了16個(gè)針腳，主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號。ddr內(nèi)存采用的是支持2.5v電壓的sstl2標(biāo)準(zhǔn)，而不是sdram使用的3.3v電壓的lvttl標(biāo)準(zhǔn)。 ddr2內(nèi)存起始頻率從ddr內(nèi)存最高標(biāo)準(zhǔn)頻率400mhz開始，現(xiàn)已定義可以生產(chǎn)的頻率支持到533mhz到667mhz,標(biāo)準(zhǔn)工作頻率工作頻率分別是200/266/333mhz，工作電壓為1.8v。ddr2采用全新定義的240 pin dimm接口標(biāo)準(zhǔn)，完全不兼容于ddr的184pin dimm接口標(biāo)準(zhǔn)。 ddr2和ddr一樣，采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑亲畲蟮膮^(qū)別在于，ddr2內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)ddr內(nèi)存的2bit預(yù)讀取，這就意味著，ddr2擁有兩倍于ddr的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，ddr2則簡單的獲得兩倍于ddr的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力。 ddr2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于所謂的兩倍于ddr的傳輸能力，而是，在采用更低發(fā)熱量，更低功耗的情況下，反而獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)ddr的400mhz限制ddr2內(nèi)存在每個(gè)時(shí)鐘周期可以處理多達(dá)4位的數(shù)據(jù)，而ddr內(nèi)存只能處理2位數(shù)據(jù); ddr2的針腳數(shù)量為240針，而ddr內(nèi)存為184針；ddr2內(nèi)存的vdimm電壓為1.8v，也和ddr內(nèi)存的2.5v不同
ddr和ddr2的區(qū)別嚴(yán)格的說ddr應(yīng)該叫ddr sdram，人們習(xí)慣稱為ddr，部分初學(xué)者也?？吹絛dr sdram，就認(rèn)為是sdram。ddr sdram是double data rate sdram的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。ddr內(nèi)存是在sdram內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用sdram生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通sdram的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)ddr內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。 sdram在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而ddr內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。ddr內(nèi)存可以在與sdram相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。 與sdram相比：ddr運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行，又保持與cpu完全同步；ddr使用了dll(delay locked loop，延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí)，存儲控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。ddl本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高sdram的速度，它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)sdra的兩倍。 從外形體積上ddr與sdram相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但ddr為184針腳，比sdram多出了16個(gè)針腳，主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號。ddr內(nèi)存采用的是支持2.5v電壓的sstl2標(biāo)準(zhǔn)，而不是sdram使用的3.3v電壓的lvttl標(biāo)準(zhǔn)。 ddr2內(nèi)存起始頻率從ddr內(nèi)存最高標(biāo)準(zhǔn)頻率400mhz開始，現(xiàn)已定義可以生產(chǎn)的頻率支持到533mhz到667mhz,標(biāo)準(zhǔn)工作頻率工作頻率分別是200/266/333mhz，工作電壓為1.8v。ddr2采用全新定義的240 pin dimm接口標(biāo)準(zhǔn)，完全不兼容于ddr的184pin dimm接口標(biāo)準(zhǔn)。 ddr2和ddr一樣，采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但是最大的區(qū)別在于，ddr2內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)ddr內(nèi)存的2bit預(yù)讀取，這就意味著，ddr2擁有兩倍于ddr的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，ddr2則簡單的獲得兩倍于ddr的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力。 ddr2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于所謂的兩倍于ddr的傳輸能力，而是，在采用更低發(fā)熱量，更低功耗的情況下，反而獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)ddr的400mhz限制ddr2內(nèi)存在每個(gè)時(shí)鐘周期可以處理多達(dá)4位的數(shù)據(jù)，而ddr內(nèi)存只能處理2位數(shù)據(jù); ddr2的針腳數(shù)量為240針，而ddr內(nèi)存為184針；ddr2內(nèi)存的vdimm電壓為1.8v，也和ddr內(nèi)存的2.5v不同

6，幫忙UVEPROMEEROMSRAMDRAM的中文含義和主要用途 問

1UVEPROM,可擦出編程ROM（EPROM)的主要種類,EPROM可以由用戶自行寫入數(shù)據(jù)，寫入后的內(nèi)容可由紫外線燈照射擦除，然后可重新寫入新的數(shù)據(jù)。這種由紫外線擦除的EPROM可寫為2EEROM電可擦只讀存儲器,3SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。4DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù)）
主存，又稱內(nèi)存，是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與cpu進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對計(jì)算機(jī)的影響非常大。 內(nèi)存（memory）也被稱為內(nèi)存儲器，其作用是用于暫時(shí)存放cpu中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，cpu就會把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后cpu再將結(jié)果傳送出來，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。 內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。輔存狹義上是我們平時(shí)講的硬盤?？茖W(xué)地說是外部存儲器（需要通過i/o系統(tǒng)與之交換數(shù)據(jù)，又稱為輔助存儲器）。存儲容量大、成本低、存取速度慢，以及可以永久地脫機(jī)保存信息。主要包括磁表面存儲器、軟盤存儲器、磁帶存儲設(shè)備、光盤存儲設(shè)備。 cache 高速緩沖存儲器 一種特殊的存儲器子系統(tǒng)，其中復(fù)制了頻繁使用的數(shù)據(jù)以利于快速訪問。存儲器的高速緩沖存儲器存儲了頻繁訪問的 ram 位置的內(nèi)容及這些數(shù)據(jù)項(xiàng)的存儲地址。當(dāng)處理器引用存儲器中的某地址時(shí)，高速緩沖存儲器便檢查是否存有該地址。如果存有該地址，則將數(shù)據(jù)返回處理器；如果沒有保存該地址，則進(jìn)行常規(guī)的存儲器訪問。因?yàn)楦咚倬彌_存儲器總是比主ram 存儲器速度快，所以當(dāng) ram 的訪問速度低于微處理器的速度時(shí)，常使用高速緩沖存儲器。ram（random access memory）隨機(jī)存取存儲器 主要用于存儲計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)的程序和數(shù)據(jù)，需要執(zhí)行的程序或者需要處理的數(shù)據(jù)都必須先裝入ram內(nèi)，是指既可以從該設(shè)備讀取數(shù)據(jù)，也可以往里面寫數(shù)據(jù)。ram的特點(diǎn)是：計(jì)算機(jī)通電狀態(tài)下ram中的數(shù)據(jù)可以反復(fù)使用，只有向其中寫入新數(shù)據(jù)時(shí)才被更新；斷電后ram中的數(shù)據(jù)隨之消失。sram是英文static ram的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。sram不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而dram（dynamic random access memory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此sram具有較高的性能，但是sram也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的dram內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是sram卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上sram存儲器要占用一部分面積。rom（read only memory）只讀存儲器，是指只能從該設(shè)備中讀取數(shù)據(jù)而不能往里面寫數(shù)據(jù)的存儲器。rom中的數(shù)據(jù)是由設(shè)計(jì)者和制造商事先編好固化在里面的一些程序，使用者不能隨意更改。rom主要用于檢查計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的配置情況并提供最基本的輸入輸出（i/o）程序，如存儲bios參數(shù)的cmos芯片。rom的特點(diǎn)是計(jì)算機(jī)斷電后存儲器中的數(shù)據(jù)仍然存在。prom （programmable read-only memory）－可編程只讀存儲器，也叫one-time programmable (otp)rom“一次可編程只讀存儲器”，是一種可以用程序操作的只讀內(nèi)存。最主要特征是只允許數(shù)據(jù)寫入一次，如果數(shù)據(jù)燒入錯(cuò)誤只能報(bào)廢。eprom（erasable programmable rom，可擦除可編程rom）芯片可重復(fù)擦除和寫入，解決了prom芯片只能寫入一次的弊端。eprom芯片有一個(gè)很明顯的特征，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個(gè)玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內(nèi)部的集成電路，紫外線透過該孔照射內(nèi)部芯片就可以擦除其內(nèi)的數(shù)據(jù)，完成芯片擦除的操作要用到eprom擦除器。eprom內(nèi)資料的寫入要用專用的編程器，并且往芯片中寫內(nèi)容時(shí)必須要加一定的編程電壓（vpp=12—24v，隨不同的芯片型號而定）。eprom的型號是以27開頭的，如27c020(8*256k)是一片2m bits容量的eprom芯片。eprom芯片在寫入資料后，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。 eprom芯片在空白狀態(tài)時(shí)（用紫外光線擦除后），內(nèi)部的每一個(gè)存儲單元的數(shù)據(jù)都為1（高電平）。eeprom (electrically erasable programmable read-only memory)，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 eeprom 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。eeprom（電可擦寫可編程只讀存儲器）是可用戶更改的只讀存儲器（rom），其可通過高于普通 eeprom電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像eprom芯片，eeprom不需從計(jì)算機(jī)中取出即可修改。在一個(gè)eeprom中，當(dāng)計(jì)算機(jī)在使用的時(shí)候是可頻繁地重編程的，eeprom的壽命是一個(gè)很重要的設(shè)計(jì)考慮參數(shù)。eeprom的一種特殊形式是閃存，其應(yīng)用通常是個(gè)人電腦中的電壓來擦寫和重編程。 　　eeprom,一般用于即插即用（plug & play）。 　　常用在接口卡中，用來存放硬件設(shè)置數(shù)據(jù)。 　　也常用在防止軟件非法拷貝的"硬件鎖"上面。cd-rom（compact disc read-only memory）即只讀光盤，是一種在電腦上使用的光碟。這種光碟只能寫入數(shù)據(jù)一次，信息將永久保存在光碟上，使用時(shí)通過光碟驅(qū)動器讀出信息。cd的格式最初是為音樂的存儲和回放設(shè)計(jì)的，1985年，由sony和飛利浦制定的黃皮書標(biāo)準(zhǔn)使得這種格式能夠適應(yīng)各種二進(jìn)制數(shù)據(jù)。有些cd-rom既存儲音樂，又存儲計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)，這種cd-rom的音樂能夠被cd播放器播放，計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)只能被計(jì)算機(jī)處理。flash memory，也稱閃存（flash memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：nor flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256kb到20mb。閃存是電子可擦除只讀存儲器（eeprom）的變種，eeprom與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比eeprom的更新速度快。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的bios（基本輸入輸出程序）、pda（個(gè)人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等
文章TAG：動態(tài)隨機(jī)存儲器DDRSDRAM什么意思

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